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基于ARM嵌入式μClinux下Nand-Flash的应用设计 被引量：2
1
作者 何剑锋 李大晖 李祥 《自动化与仪表》 北大核心 2009年第3期53-56,共4页
在基于ARM嵌入式μClinux操作系统上,介绍一款Nand-Flash的结构、功能和基本工作原理。在综合考虑了Nand-Flash和嵌入式系统的特殊性,设计了一种较大容量Nand-Flash在嵌入式系统上的实现方案。并给出了硬件接口电路和软件驱动编程的实... 在基于ARM嵌入式μClinux操作系统上,介绍一款Nand-Flash的结构、功能和基本工作原理。在综合考虑了Nand-Flash和嵌入式系统的特殊性,设计了一种较大容量Nand-Flash在嵌入式系统上的实现方案。并给出了硬件接口电路和软件驱动编程的实现方法,结合Nand-Flash支持的文件系统方便实现对数据和存储空间的有效管理。实践表明该系统运行可靠、稳定。 展开更多
关键词 ARM 嵌入式ΜCLINUX nand-flash 文件系统
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嵌入式系统中Nand-Flash的原理及应用 被引量：7
2
作者 黄海军 王宜怀 《计算机时代》 2007年第4期61-63,共3页
以三星公司的K9F1208UOB芯片为例,详细介绍了Nand-flash存储器芯片的工作原理以及在S3C2440A平台上应用的软硬件设计过程。
关键词 嵌入式 nand-flash S3C2440A 设计
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NAND-FLASH存储器KM29U128T的软硬件接口设计方法 被引量：2
3
作者 刘军亮 王盛安 蔡树群 《仪表技术》 2008年第7期32-34,共3页
三星公司的NAND-FLASH存储器KM29U128T存储容量大,速度快且可靠性较高,文章介绍它的软硬件接口设计方法。
关键词 nand-flash存储 KM29U128T 软硬件接口
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基于NAND-Flash的FAT16文件系统的实现
4
作者 刘振纲 庞晓玲 《微计算机信息》 2010年第27期185-186,共2页
本文介绍了一种以NAND-Flash存储设备为介质,在嵌入式系统中实现FAT16文件系统的方法。NAND-Flash是现在嵌入式系统中的常见存储设备,本文在介绍了NAND-Flash与FAT16文件系统结构特点的基础上,讨论了将FAT16文件系统移植到NAND-Flash这... 本文介绍了一种以NAND-Flash存储设备为介质,在嵌入式系统中实现FAT16文件系统的方法。NAND-Flash是现在嵌入式系统中的常见存储设备,本文在介绍了NAND-Flash与FAT16文件系统结构特点的基础上,讨论了将FAT16文件系统移植到NAND-Flash这一技术的关键内容和具体实现方法。 展开更多
关键词 嵌入式系统 nand-flash 文件系统 FAT16
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一种可配置Nand-Flash控制器的设计 被引量：6
5
作者 薛杰 戎蒙恬 刘文江 《信息技术》 2006年第11期1-4,29,共5页
Nand Flash以其优越的性能及更大的容量,在数码产品中得到广泛应用。在嵌入式SoC中集成Nand Flash控制器已成为一种趋势。介绍了一种可配置低功耗的Nand-Flash控制器的设计,兼容各大厂家的Flash芯片。支持8bit和16bit的数据口,内部具有... Nand Flash以其优越的性能及更大的容量,在数码产品中得到广泛应用。在嵌入式SoC中集成Nand Flash控制器已成为一种趋势。介绍了一种可配置低功耗的Nand-Flash控制器的设计,兼容各大厂家的Flash芯片。支持8bit和16bit的数据口,内部具有可配置的FIFO自动时钟控制。在80MHz频率下,该设计的数据传输率可达到Nand Flash能承受的最大值,占用CPU资源少,满足了实际应用的设计要求。该设计已通过仿真和芯片验证测试。 展开更多
关键词 NAND闪存 软硬件划分 状态机 FIFO
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基于Transformer模型的3D NAND闪存剩余寿命预测方法
6
作者 石颖 杨少华 +2 位作者 周斌 吴福根 胡湘洪 《微电子学》 北大核心 2025年第2期327-334,共8页
为了预测3D NAND闪存的剩余使用寿命以及提高数据存储的可靠性,设计了3D NAND闪存的高温和温度循环实验,分析了各项操作时间和原始错误比特数的变化趋势。同时建立了一种改进的Transformer模型,以预处理后的寿命特征数据为输入,对3D NAN... 为了预测3D NAND闪存的剩余使用寿命以及提高数据存储的可靠性,设计了3D NAND闪存的高温和温度循环实验,分析了各项操作时间和原始错误比特数的变化趋势。同时建立了一种改进的Transformer模型,以预处理后的寿命特征数据为输入,对3D NAND闪存的剩余使用寿命进行预测。与LSTM、GRU相比,所建立模型在高温擦写实验数据集中的均方根误差分别下降了20.5%、21.0%;在温度循环擦写实验数据集中则分别下降2.5%和7.8%。实验结果表明,该模型可以准确预测3D NAND闪存的剩余寿命,优化闪存寿命管理策略。 展开更多
关键词 3D NAND闪存 剩余使用寿命 Transformer模型 寿命预测
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基于USBHS通信的低功耗存储系统设计 被引量：1
7
作者 王继贤 任勇峰 刘利鹏 《工业仪表与自动化装置》 2025年第2期54-59,共6页
通过研究大容量、低功耗、高通讯速度的存储器,采用USBHS通信技术,该文介绍了一种大容量、低功耗的高速存储系统。系统以GD32为控制核心,将采集到的数据从上位机以USBHS通信传送到芯片,通过EXMC接口存储到NAND FLASH中。重点描述了USBH... 通过研究大容量、低功耗、高通讯速度的存储器,采用USBHS通信技术,该文介绍了一种大容量、低功耗的高速存储系统。系统以GD32为控制核心,将采集到的数据从上位机以USBHS通信传送到芯片,通过EXMC接口存储到NAND FLASH中。重点描述了USBHS通信的具体原理和NAND flash的存储逻辑,简要说明了系统硬件设计和整体结构。经过测试,系统功耗90 mA,存储速率9 MByte/s,存储容量达32 GByte,性能良好。 展开更多
关键词 USB通信 GD32 NAND FLASH 大容量存储 高速
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包含偏硅酸影响的3D NAND磷酸湿法刻蚀动力学
8
作者 彭子林 周蕾 +2 位作者 邓庆航 叶光华 周兴贵 《化工学报》 北大核心 2025年第2期645-653,共9页
以磷酸为刻蚀剂选择性刻蚀Si_(3)N_(4)和SiO_(2)堆叠结构中的Si_(3)N_(4),是3D NAND闪存芯片制造过程中最关键的步骤之一。随着3D NAND存储单元堆叠层数的不断升高,扩散限制越来越严重,刻蚀产物偏硅酸浓度梯度不断加大,致使刻蚀工艺面... 以磷酸为刻蚀剂选择性刻蚀Si_(3)N_(4)和SiO_(2)堆叠结构中的Si_(3)N_(4),是3D NAND闪存芯片制造过程中最关键的步骤之一。随着3D NAND存储单元堆叠层数的不断升高,扩散限制越来越严重,刻蚀产物偏硅酸浓度梯度不断加大,致使刻蚀工艺面临刻蚀选择性低、氧化物回沾等问题。针对上述3D NAND湿法刻蚀问题,结合表征和动力学实验,获得了有无偏硅酸影响的磷酸刻蚀Si_(3)N_(4)和SiO_(2)动力学模型。结果显示Si_(3)N_(4)刻蚀过程是水和磷酸等含氧亲核试剂对Si原子的亲核攻击过程,磷酸刻蚀Si_(3)N_(4)和SiO_(2)的反应活化能分别为60.71 kJ·mol^(-1)和66.90 kJ·mol^(-1),亲核试剂破坏Si—O键所需能量高于Si—N键。包含偏硅酸影响的Si_(3)N_(4)和SiO_(2)刻蚀动力学显示偏硅酸浓度越高Si_(3)N_(4)和SiO_(2)的刻蚀速率越小,并且SiO_(2)刻蚀速率对偏硅酸浓度的变化更敏感。本工作的研究结果可为3D NAND磷酸湿法刻蚀工艺的设计优化提供一定的基础数据和理论认识。 展开更多
关键词 3D NAND闪存 湿法刻蚀 氮化硅 氧化硅 偏硅酸 化学反应 动力学 动力学模型
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一款新型闪存转换层的设计与优化
9
作者 荆坤坤 汪丹丹 +3 位作者 纪启国 陈芳 唐晓菀 朱倩 《延边大学学报(自然科学版)》 2025年第1期83-87,共5页
为了降低闪存转换层对内存资源的占用,设计了一款新型的闪存转换层算法,该算法包含负载均衡、扇区映射、垃圾回收、坏块管理等模块.实验表明,该算法在运行时所需内存大小与用户使用时配置的情况有关,其中最大所需内存取决于闪存包含的... 为了降低闪存转换层对内存资源的占用,设计了一款新型的闪存转换层算法,该算法包含负载均衡、扇区映射、垃圾回收、坏块管理等模块.实验表明,该算法在运行时所需内存大小与用户使用时配置的情况有关,其中最大所需内存取决于闪存包含的所有映射信息的大小,最小所需内存为132字节;因此,该设计在嵌入式应用场景中具有良好的潜在应用价值。 展开更多
关键词 Nand Flash FTL 负载均衡 物联网 地址映射
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关键核心技术解构及其突破机理:基于光刻机与3D NAND闪存芯片的比较研究
10
作者 苗圃 张晓燕 《中国科技论坛》 北大核心 2025年第12期62-71,共10页
突破关键核心技术是我国实现科技自立自强的战略举措。通过分析上海微电子突破90纳米光刻机与长江存储突破3D NAND闪存芯片的典型案例,解构关键核心技术,揭示突破机理。研究发现:关键核心技术的构成涉及9种技术类型,由技术结构与突破路... 突破关键核心技术是我国实现科技自立自强的战略举措。通过分析上海微电子突破90纳米光刻机与长江存储突破3D NAND闪存芯片的典型案例,解构关键核心技术,揭示突破机理。研究发现:关键核心技术的构成涉及9种技术类型,由技术结构与突破路径两个维度交叉结合确定,技术结构包括原理知识、设计模式、制造工艺,突破路径包括外围模块高端渗透、关键模块重点突破、架构规则颠覆重构。关键核心技术的突破机理由5类技术演进单元组成,分别为理论驱动单元、反馈迭代单元、技术跃迁单元、协同支撑单元、架构升级单元,这些单元呈现了技术类型之间最基本的关系,决定了技术突破机理的构成形式。此外,5类技术演进单元分别代表知识传导流、知识反馈流、知识跃迁流、知识协同流、知识重组流,揭示了技术积累、反馈、跃迁、协同、重构的机制。 展开更多
关键词 关键核心技术 解构 技术突破机理 光刻机 3D NAND闪存芯片
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3D NAND FLASH存储器辐射效应研究进展及展望
11
作者 向爽 张国和 +2 位作者 李洋 白豪杰 贺朝会 《微电子学与计算机》 2025年第10期85-100,共16页
相较于传统平面FLASH架构,引入垂直结构的3D NAND FLASH存储器显著提升了存储密度,有效缓解了工艺尺寸持续微缩的物理限制,在航天电子领域展现出广阔应用前景。然而,三维结构也带来了新的空间可靠性问题,使得三维堆叠器件表现出区别于... 相较于传统平面FLASH架构,引入垂直结构的3D NAND FLASH存储器显著提升了存储密度,有效缓解了工艺尺寸持续微缩的物理限制,在航天电子领域展现出广阔应用前景。然而,三维结构也带来了新的空间可靠性问题,使得三维堆叠器件表现出区别于平面器件的辐射响应机制。综述了3D NAND FLASH存储器辐射效应的研究现状,介绍了空间辐射环境下3D NAND FLASH的总剂量效应与单粒子效应(重离子、质子、中子)的研究进展,分析了涉及的辐射损伤机理和性能退化规律。结果表明,三维结构设计在一定程度上提高了器件的抗总剂量效应和单粒子效应能力。重点探讨了三维结构特有的辐射响应现象,包括总剂量辐射响应在垂直堆叠层结构中的“U”型非均匀变化、重离子效应中阈值电压的双次级峰分布等。最后,基于3D NAND FLASH的发展趋势,对先进NAND FLASH(尤其是面向超高堆叠层数和三维封装微模组方向发展的器件)辐射效应未来的研究方向和抗辐射加固思路进行了展望。 展开更多
关键词 3D NAND FLASH存储器 总剂量效应 单粒子效应 损伤机理
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电荷俘获型3D NAND闪存边缘字线可靠性优化方法
12
作者 谭家乐 许旭晗 +2 位作者 宣吴丽娜 张俊杰 曹炳尧 《计算机测量与控制》 2025年第6期200-205,239,共7页
3D NAND闪存凭借其高存储密度、高性能等优点,在众多领域得到广泛应用;然而,在3D NAND闪存块不完全编程时,其内部字线与边缘字线之间的保留错误特征存在显著差异,这对数据存储的可靠性构成了严重威胁;为应对这一挑战,提出了一种适用于... 3D NAND闪存凭借其高存储密度、高性能等优点,在众多领域得到广泛应用;然而,在3D NAND闪存块不完全编程时,其内部字线与边缘字线之间的保留错误特征存在显著差异,这对数据存储的可靠性构成了严重威胁;为应对这一挑战,提出了一种适用于边缘字线的4-8 LC方法;该方法将TLC闪存的8种阈值电压状态均分为4组,组内两种状态对应的信息编码的汉明距离需为1;分组后,将与擦除态同组的另一阈值电压状态的闪存单元编程至擦除态,其余3组中处于较低阈值电压状态的闪存单元编程为同组中的另一状态;随后进行数据保留实验并读取误码信息;实验结果显示,在闪存块历经3 000次P/E循环,并在常温下数据保留一年的条件下,边缘字线的平均保留错误数量达到了内部字线的2.97倍,所提出的4-8 LC方法使边缘字线的低页和高页误码率分别降低了99.7%和99.9%,提升可靠性的效果是EP方法的1.74倍。 展开更多
关键词 3D NAND闪存 边缘字线 保留错误 4-8 LC
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基于GD32的低功耗、大容量存储器设计
13
作者 刘利鹏 任勇峰 王继贤 《集成电路与嵌入式系统》 2025年第2期75-81,共7页
针对飞行器嵌入式系统对低功耗、高效数据存储解决方案的需求,设计并实现了一种基于GD32微控制器的存储系统,以解决传统基于FPGA的存储系统在高成本、高功耗和技术依赖方面的局限性。本研究采用GD32F470VGT6作为主控单元,结合EXMC接口... 针对飞行器嵌入式系统对低功耗、高效数据存储解决方案的需求,设计并实现了一种基于GD32微控制器的存储系统,以解决传统基于FPGA的存储系统在高成本、高功耗和技术依赖方面的局限性。本研究采用GD32F470VGT6作为主控单元,结合EXMC接口连接外部存储器NAND Flash,利用USBHS进行数据通信。描述了NAND Flash坏块管理和存储逻辑以及低功耗模式管理。测试结果表明,在执行存储操作时,存储器功耗约为70 mA,平均存储速率达到10.6 MB/s,并且传输数据准确无误。 展开更多
关键词 嵌入式系统 GD32F470VGT6 EXMC NAND Flash 数据存储
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基于NAND Flash的ECC校验
14
作者 朱振麟 焦新泉 《电子器件》 2025年第5期1008-1012,共5页
针对NAND Flash在数据存储过程中出现的小几率“位错误”,对数据存储的可靠性带来很大影响的问题,提出基于汉明码的ECC数据检测及纠正算法,可以检测2 bit错误且检测并纠正1 bit错误。选用三星生产的K9WAG08U1A,该芯片一页容量为2 kbyte... 针对NAND Flash在数据存储过程中出现的小几率“位错误”,对数据存储的可靠性带来很大影响的问题,提出基于汉明码的ECC数据检测及纠正算法,可以检测2 bit错误且检测并纠正1 bit错误。选用三星生产的K9WAG08U1A,该芯片一页容量为2 kbyte,以一页为单位生成ECC校验码,增强可行性的同时可以实现1 bit/2 kbyte的纠错及2 bit/2 kbyte的检错能力。针对传统校验码生成速度慢,影响数据传输速率,提出校验码的预生成机制。测试结果表明,该算法可行性强,提高了数据传输的速率及可靠性。 展开更多
关键词 NAND Flash 小几率 ECC校验码 可靠性
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3D NAND闪存多维度噪声耦合错误检测及信道建模
15
作者 李应钊 朱广平 韩国军 《广东工业大学学报》 2025年第6期86-94,共9页
高性能、高存储密度且低功耗的3D NAND闪存已逐渐成为主流数据存储介质。然而,其可靠性受到擦写寿命有限、数据保持能力不足、读干扰以及层间差异等噪声因素的显著影响。针对这一问题,本文开展了3D NAND闪存的实际加噪测试实验,系统研... 高性能、高存储密度且低功耗的3D NAND闪存已逐渐成为主流数据存储介质。然而,其可靠性受到擦写寿命有限、数据保持能力不足、读干扰以及层间差异等噪声因素的显著影响。针对这一问题,本文开展了3D NAND闪存的实际加噪测试实验,系统研究了不同噪声耦合条件下的误码率表现。通过对测试数据的深入分析,提取了对应的阈值电压分布特征,并构建了适应不同噪声条件的参考电压模型,以优化闪存的可靠性。实验结果表明,该参考电压模型可显著降低3D NAND闪存在噪声干扰下的误码率,与默认参考电压相比,误码率降低高达46%。本文提出的参考电压模型为提升3D NAND闪存在噪声环境下的存储可靠性提供了有效技术手段,有望推动其在高可靠性存储领域的广泛应用。 展开更多
关键词 3D NAND闪存 参考电压 固态硬盘技术 可靠性 闪存测试 信道建模 阈值电压分布
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ROTS场景下NAND Flash的校验算法研究
16
作者 肖平 俞伟国 +2 位作者 王承恩 祝鹏 段俊欢 《电工技术》 2025年第22期276-279,共4页
为避免NAND Flash存在的多位错误缺陷对二次设备搭载的ROTS的运行造成影响,提出了一种适用于ROTS场景下的ECC校验算法。结合二次设备存储和处理的数据种类多、数据量大的特点,移植了YAFFS2文件管理系统对数据进行管理,提高了存储介质的... 为避免NAND Flash存在的多位错误缺陷对二次设备搭载的ROTS的运行造成影响,提出了一种适用于ROTS场景下的ECC校验算法。结合二次设备存储和处理的数据种类多、数据量大的特点,移植了YAFFS2文件管理系统对数据进行管理,提高了存储介质的寿命和可靠性;基于YAFFS2系统和传统的BCH纠错码,优化设计了BCH的编译码模块,确保多位错误的准确检错和纠错。试验结果表明,基于YAFFS2文件管理系统的ECC纠错算法不仅可实现对错误位的检测和纠正,还能保证数据读取速率的降幅不超过1%,可满足ROTS场景下的使用需求。 展开更多
关键词 NAND Flash ECC校验 BCH算法 位错误
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TSOP封装类型NAND Flash引脚镀层分析与改进研究
17
作者 戴博 李岩 +2 位作者 毛飘 何欣谕 李瑞麟 《真空电子技术》 2025年第4期26-31,共6页
针对NAND Flash器件焊点质量不稳定及产品无法通过可靠性测试的问题,利用扫描电子显微镜SEM和能谱仪EDS对该器件的引脚材质及镀层进行微观分析,结果表明,引脚表面镀层附着一层氧化膜是导致引脚焊点可靠性问题的关键因素。基于此,分别从... 针对NAND Flash器件焊点质量不稳定及产品无法通过可靠性测试的问题,利用扫描电子显微镜SEM和能谱仪EDS对该器件的引脚材质及镀层进行微观分析,结果表明,引脚表面镀层附着一层氧化膜是导致引脚焊点可靠性问题的关键因素。基于此,分别从助焊剂、预处理溶剂及处理温度等关键工艺展开对比试验。最终确定了器件引脚预处理方法的最佳参数,有效提升了NAND Flash器件引脚焊点的长期可靠性。 展开更多
关键词 NAND Flash SEM/EDS数据分析 可焊性 焊点 可靠性
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基于LVDS的高速数据存储系统优化设计 被引量：5
18
作者 程洪涛 赵冬青 +2 位作者 储成群 袁小康 杨文豪 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2018年第5期74-77,99,共5页
针对数据存储系统数据写入速率较低、不能与遥测系统的数据传输速率相匹配及数据回收读数存在回收速率慢、传输距离不足等问题,提出了采用LVDS接口及NAND FLASH的高速存储系统设计方案。系统以FPGA作为控制核心,采用双平面交替编程、流... 针对数据存储系统数据写入速率较低、不能与遥测系统的数据传输速率相匹配及数据回收读数存在回收速率慢、传输距离不足等问题,提出了采用LVDS接口及NAND FLASH的高速存储系统设计方案。系统以FPGA作为控制核心,采用双平面交替编程、流水线式操作方式提高数据写入速率;采用LVDS高速数据接口替代传统的并行数据回收读数接口,并配合数据均衡器及驱动器解决回收读数速率低及传输距离不足的问题;对命令识别方式及数据写入时序控制进行了优化设计。经试验验证,优化后的数据存储系统写入速率可以达到60 MB/s,可以满足数据实时高速存储的要求,数据回收方便,性能稳定、可靠。 展开更多
关键词 nand-flash存储器 现场可控门阵列 LVDS接口 高速存储
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Bootloader面向不同结构Flash的实现 被引量：16
19
作者 李毅 李连云 +3 位作者 张伟宏 张晓先 郑果 李健 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期82-83,86,共3页
阐述Bootloader实现的目的、过程、原理,结合三星S3c2410开发板的硬件特性和项目的具体需求,设计开发合理高效的启动模块,并衍生出Bootloader在NAND Flash与NOR Flash下的2种不同加载方式,针对NAND Flash和NOR Flash实现完整的启动引导... 阐述Bootloader实现的目的、过程、原理,结合三星S3c2410开发板的硬件特性和项目的具体需求,设计开发合理高效的启动模块,并衍生出Bootloader在NAND Flash与NOR Flash下的2种不同加载方式,针对NAND Flash和NOR Flash实现完整的启动引导程序。 展开更多
关键词 启动引导程序 嵌入式系统 三星ARM9处理器 NAND闪存 NOR闪存
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基于NAND Flash的海量存储器的设计 被引量：19
20
作者 舒文丽 吴云峰 +2 位作者 孙长胜 吴华君 唐斌 《电子器件》 CAS 北大核心 2012年第1期107-110,共4页
针对存储系统中对存储容量和存储带宽的要求不断提高,设计了一款高性能的超大容量数据存储器。该存储器采用NAND Flash作为存储介质,单板载有144片芯片,分为3组,每组48片,降低了单片的存储速度,实现了576 Gbyte的海量存储。设计采用FPG... 针对存储系统中对存储容量和存储带宽的要求不断提高,设计了一款高性能的超大容量数据存储器。该存储器采用NAND Flash作为存储介质,单板载有144片芯片,分为3组,每组48片,降低了单片的存储速度,实现了576 Gbyte的海量存储。设计采用FPGA进行多片NAND Flash芯片并行读写来提高读写带宽,使得大容量高带宽的存储器得以实现。针对NAND Flash存在坏块的缺点,提出了相应的管理方法,保证了数据的可靠性。 展开更多
关键词 NAND FLASH 海量存储 并行操作 坏块管理 ECC校验
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