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TiN/Si_3N_4纳米多层膜的生长结构与超硬效应 被引量:13
1
作者 胡晓萍 董云杉 +2 位作者 孔明 李戈扬 顾明元 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期263-267,274,共6页
采用磁控溅射方法制备了一系列不同Si3N4和TiN层厚的TiN/Si3N4纳米多层膜,采用X射线衍射、高分辨电子显微分析和微力学探针表征了薄膜的微结构和力学性能,研究了Si3N4和TiN层厚对多层膜生长结构和力学性能的影响。结果表明:当Si3N4层厚... 采用磁控溅射方法制备了一系列不同Si3N4和TiN层厚的TiN/Si3N4纳米多层膜,采用X射线衍射、高分辨电子显微分析和微力学探针表征了薄膜的微结构和力学性能,研究了Si3N4和TiN层厚对多层膜生长结构和力学性能的影响。结果表明:当Si3N4层厚小于0.7 nm时,原为非晶的Si3N4在TiN的模板作用下晶化并与之形成共格外延生长的柱状晶,使TiN/Si3N4多层膜产生硬度和弹性模量异常升高的超硬效应。最高硬度和弹性模量分别为34.0 GPa和353.5 GPa。当其厚度大于1.3 nm时,Si3N4呈现非晶态,阻断了TiN的外延生长,多层膜的力学性能明显降低。此外,TiN层厚的增加也会对TiN/Si3N4多层膜的生长结构和力学性能造成影响,随着TiN层厚的增加,多层膜的硬度和弹性模量缓慢下降。 展开更多
关键词 Tin/si3n4纳米多层膜 si3n4晶化 外延生长 超硬效应
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h-BN/Si_3N_4陶瓷复合材料的断裂行为及断裂韧性 被引量:8
2
作者 魏大庆 孟庆昌 贾德昌 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期229-232,共4页
以亚微米级α-Si3N4和h-BN粉末为原料,Y2O3-Al2O3为助烧剂,采用热压烧结制备了h-BN/Si3N4陶瓷复合材料.研究3h-BN含量对h-BN/Si3N4陶瓷复合材料断裂韧性及其断裂行为的影响.结果表明:随着h-BN含量增加,柱状β-Si3N4晶粒的直径和长径比... 以亚微米级α-Si3N4和h-BN粉末为原料,Y2O3-Al2O3为助烧剂,采用热压烧结制备了h-BN/Si3N4陶瓷复合材料.研究3h-BN含量对h-BN/Si3N4陶瓷复合材料断裂韧性及其断裂行为的影响.结果表明:随着h-BN含量增加,柱状β-Si3N4晶粒的直径和长径比均下降;未加h-BN时,β-Si3N4陶瓷以沿晶断裂为主,添加体积含量为6%和8%的h-BN后,复合材料出现明显的沿晶和穿晶断裂,而添加10%h-BN的陶瓷复合材料则以沿晶断裂为主.随着h-BN含量增加,h-BN/Si3N4陶瓷复合材料的断裂韧性下降,但由于h-BN颗粒对裂纹扩展的影响,因而其下降程度不大. 展开更多
关键词 h-Bn/si3n4陶瓷复合材料 显微结构 β-si3n4晶粒 断裂行为 断裂韧性
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h-BN/Si3N4陶瓷复合材料的力学和摩擦性能 被引量:4
3
作者 孟庆昌 魏大庆 贾德昌 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期558-561,共4页
以亚微米级α-Si3N4,h-BN粉末为原料和Y2O3-Al2O3为助烧剂,采用热压烧结法制备了h-BN/Si3N4陶瓷复合材料.随着h-BN含量增加,柱状β-Si3N4晶粒的直径和长径比均减小,h-BN/Si3N4陶瓷复合材料的抗弯强度、断裂韧性略有下降,而弹性模量和硬... 以亚微米级α-Si3N4,h-BN粉末为原料和Y2O3-Al2O3为助烧剂,采用热压烧结法制备了h-BN/Si3N4陶瓷复合材料.随着h-BN含量增加,柱状β-Si3N4晶粒的直径和长径比均减小,h-BN/Si3N4陶瓷复合材料的抗弯强度、断裂韧性略有下降,而弹性模量和硬度明显下降.添加10ψ/%h-BN后,弹性模量从293.5 GPa下降到236.6 GPa,同时硬度从14.5 GPa下降到10.9 GPa.随着h-BN含量增加,h-BN/Si3N4陶瓷复合材料的摩擦系数略有下降. 展开更多
关键词 h-Bn/si3n4陶瓷复合材料 微观组织结构 力学性能 摩擦性能
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造孔剂含量对多孔BN/Si_(3)N_(4)复合陶瓷结构和性能的影响 被引量:6
4
作者 汪长安 董薇 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第S1期440-443,共4页
以Si_(3)N_(4)为基体、BN为添加剂,采用添加PMMA造孔剂法制备出具有优良力学性能和介电性能的多孔BN/Si_(3)N_(4)复合陶瓷。通过对材料的物相组成、显微结构、气孔率、孔径分布、力学及介电性能的表征和测试,系统分析了造孔剂含量对材... 以Si_(3)N_(4)为基体、BN为添加剂,采用添加PMMA造孔剂法制备出具有优良力学性能和介电性能的多孔BN/Si_(3)N_(4)复合陶瓷。通过对材料的物相组成、显微结构、气孔率、孔径分布、力学及介电性能的表征和测试,系统分析了造孔剂含量对材料结构和性能的影响。结果表明:随着造孔剂含量的增加,多孔BN/Si_(3)N_(4)复合陶瓷的气孔率增大,抗弯强度减小,介电常数减小,而介电损耗呈微弱的上升趋势。当造孔剂粒径为2μm,含量为5%(质量分数,下同)时,制备出气孔率达到40.8%,抗弯强度达到(114.67±10.73)MPa,介电常数为4.0,介电损耗为3.3×10^(-3)的高性能多孔BN/Si_(3)N_(4)复合陶瓷透波材料。 展开更多
关键词 Bn/si3n4 多孔陶瓷 造孔剂法 介电性能 力学性能
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[CrAlSiN/Si_3N_4]_n多层膜的性能和抗氧化行为的研究 被引量:7
5
作者 王来森 刘小龙 +1 位作者 张魁 彭栋梁 《金属功能材料》 CAS 2016年第4期17-23,共7页
采用反应溅射的方法制备了一系列不同CrAlSiN层厚度的[(CrAlSiN)d/(Si3N4)0.33nm]n多层膜,并系统研究了CrAlSiN层厚度对其结构、形貌、力学性能和抗氧化行为的影响。研究表明,当CrAlSiN层厚度为3.2nm时,[(CrAlSiN)d/(Si3N4)0.33nm]n纳... 采用反应溅射的方法制备了一系列不同CrAlSiN层厚度的[(CrAlSiN)d/(Si3N4)0.33nm]n多层膜,并系统研究了CrAlSiN层厚度对其结构、形貌、力学性能和抗氧化行为的影响。研究表明,当CrAlSiN层厚度为3.2nm时,[(CrAlSiN)d/(Si3N4)0.33nm]n纳米多层膜具有最优异的力学性能,此时硬度高达34GPa。随后在空气气氛下用高温管式炉对[(CrAlSiN)d/(Si3N4)0.33nm]n多层膜进行氧化实验,氧化温度为700、800、900℃,保温时间2h。实验结果表明,800℃氧化处理后,多层膜仍能保持28.5GPa的硬度值,显示出优秀的抗氧化能力。 展开更多
关键词 [CrAlsin/si3n4]n多层膜 硬质涂层 磁控溅射 力学性能 抗氧化性能
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TiN/Si_3N_4复相陶瓷电火花线切割加工效率的正交试验研究 被引量:1
6
作者 张明 王海涛 《电加工与模具》 2008年第1期14-16,共3页
通过对TiN/Si3N4复相陶瓷电火花线切割加工电参数的优化试验,找出影响加工效率的主要因素和较优的参数组合,为进一步开发TiN/Si3N4复相陶瓷材料的加工及应用提供依据。
关键词 电火花线切割加工 Tin/si3n4复相陶瓷 加工效率 正交试验
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AlN/Si_3N_4纳米多层膜的显微结构及力学性能
7
作者 喻利花 董松涛 +1 位作者 董师润 许俊华 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期119-123,共5页
采用射频磁控溅射方法制备了AlN、Si3N4单层薄膜和调制比为1的不同调制周期的AlN/Si3N4纳米多层膜。薄膜采用X射线衍射仪、X射线反射仪、高分辨率透射电子显微镜、原子力显微镜和纳米压痕仪进行表征。结果表明:AlN是多晶,Si3N4呈非晶,... 采用射频磁控溅射方法制备了AlN、Si3N4单层薄膜和调制比为1的不同调制周期的AlN/Si3N4纳米多层膜。薄膜采用X射线衍射仪、X射线反射仪、高分辨率透射电子显微镜、原子力显微镜和纳米压痕仪进行表征。结果表明:AlN是多晶,Si3N4呈非晶,多层膜的界面非常尖锐;单层膜及多层膜均呈岛状生长,多层膜的表面粗糙度介于两单层膜之间,并且随着调制周期的增加,粗糙度下降;多层膜在所研究的层厚范围内,硬度值比根据混合法则计算得到的值高3.5GPa左右,没有出现超硬效应。 展开更多
关键词 Aln/si3n4纳米多层膜 显微结构 表面粗糙度 硬度
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(AlCrTiZrNb)N/Si_3N_4纳米多层膜的微观结构和力学性能研究 被引量:1
8
作者 翟晴晴 李伟 +5 位作者 刘平 张柯 马凤仓 刘新宽 陈小红 何代华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期4142-4147,共6页
采用多靶磁控溅射系统,使用AlCrTiZrNb合金靶和Si靶制备了不同Si_3N_4厚度的(AlCrTiZrNb)N/Si_3N_4纳米多层膜,样品基底为单晶硅。通过X射线衍射仪(XRD)、高透射电子显微镜(HRTEM)、扫描电子显微镜(SEM)和纳米压痕仪对样品进行微观组织... 采用多靶磁控溅射系统,使用AlCrTiZrNb合金靶和Si靶制备了不同Si_3N_4厚度的(AlCrTiZrNb)N/Si_3N_4纳米多层膜,样品基底为单晶硅。通过X射线衍射仪(XRD)、高透射电子显微镜(HRTEM)、扫描电子显微镜(SEM)和纳米压痕仪对样品进行微观组织的表征和力学性能的测量。实验结果表明,随着Si_3N_4层厚度的增加,样品的结晶度和力学性能均先增加后减小,XRD图谱中出现面心立方相结构。在Si_3N_4层厚度为0.5 nm时,(111)衍射峰强度达到最大值。说明薄膜结晶度最强,薄膜的硬度和弹性模量也达到最高值,分别为30.6,298 GPa。通过对样品的横截面的形貌观察,发现当Si_3N_4层厚度为0.5 nm时,多层膜的多层结构生长良好。在(AlCrTiZrNb)N层的模板作用下,Si_3N_4层从非晶态转变为面心立方结构,与(AlCrTiZrNb)N层之间形成共格外延生长结构,(AlCrTiZrNb)N/Si_3N_4纳米多层膜的强化可归因于两调制层之间形成的共格界面。 展开更多
关键词 (AlCrTiZrnb)n/si3n4纳米多层膜 微观结构 力学性能 共格外延生长
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TiN/Si_3N_4纳米复相陶瓷电加工表面质量的正交试验研究 被引量:1
9
作者 张成茂 张明 +1 位作者 靳喜海 高濂 《模具工业》 北大核心 2008年第4期72-75,共4页
通过对TiN/Si3N4纳米复相陶瓷电火花线切割加工电参数的优化试验,找出了影响表面粗糙度值的主要因素和较优组合,为进一步开发TiN/Si3N4纳米复相陶瓷材料的应用提供了依据。
关键词 电火花线切割 Tin/si3n4纳米复相陶瓷 表面粗糙度值 正交试验
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Preparation of a halogen-free P/N/Si flame retardant monomer with reactive siloxy groups and its application in cotton fabrics 被引量:3
10
作者 Peihua Zhao Kuankuan Xiong +1 位作者 Wentao Wang Yaqing Liu 《Chinese Journal of Chemical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第9期1322-1328,共7页
A novel halogen-free phosphorus–nitrogen–silicon flame retardant monomer with reactive siloxy groups,N-(diphenylphosphino)-1,1-diphenyl-N-(3-(triethoxysilyl)propyl) phosphinamine(DPTA) has been synthesized and was a... A novel halogen-free phosphorus–nitrogen–silicon flame retardant monomer with reactive siloxy groups,N-(diphenylphosphino)-1,1-diphenyl-N-(3-(triethoxysilyl)propyl) phosphinamine(DPTA) has been synthesized and was applied to the fire-resistant finishing of cotton fabrics. The molecular structure of DPTA has been well characterized by elemental analysis, FTIR,1H NMR, and ^(31)P NMR spectroscopies. The chemically-grafted cotton fabrics, which were treated with 25 wt% DPTA, were obtained and confirmed by attenuated total reflectance Fourier infrared spectroscopy(ATR-FTIR). The flame retardancy and thermal property of the treated samples were investigated by limited oxygen index(LOI), vertical flammability test(VFT), thermogravimetric analysis(TGA) and microscale combustion calorimeter(MCC). It is noted that in vertical flammability test, the treated samples extinguished immediately upon removing the ignition source, whereas the untreated one was completely burned out. Furthermore, TGA and MCC tests revealed that the treated samples produced a high char formation and a low heated release during combustion. The surface morphology of the untreated and treated samples and the char residues after LOI tests were observed by scanning electron microscopy(SEM). Therefore, all the results showed that the treated cotton fabrics with 25 wt% DPTA apparently improved the fireresistant and thermal performances. 展开更多
关键词 P/n/si flame retardant Synthesis Cotton fabrics Flame retardancy
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反应烧结法制备BN/Si3N4复相陶瓷的结构和性能 被引量:1
11
作者 李永伟 唐学原 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期317-322,共6页
采用在硅(Si)粉中添加硼(B)粉,利用反应烧结法制备氮化硼/氮化硅(BN/Si_3N_4)复相陶瓷,分别采用X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、扫描电子显微镜对其相组成和断面形貌进行表征,并采用同轴法分析其介电性能.结果表明:成型压强的增加会导... 采用在硅(Si)粉中添加硼(B)粉,利用反应烧结法制备氮化硼/氮化硅(BN/Si_3N_4)复相陶瓷,分别采用X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、扫描电子显微镜对其相组成和断面形貌进行表征,并采用同轴法分析其介电性能.结果表明:成型压强的增加会导致样品氮化率下降;随着氮化温度的升高,样品氮化率增大;随着B添加量的增加,样品的氮化率先升高后降低.采用12 MPa成型且B添加量为10%(质量分数)时,经1 450℃氮化处理制得的陶瓷以β-Si_3N_4相为主,孔隙率为40.12%,在2~18GHz频率下,其介电常数为3.27~3.58,介电损耗角正切值为1.10×10^(-3)~1.12×10^(-2).B的加入有效地改善了Si_3N_4陶瓷的介电性能,有望应用于透波材料领域. 展开更多
关键词 反应烧结 Bn/si3n4复相陶瓷 氮化率 介电性能
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cBN/SiN-p异质结的电学性质研究
12
作者 陈光华 邓金祥 +3 位作者 宋雪梅 李茂登 于春娜 冯贞健 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期483-486,共4页
用射频溅射系统成功制备出 c BN/ Si N-p异质结 ,并系统研究了其电学性质。掺硫 (S)的 n型 c-BN薄膜用 1 3 .5 6MHz射频溅射系统沉积在 P型 Si(1 0 0 ) (8~ 1 5 Ω·cm)衬底上 ,靶材为 h-BN靶 (纯度达 99.99% )。溅射气体为氩气和... 用射频溅射系统成功制备出 c BN/ Si N-p异质结 ,并系统研究了其电学性质。掺硫 (S)的 n型 c-BN薄膜用 1 3 .5 6MHz射频溅射系统沉积在 P型 Si(1 0 0 ) (8~ 1 5 Ω·cm)衬底上 ,靶材为 h-BN靶 (纯度达 99.99% )。溅射气体为氩气和氮气混合而成 ,固态硫 (S)通过加热蒸发混入工作气体 ,改变硫的加热温度可改变硫的掺杂剂量。为了测量异质结的电学性质 ,用真空蒸镀法在异质结表面蒸镀了 1 .5 mm× 2 .0 mm的铝电极。实验结果表明 ,c BN/ Si N-p异质结的 I-V曲线具有明显的整流特性 ,其正向导电特性的拟合结果表明异质结的电流输运符合安德森理论 ,c BN/ Si N-p异质结的 C-V曲线也和理想异质结的 C-V特性非常接近。得到的 c BN/ Si N-p异质结的自建势为 4.71 V,c-BN薄膜层中的施主浓度为 6.5 0× 1 0 1 4/ cm3。 展开更多
关键词 立方氮化硼/硅n-p异质结 伏-安特性 电容-电压特性
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生物基改性纳米P-N-Si协效阻燃聚氨酯泡沫的制备与研究 被引量:1
13
作者 蔡军 陈鑫宇 +4 位作者 谷晓昱 孙军 李洪飞 张胜 范瑞兰 《塑料科技》 北大核心 2025年第1期61-67,共7页
硬质聚氨酯泡沫(PU)是一种主链含有大量氨基甲酸酯基(—NHCOO—)重复结构单元的有机高分子材料,遇火极易被点燃。为改善其燃烧性能,研究以m-SiO_(2)为硅源,植酸(PA)为酸源,4-氨基吡啶(4-AP)为氮源,同时选用过渡金属离子Zn^(2+)为催化成... 硬质聚氨酯泡沫(PU)是一种主链含有大量氨基甲酸酯基(—NHCOO—)重复结构单元的有机高分子材料,遇火极易被点燃。为改善其燃烧性能,研究以m-SiO_(2)为硅源,植酸(PA)为酸源,4-氨基吡啶(4-AP)为氮源,同时选用过渡金属离子Zn^(2+)为催化成炭剂,采用逐层改性的方式制备生物基改性P-N-Si系阻燃剂m-SKAPA-Zn。按照质量分数5%、10%、15%的比例添加到PU中,制备阻燃PU复合材料。结果表明:随着m-SKAPA-Zn添加量的增加,阻燃性能整体呈上升趋势,添加质量分数15%m-SKAPA-Zn的PU材料,极限氧指数(LOI)提高至22.6%,UL-94测试可达V-1级,烟密度等级降低37.5%。m-SKAPA-Zn表现出较好的阻燃性和抑烟效果。 展开更多
关键词 硬质聚氨酯泡沫 介孔纳米二氧化硅(m-siO_(2)) 植酸(PA) P-n-si阻燃剂
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Si_(3)N_(4)基底TiC薄膜的制备及其摩擦学性能的研究
14
作者 王贺 褚健翔 +3 位作者 闫广宇 吴玉厚 陈思博 戴广远 《材料保护》 2025年第8期147-154,共8页
为解决Si_(3)N_(4)陶瓷轴承在使用过程中因其高摩擦系数引起的发热问题,采用磁控溅射法在Si_(3)N_(4)陶瓷轴承表面制备了4种碳含量(原子分数)分别为38.84%、63.90%、69.23%、78.04%的TiC薄膜,研究了薄膜碳含量对薄膜微观结构和性能的影... 为解决Si_(3)N_(4)陶瓷轴承在使用过程中因其高摩擦系数引起的发热问题,采用磁控溅射法在Si_(3)N_(4)陶瓷轴承表面制备了4种碳含量(原子分数)分别为38.84%、63.90%、69.23%、78.04%的TiC薄膜,研究了薄膜碳含量对薄膜微观结构和性能的影响;利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)分析薄膜的表面、截面形貌及薄膜成分;利用纳米划痕实验、摩擦磨损实验分析薄膜的膜基结合力及摩擦学性能。结果表明:TiC薄膜拥有无定形碳包裹着晶粒的结构;随着碳元素含量的增加,TiC薄膜显示出(111)择优取向生长趋势并慢慢转变为无明显择优取向生长;当碳含量为63.90%(原子分数)时,TiC薄膜拥有最高的膜基结合力26.22 N。与Si_(3)N_(4)的摩擦系数0.419相比,当碳含量为78.04%(原子分数)时,TiC薄膜拥有比Si_(3)N_(4)基底更低的摩擦系数0.047;在Si_(3)N_(4)陶瓷轴承表面制备TiC薄膜可以有效提高结合力并降低摩擦系数。 展开更多
关键词 磁控溅射法 TiC薄膜 si_(3)n_(4)基底 碳含量 膜基结合力 摩擦学性能
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废弃粽叶制备N/O/Si自掺杂多孔碳及其电化学性能研究
15
作者 申昌健 唐琴 +2 位作者 陈杨 谭罗莉 陈先勇 《湖北民族大学学报(自然科学版)》 2025年第3期320-326,共7页
为满足市场对低成本超级电容器电极材料日益增长的需求,以废弃的粽子包裹叶为前驱体,采用简便的一步KHCO_(3)活化法,在温度为700℃和少量活化剂(KHCO_(3)与粽子包裹叶的质量比为1∶1)条件下制备了N/O/Si自掺杂分级多孔碳,利用所制备的... 为满足市场对低成本超级电容器电极材料日益增长的需求,以废弃的粽子包裹叶为前驱体,采用简便的一步KHCO_(3)活化法,在温度为700℃和少量活化剂(KHCO_(3)与粽子包裹叶的质量比为1∶1)条件下制备了N/O/Si自掺杂分级多孔碳,利用所制备的多孔碳组装对称超级电容器。分析该材料的微观结构并对其电化学性能进行了测试。结果表明,得益于所制备多孔碳的发达孔隙结构和N、O、Si异质原子的共掺杂,超级电容器在0.1 A/g的电流密度下具有142.4 F/g的比电容;在2.0 A/g的电流密度下进行充放电循环10000次后,比电容保持率为85.94%,表现出优异的循环性能。该研究结果对废弃粽子包裹叶的综合再利用及多种异质元素掺杂多孔碳的制备及应用提供了新思路。 展开更多
关键词 生物质废弃物 多孔碳 KHCO 3活化 n/O/si共掺杂 超级电容器
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SnSeS/n-Si异质结纵向光伏特性的实验研究
16
作者 任常愚 梁莉青 李尤 《黑龙江科技大学学报》 2025年第3期507-512,共6页
为获得SnSeS/n-Si异质结的纵向光伏特性,利用脉冲激光沉积技术在n型Si衬底上生长出SnSeS薄膜,通过测试其XRD确定制备薄膜的结构性质,根据测试透射光谱计算出SnSeS薄膜的带隙,研究纵向光伏电压与激光波长及功率之间的关系。结果表明:照... 为获得SnSeS/n-Si异质结的纵向光伏特性,利用脉冲激光沉积技术在n型Si衬底上生长出SnSeS薄膜,通过测试其XRD确定制备薄膜的结构性质,根据测试透射光谱计算出SnSeS薄膜的带隙,研究纵向光伏电压与激光波长及功率之间的关系。结果表明:照射光波长对于SnSeS/n-Si异质结电流-电压的影响并非是随着波长的增加而增大的,在780 nm激光照射下I-V影响最明显;其纵向光伏电压会随着激光功率的增加而达到饱和,SnSeS/n-Si异质结的纵向光伏电压在并联0.56 kΩ时响应时间约为3.7 ns,具有良好的响应速度。SnSeS/n-Si异质结纵向光伏效应显著,对于研究同类硫属化物-半导体的纵向光伏效应具有一定的借鉴意义。 展开更多
关键词 纵向光伏 SnSeS/n-si异质结 脉冲激光沉积 半导体
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具有n^(+)埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽LDMOS器件
17
作者 康怡 刘东 +2 位作者 卢山 鲁啸龙 胡夏融 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期134-140,共7页
Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n... Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n+埋层能够有效降低界面势垒宽度,增强电子隧穿效应,降低界面电阻,进一步降低比导通电阻。位于厚氧化层角落并与漏极相连的L型场板通过在SiC漂移区和厚氧化层之间产生高电场,重塑器件横向和纵向电场强度分布,将击穿点从表面转移至体内,提高击穿电压。仿真结果表明,与传统SiC LDMOS器件相比,该器件的品质因数从109.29 MW/cm^(2)提升至159.92 MW/cm^(2),提高了46.36%,进一步改善了LDMOS器件导通电阻和击穿电压之间的折中关系,器件性能得到优化。 展开更多
关键词 横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS) si/4H-siC异质结 n^(+)埋层 L型场板 功率品质因数
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Ga(X)N/Si nanoarchitecture:An emerging semiconductor platform for sunlight-powered water splitting toward hydrogen 被引量:2
18
作者 Yixin LI Sharif Md.SADAF Baowen ZHOU 《Frontiers in Energy》 SCIE EI CSCD 2024年第1期56-79,共24页
Sunlight-powered water splitting presents a promising strategy for converting intermittent and virtually unlimited solar energy into energy-dense and storable green hydrogen.Since the pioneering discovery by Honda and... Sunlight-powered water splitting presents a promising strategy for converting intermittent and virtually unlimited solar energy into energy-dense and storable green hydrogen.Since the pioneering discovery by Honda and Fujishima,considerable efforts have been made in this research area.Among various materials developed,Ga(X)N/Si(X=In,Ge,Mg,etc.)nanoarchitecture has emerged as a disruptive semiconductor platform to split water toward hydrogen by sunlight.This paper introduces the characteristics,properties,and growth/synthesis/fabrication methods of Ga(X)N/Si nanoarchitecture,primarily focusing on explaining the suitability as an ideal platform for sunlight-powered water splitting toward green hydrogen fuel.In addition,it exclusively summarizes the recent progress and development of Ga(X)N/Si nanoarchitecture for photocatalytic and photoelectrochemical water splitting.Moreover,it describes the challenges and prospects of artificial photosynthesis integrated device and system using Ga(X)N/Si nanoarchitectures for solar water splitting toward hydrogen. 展开更多
关键词 Ga(X)n/si nanoarchitecture artificial photosynthesis water splitting solar toward hydrogen
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