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GaInAs／AlInAs调制掺杂结构材料的光学性质研究
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作者 江德生 刘伟 +2 位作者 张耀辉 张永航 K.Ploog 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期121-125,共5页
研究了ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓｎ型调制掺杂结构样品的光致发光及其激发光谱。当空穴态被局域化后．二维电子气的发光线形反映了导带二维态密度的填充效应：导带两个子带填充电子。发光强度则表明，导带第二子带电子波函数在空间上... 研究了ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓｎ型调制掺杂结构样品的光致发光及其激发光谱。当空穴态被局域化后．二维电子气的发光线形反映了导带二维态密度的填充效应：导带两个子带填充电子。发光强度则表明，导带第二子带电子波函数在空间上更扩展，与空间分离的空穴产生发光复合的几率较大。激发光谱提供了样品中异质结结构直接带边附近光吸收过程的信息。 展开更多
关键词 调制掺杂结构 光学性质 砷 镓 铟 铝 外延生长
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