为分析CZTSSe薄膜太阳能电池的背电极接触特性,采用AFORS-HET(Automat for Simulation of HETerostructures)v2.5软件对CZTSSe/Mo(S,Se)2/Mo结构进行数值分析,研究CZTSSe的带隙和电子亲和能、Mo(S,Se)2界面层的厚度以及带隙对CZTSSe与M...为分析CZTSSe薄膜太阳能电池的背电极接触特性,采用AFORS-HET(Automat for Simulation of HETerostructures)v2.5软件对CZTSSe/Mo(S,Se)2/Mo结构进行数值分析,研究CZTSSe的带隙和电子亲和能、Mo(S,Se)2界面层的厚度以及带隙对CZTSSe与Mo电极的电学接触特性的影响。结果表明CZTSSe的带隙和电子亲和能的增大,使得CZTSSe/Mo(S,Se)2/Mo的欧姆接触减弱并向整流接触转变;对于带隙较窄的CZTSSe,加入界面层使CZTSSe/Mo(S,Se)2/Mo形成的欧姆接触转变为整流接触,随着界面层厚度的增大,整流接触逐渐减弱;对于带隙较宽的CZTSSe,加入2 nm的界面层使得CZTSSe/Mo(S,Se)2/Mo形成的整流接触增强,但随着界面层厚度的继续增大,整流接触减弱。当CZTSSe的带隙和电子亲和能较小时,CZTSSe/Mo(S,Se)2/Mo形成欧姆接触,控制界面层厚度为100 nm左右可以得到最优的电学接触特性。展开更多
文摘为分析CZTSSe薄膜太阳能电池的背电极接触特性,采用AFORS-HET(Automat for Simulation of HETerostructures)v2.5软件对CZTSSe/Mo(S,Se)2/Mo结构进行数值分析,研究CZTSSe的带隙和电子亲和能、Mo(S,Se)2界面层的厚度以及带隙对CZTSSe与Mo电极的电学接触特性的影响。结果表明CZTSSe的带隙和电子亲和能的增大,使得CZTSSe/Mo(S,Se)2/Mo的欧姆接触减弱并向整流接触转变;对于带隙较窄的CZTSSe,加入界面层使CZTSSe/Mo(S,Se)2/Mo形成的欧姆接触转变为整流接触,随着界面层厚度的增大,整流接触逐渐减弱;对于带隙较宽的CZTSSe,加入2 nm的界面层使得CZTSSe/Mo(S,Se)2/Mo形成的整流接触增强,但随着界面层厚度的继续增大,整流接触减弱。当CZTSSe的带隙和电子亲和能较小时,CZTSSe/Mo(S,Se)2/Mo形成欧姆接触,控制界面层厚度为100 nm左右可以得到最优的电学接触特性。
