Mini/Micro LED巨量转移关键技术与装备研究现状 被引量：1

1

作者 汤晖 廖智燊 +3 位作者 魏玉章 林志杭 董志强 张晓辉 《振动．测试与诊断》 EI CSCD 北大核心 2023年第5期839-849,1033,共12页

微型半导体发光二极管显示技术(mini/micro light emitting diode,简称Mini/Micro LED)是一种基于微型LED芯片的自发光显示技术,相较于液晶显示技术(liquid crystal display,简称LCD)和有机发光二极管显示技术(organic light‑emitting d... 微型半导体发光二极管显示技术(mini/micro light emitting diode,简称Mini/Micro LED)是一种基于微型LED芯片的自发光显示技术,相较于液晶显示技术(liquid crystal display,简称LCD)和有机发光二极管显示技术(organic light‑emitting diode,简称OLED),具有显著性能优势,被视为次世代显示技术的发展趋势。由于巨量转移技术与装备的限制,Mini/Micro LED显示设备尚未实现大规模量产。针对此问题,首先,根据现有Mini/Micro LED巨量转移工艺方法的不同工作原理,总结了3种主要工艺方法,即接触式微转印技术、非接触式激光转移技术和自组装转移技术;其次,调研了现有Mini/Micro LED巨量转移工艺方法中涉及到的技术与装备,归纳了其中的通用关键技术,即高速高精对位和视觉检测;然后,针对上述关键技术挑战,围绕Mini/Micro LED新型显示装备若干关键技术与典型设备集成开发介绍了笔者的前期研究工作;最后,讨论了实现Mini/Micro LED大规模量产中存在的问题及发展方向。 展开更多

关键词 微型半导体发光二极管显示技术 巨量转移 显示半导体装备 高速高精对位 振动抑制

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改进相位相关与聚类思想的Micro-LED芯片显微图像拼接

2

作者 林坚普 王廷雨 +6 位作者 蔡苾芃 张建豪 梅婷 林珊玲 林志贤 乐建避 吴朝兴 《光学精密工程》 北大核心 2025年第4期641-652,共12页

针对现有Micro-LED芯片的显微图像由于存在大量相似且整齐排列的LED而导致算法拼接速度慢及准确率低的问题,本文提出了一种基于聚类思想的Micro-LED芯片显微图像拼接方法。首先使用最大类间方差法对图像进行预处理,随后使用自适应面积... 针对现有Micro-LED芯片的显微图像由于存在大量相似且整齐排列的LED而导致算法拼接速度慢及准确率低的问题,本文提出了一种基于聚类思想的Micro-LED芯片显微图像拼接方法。首先使用最大类间方差法对图像进行预处理,随后使用自适应面积拓展相位相关算法对相邻两幅图像的重叠区域进行峰值计算以求得初步配准的偏移量,接着使用图像分块联合差异值哈希算法的优化配准策略得到优化后的偏移量,最后引入基于密度的噪声应用空间聚类对可能存在的错误偏移量进行自动筛出和处理。实验结果表明本文算法平均耗时为64 ms,满足拼接实时性的需求,拼接正确率达到99.4%,配准精度控制在1个pixel之内,融合处理后在主观上可以达到完美的拼接效果,为错误偏移量导致的整体错位问题也提供了新的解决思路。本文算法有效解决了晶圆级Micro-LED芯片检测中显微图像拼接的关键环节,并可推广应用于具有重复特征且高精度要求的其他机器视觉自动化领域,具有较高的实际工程应用价值。 展开更多

关键词 图像拼接 micro-led芯片显微图像 相位相关 差异值哈希 聚类思想 缺陷检测

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用于Mini/Micro-LED芯片缺陷检测的全局特征压缩卷积神经网络 被引量：1

3

作者 田心如 褚洁 +2 位作者 蔡觉平 温凯林 王宇翔 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期174-184,共11页

微型发光二极管(Mini/Micro-LED)是下一代显示技术。随着Mini/Micro-LED芯片物理尺寸的微小化,制造良品率下降、集成度激增,Mini/Micro LED芯片的快速、精确检测成为工业生产的关键。然而由于芯片尺寸小、分布密集,单个目标的特征信息... 微型发光二极管(Mini/Micro-LED)是下一代显示技术。随着Mini/Micro-LED芯片物理尺寸的微小化,制造良品率下降、集成度激增,Mini/Micro LED芯片的快速、精确检测成为工业生产的关键。然而由于芯片尺寸小、分布密集,单个目标的特征信息占比不足,且工业检测要求检测算法速度快、易部署,Mini/Micro-LED芯片缺陷检测仍面临巨大挑战。针对这些问题,设计了一种压缩注意力细节-语义互补卷积神经网络(CADSC-CNN)。在特征融合网络加入基于自注意力机制的编码器结构,更容易获取全局信息,对小目标的特征信息进行补充;同时对自注意力进行压缩操作减少模型的参数量,提高检测速率。此外,通过工业相机采集的Mini/Micro-LED数据集验证该方法的有效性。实验表明,该方法的平均精度均值(mAP)达到了95.6%,速度为100.6 fps。 展开更多

关键词 缺陷检测 mini/micro-led 卷积神经网络 自注意力

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蜂巢表面AlGaInP基倒装Micro-LED的光电性能

4

作者 谢军 张威 +2 位作者 谢子敬 徐盛海 王洪 《发光学报》 北大核心 2025年第10期1953-1960,共8页

AlGaInP基红光Micro-LED较低的光提取效率限制了器件的发光强度。本文提出了一种自组装Ni金属纳米掩模和湿法刻蚀技术,获得了具有高密度、高均匀性的GaP表面纹理,通过表面纹理增加临界角降低全内反射效应从而有效地提高了器件光提取效... AlGaInP基红光Micro-LED较低的光提取效率限制了器件的发光强度。本文提出了一种自组装Ni金属纳米掩模和湿法刻蚀技术,获得了具有高密度、高均匀性的GaP表面纹理,通过表面纹理增加临界角降低全内反射效应从而有效地提高了器件光提取效率。使用不同厚度的镍掩膜获得不同形貌的表面纹理。结果表明,在20 A/cm^(2) 电流密度下,使用1 nm厚镍金属纳米掩膜湿法蚀刻的Micro-LED的发光强度和外量子效率比无表面纹理的Micro-LED分别提升21.04%和23.58%。提出了一种使用ICP干法刻蚀结合湿法刻蚀制备蜂巢型圆柱状表面纹理。在相同工艺的ICP刻蚀后对GaP层湿法腐蚀不同时间,在电流密度为20 A/cm^(2) 时,使用ICP蚀刻和湿法蚀刻10 s*3次的Micro-LED发光强度和外量子效率分别比无表面纹理的Micro-LED提高了81.61%和48.40%。 展开更多

关键词 ALGAINP 倒装 光提取效率 micro-led 表面纹理

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一种高强度的Mini & Micro LED倒装技术研究 被引量：1

5

作者 李年谱 秦快 赵强 《中国照明电器》 2021年第10期22-25,共4页

LED显示屏经历了直插式、表贴式和集成式封装技术的发展,寻找合适的方法缩小LED像素点间距是目前研究的重点。倒装工艺制备LED是用锡膏实现线路板与倒装芯片相连,但存在锡膏连接层空洞、锡膏粘接力不足等问题。本文采用线路板植球技术,... LED显示屏经历了直插式、表贴式和集成式封装技术的发展,寻找合适的方法缩小LED像素点间距是目前研究的重点。倒装工艺制备LED是用锡膏实现线路板与倒装芯片相连,但存在锡膏连接层空洞、锡膏粘接力不足等问题。本文采用线路板植球技术,研究了植球工艺对锡膏粘接力和刷锡效果的影响。结果表明,植球后的锡膏偏移和锡膏塌陷明显改善,推力平均值比未植球高27.5%。为更小点间距的Mini&Micro LED显示器提供了技术参考。 展开更多

关键词 led显示屏 植球 倒装工艺 mini&micro led

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Mini-LED:助力下一轮LCD技术发展 被引量：14

6

作者 吴诗聪 《光电子技术》 CAS 北大核心 2018年第3期145-148,共4页

Mini-LED由高密度LED二维阵列制成。它是一种全固态有源发光器件,具有工作电压低、发光效率高、响应快、性能可靠和工作温度范围宽等优点。文章结合应用讨论Mini-LED的设计和制程。

关键词 次毫米级发光二极管显示 微米级发光二极管显示 有机发光二极管显示 液晶显示

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高亮度Micro-LED外延和芯片制备 被引量：2

7

作者 陈志忠 康香宁 +5 位作者 陈伟华 席鑫 焦飞 王琦 张国义 沈波 《微纳电子与智能制造》 2021年第3期8-22,共15页

微米LED(Micro-LED)是指尺寸在50μm以下,去除外延衬底的LED,相比目前的LCD,OLED显示具有高亮度、高分辨率,低能耗等优势。本文首先介绍了Micro-LED外延和芯片制备中存在的主要问题。接着使用ABC模型以及载流子泄露模型分析了小电流密... 微米LED(Micro-LED)是指尺寸在50μm以下,去除外延衬底的LED,相比目前的LCD,OLED显示具有高亮度、高分辨率,低能耗等优势。本文首先介绍了Micro-LED外延和芯片制备中存在的主要问题。接着使用ABC模型以及载流子泄露模型分析了小电流密度下的Micro-LED外量子效率低的原因,给出了目前国际上解决这一问题的主要技术途径。在Micro-LED外延技术上重点介绍了NPSS外延Micro-LED的优势以及目前NPSS的制备、外延GaN的进展情况。在芯片制备上,则介绍了Micro-LED微纳出光结构,多芯片的高色域混光技术,AlInGaP红光,氮化物红光以及量子点激发的红光路线。最后讨论了Micro-LED外延和芯片当前的现状和未来的发展趋势。 展开更多

关键词 微米led 显示 外延 芯片 外量子效率 注入电流密度 红光led

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高分辨率主动驱动型氮化镓基Micro-LED芯片的制备 被引量：2

8

作者 黄铭水 聂君扬 +8 位作者 刘明洋 李洋 潘魁 邓俐颖 杨天溪 黄忠航 孙捷 严群 郭太良 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2022年第12期1553-1560,共8页

本文设计并制备了一款分辨率为1920×1080的氮化镓基Micro-LED芯片。采用单次ICP(InductivelyCoupled Plasma)刻蚀的方法完成电流扩展层的图案化和台面刻蚀,实现了电流扩展层和台面的自对准。同时,在制作过程中用HMDS(Hexamethyldis... 本文设计并制备了一款分辨率为1920×1080的氮化镓基Micro-LED芯片。采用单次ICP(InductivelyCoupled Plasma)刻蚀的方法完成电流扩展层的图案化和台面刻蚀,实现了电流扩展层和台面的自对准。同时,在制作过程中用HMDS(Hexamethyldisiloxane)提高光刻胶附着力,从根本上提高小尺寸台面刻蚀的一致性和完整性。此外,通过垫高N型电极解决了传统倒装芯片中P型电极和N型电极不等高的问题,有利于显示芯片与驱动芯片的键合。该芯片尺寸为17.78 mm(0.7 in),发光单元尺寸为6μm,像素周期为8μm,像素密度达到3129 PPI。I-V测试数据表明,所制备的Micro-LED的开启电压仅为3.5 V。 展开更多

关键词 micro-led 高分辨率 倒装芯片 刻蚀

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蓝光GaN基Micro-LED芯片制备及激光剥离工艺研究 被引量：8

9

作者 王仙翅 潘章旭 +4 位作者 刘久澄 郭婵 李志成 龚岩芬 龚政 《半导体光电》 CAS 北大核心 2020年第2期211-216,共6页

基于半导体制造工艺,制备了尺寸为50μm×80μm的蓝光氮化镓(GaN)基MicroLED芯片。芯片的正向导通电压在2.55V左右;测试了10颗LED芯片在1mA注入电流下的电压值,得到的最大值和最小值分别为3.24和3.12V,波动幅度在4%以内。在1mA的测... 基于半导体制造工艺,制备了尺寸为50μm×80μm的蓝光氮化镓(GaN)基MicroLED芯片。芯片的正向导通电压在2.55V左右;测试了10颗LED芯片在1mA注入电流下的电压值,得到的最大值和最小值分别为3.24和3.12V,波动幅度在4%以内。在1mA的测试电流下,测试芯片的EL光谱峰值波长和半高宽分别为453和14.4nm,芯片的外量子效率可达12.38%,芯片发光均匀且亮度很大。测试结果表明,所制备的Micro-LED芯片具有优异的光电性能。此外,通过激光剥离技术,实现了Micro-LED芯片的转移。研究了激光剥离工艺对MicroLED芯片光电性能的影响,发现在优化的工艺条件下,激光剥离对芯片的光电性能几乎无影响。这些结果有助于小间距微尺寸LED芯片阵列及显示技术的研究。 展开更多

关键词 micro-led芯片 激光剥离 芯片转移 光电性能

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Mini LED背光源在液晶显示面板上的照度均匀性 被引量：8

10

作者 童嘉俊 尤宇财 +1 位作者 王海波 卓宁泽 《半导体光电》 CAS 北大核心 2021年第4期493-498,共6页

基于Taguchi实验方法和Tracepro仿真软件,研究了Mini LED背光模组中LED芯片大小、芯片发光半角、芯片出光面到液晶层的距离等因素,对液晶面板照度均匀性的影响规律并对其进行了相应分析。研究结果表明:芯片出光面到液晶层的距离对照度... 基于Taguchi实验方法和Tracepro仿真软件,研究了Mini LED背光模组中LED芯片大小、芯片发光半角、芯片出光面到液晶层的距离等因素,对液晶面板照度均匀性的影响规律并对其进行了相应分析。研究结果表明:芯片出光面到液晶层的距离对照度均匀性影响最大,影响因素的权重占比达到82.88%;发光半角占比14.33%:芯片大小占比为14.33%。根据研究结果,固定发光半角与芯片尺寸,调节出光面与液晶面板层的距离,得到了最优的照度均匀度。 展开更多

关键词 mini led 背光模组 芯片大小 发光半角 照度均匀性

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Micro-LED芯片激光去除机理及工艺参数优化 被引量：4

11

作者 乔健 吴振铎 +2 位作者 彭信翰 冉雨宣 杨景卫 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1360-1370,共11页

为提高面板级Micro-LED显示面板的制造质量,需要对不良Micro-LED芯片进行原位去除与修复,利用COMSOL建立激光双温烧蚀模型,开展了Micro-LED不良芯片激光去除机理和工艺参数的优化。通过单脉冲激光对MicroLED芯片烧蚀所形成表面光斑的直... 为提高面板级Micro-LED显示面板的制造质量,需要对不良Micro-LED芯片进行原位去除与修复,利用COMSOL建立激光双温烧蚀模型,开展了Micro-LED不良芯片激光去除机理和工艺参数的优化。通过单脉冲激光对MicroLED芯片烧蚀所形成表面光斑的直径平方来推算Micro-LED的烧蚀阈值,拟合出激光参数与烧蚀深度的关系,并对双温烧蚀模型的准确性进行验证;分析了激光光斑重叠率、能量密度和不同扫描路径下对应芯片的烧蚀特征及去除机理,结合双温烧蚀模型完成了激光扫描路径及对应工艺参数的优化。结果表明,飞秒激光烧蚀模型对Micro-LED芯片激光烧蚀加工的最大分析误差为9.28%,优化的激光去除模式实现了1秒/颗的快速精准剥离和焊盘表面的高质量整平修复,对大幅面Micro-LED显示面板规模化生产中不良芯片的快速修复具有重要的指导作用。 展开更多

关键词 飞秒激光 原位去除 微发光二极管显示器 不良芯片

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mini LED技术研究 被引量：6

12

作者 邵鹏睿 《应用技术学报》 2023年第1期32-37,共6页

相较于传统显示技术,次毫米发光二极管(mini LED)具有亮度高、响应快、高对比度、色彩丰富、寿命长等优势,最重要的是,由于采用μm级的LED芯片作为背光源,mini LED显示画面的背光更均匀,并且可以进行极其精细的背光区域控制,对于显示市... 相较于传统显示技术,次毫米发光二极管(mini LED)具有亮度高、响应快、高对比度、色彩丰富、寿命长等优势,最重要的是,由于采用μm级的LED芯片作为背光源,mini LED显示画面的背光更均匀,并且可以进行极其精细的背光区域控制,对于显示市场的发展具有重大意义。综述了mini LED显示技术的发展历史,总结了目前mini LED在背光和直显两种技术上的商业研究技术进展,以期为mini LED的发展应用提供参考和思路。 展开更多

关键词 次毫米发光二极管 led芯片 背光 直显

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基于200 mm硅基GaN的单色Micro LED微显示芯片制备及量产难点分析

13

作者 彭劲松 杨建兵 +3 位作者 殷照 汪曾峰 宋琦 吴焱 《光电子技术》 CAS 2023年第2期129-132,共4页

应用200 mm硅基GaN外延片,研究晶圆级键合、薄膜转移和微小尺寸像素制备等技术,实现了Micro LED微显示阵列的点亮与显示功能。相对于传统蓝宝石基GaN外延晶圆,200 mm硅基GaN外延晶圆与硅基驱动晶圆尺寸更匹配,有利于通过晶圆键合工艺实... 应用200 mm硅基GaN外延片,研究晶圆级键合、薄膜转移和微小尺寸像素制备等技术,实现了Micro LED微显示阵列的点亮与显示功能。相对于传统蓝宝石基GaN外延晶圆,200 mm硅基GaN外延晶圆与硅基驱动晶圆尺寸更匹配,有利于通过晶圆键合工艺实现低成本量产。同时对工艺量产的难点和解决思路进行了分析,指出显示缺陷是目前亟待解决的问题。 展开更多

关键词 发光二极管微显示芯片 硅基氮化镓外延片 显示缺陷

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高亮单色硅基LED微显示器件的制作 被引量：3

14

作者 杨洪宝 昌永龙 +1 位作者 王健波 张白雪 《光电子技术》 CAS 2017年第2期119-123,135,共6页

基于硅基有源驱动芯片和单色LED显示阵列芯片,利用光刻及沉膜工艺,在芯片上完成了640×480铟柱阵列的制备,之后采用回流焊、倒装焊工艺,实现了驱动芯片和显示芯片的互联。结果表明:采用倒装焊工艺可以实现硅基LED微显示器件的制作,... 基于硅基有源驱动芯片和单色LED显示阵列芯片,利用光刻及沉膜工艺,在芯片上完成了640×480铟柱阵列的制备,之后采用回流焊、倒装焊工艺,实现了驱动芯片和显示芯片的互联。结果表明:采用倒装焊工艺可以实现硅基LED微显示器件的制作,具有可行性。 展开更多

关键词 硅基发光二极管 微显示 铟-铟倒装焊 单色

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微透镜阵列提高LED多芯片封装取光效率的仿真 被引量：1

15

作者 钟可君 高益庆 +1 位作者 李凤 张志敏 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期432-435,共4页

提出在LED多芯片平面封装表面添加微透镜阵列,以提高取光效率。仿真分析了微透镜阵列的半径、间距和排列方式等对取光效率的影响。分析结果表明,通过在封装平面添加微透镜阵列,可以极大地提高取光效率,微透镜的填充因子是影响取光效率... 提出在LED多芯片平面封装表面添加微透镜阵列,以提高取光效率。仿真分析了微透镜阵列的半径、间距和排列方式等对取光效率的影响。分析结果表明,通过在封装平面添加微透镜阵列,可以极大地提高取光效率,微透镜的填充因子是影响取光效率大小的关键因素,填充因子越大,则其取光效率越高;微透镜的排列方式对出射光强的分布也会产生影响。 展开更多

关键词 led 多芯片封装 取光效率 微透镜阵列

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基于通用分组无线业务短信控制的LED点阵屏设计 被引量：7

16

作者 蔡植善 《计算机应用》 CSCD 北大核心 2011年第12期3449-3452,共4页

为满足中小商家的使用需求,给出了一种低成本、内容更新便捷的远程控制点阵LED文字显示屏的方案。该系统采用单片机(MCU)作为系统处理核心,采用GPRS/GSM通信标准,通过显示屏上通用分组无线业务(GPRS)模块接收手机发送的控制命令及显示数... 为满足中小商家的使用需求,给出了一种低成本、内容更新便捷的远程控制点阵LED文字显示屏的方案。该系统采用单片机(MCU)作为系统处理核心,采用GPRS/GSM通信标准,通过显示屏上通用分组无线业务(GPRS)模块接收手机发送的控制命令及显示数据,经处理后控制LED显示屏的扫描显示,实现点阵屏远程更新显示内容。经一段时间的使用,系统运行稳定可靠,基本达到设计要求。 展开更多

关键词 通用分组无线业务模块 字库芯片 C8051F410 单片机 led点阵显示屏 短信服务

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LED点阵显示屏的矩阵模型特性研究 被引量：2

17

作者 谢华燕 梁璐 《自动化与仪器仪表》 2013年第5期16-17,共2页

LED点阵显示屏是利用发光二极管点阵模块和像素单元组成的平面式显示屏。以单片机为核心控制器、以基本单元模块8×8点阵为主要分析对象,阐述了LED显示屏点阵结构的矩阵分布特征、显示扫描时元素点取值的矩阵特性以及点阵大小不同... LED点阵显示屏是利用发光二极管点阵模块和像素单元组成的平面式显示屏。以单片机为核心控制器、以基本单元模块8×8点阵为主要分析对象,阐述了LED显示屏点阵结构的矩阵分布特征、显示扫描时元素点取值的矩阵特性以及点阵大小不同的显示屏在扩展中呈现的矩阵规律性。结果表明:在显示控制技术和产品设计方面应以矩阵模型特性为主来有效控制电子领域广泛使用的LED点阵显示屏。 展开更多

关键词 led点阵显示屏 矩阵模型 特殊矩阵 发光二极管 AT89C5 1单片机

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全自动LED引线键合机焊点快速定位方法的研究

18

作者 黄知超 刘木 +3 位作者 钟奕 范兴明 延红艳 杨升振 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期875-879,共5页

提出了一种定位全自动LED引线键合机焊点位置的新方法。该方法先用图形处理器(graphic processing unit,GPU)对获取的LED微芯片图像进行基于均值查找的自适应窗口大小的中值滤波处理,再通过自适应阈值的图像分割算法确定微芯片的潜在区... 提出了一种定位全自动LED引线键合机焊点位置的新方法。该方法先用图形处理器(graphic processing unit,GPU)对获取的LED微芯片图像进行基于均值查找的自适应窗口大小的中值滤波处理,再通过自适应阈值的图像分割算法确定微芯片的潜在区域,然后将所有潜在区域以位置关系分组存储,利用灰度基本对称特征筛选出每组中的最佳潜在区域,再对选定区域进行加权处理,最后计算质心以精确定位LED微芯片焊点位置。实验结果表明,该检测方法速度快、定位准,而且对LED微芯片形状的一致性无要求,更适合自动化操作,从而提高生产效率。 展开更多

关键词 led微芯片 定位 全自动led引线键合机 图形处理器 质心

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利用单片机虚拟串口驱动多路LED显示 被引量：1

19

作者 孙士尉 王运娣 《江苏电器》 2006年第1期28-30,共3页

对于多个LED显示,在单片机的UART串口被占用时,可采用虚拟串口来扩展并行输出。利用 89C51单片机虚拟串口和74LS164移位寄存器可实现多路LED显示,介绍了硬件电路的设计,分析了串口方式0时序,并给出了参考程序。采用该方法设计的多路LED... 对于多个LED显示,在单片机的UART串口被占用时,可采用虚拟串口来扩展并行输出。利用 89C51单片机虚拟串口和74LS164移位寄存器可实现多路LED显示,介绍了硬件电路的设计,分析了串口方式0时序,并给出了参考程序。采用该方法设计的多路LED显示系统具有硬件结构简单、软件编程容易和价格低廉等特点。 展开更多

关键词 单片机 串行口 led显示

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基于视觉引导的LED打标移送进给控制系统研究

20

作者 梅阳寒 刘志伟 舒雨锋 《机械工程师》 2020年第11期102-105,共4页

针对某LED打标移送控制出现移动丢步、漏打和打标质量差等问题,为了实现进给控制的高响应、高精度和高稳定性的要求,提出了一种基于视觉引导的粗微进给控制方法。设计了一种采用步进电动机+滚珠丝杠(粗进给)+压电驱动(微进给)的复合结... 针对某LED打标移送控制出现移动丢步、漏打和打标质量差等问题,为了实现进给控制的高响应、高精度和高稳定性的要求,提出了一种基于视觉引导的粗微进给控制方法。设计了一种采用步进电动机+滚珠丝杠(粗进给)+压电驱动(微进给)的复合结构控制系统,并构建了直线精密进给移送控制系统,解决了既要大位移的进给控制,又得保证打标的精确定位要求;采用视觉引导和图像处理技术相结合的前馈控制系统,完成了对支架图像参数匹配和实时位置检测,实现了50 mm范围内的定位精确达3.468×10^2μm。样机测试结果表明,LED晶片打标移送重复定位精度高,打标质量稳定,打标良品率达到99.3%的效果,具有很强的实用前景。 展开更多

关键词 led晶片 视觉引导 微进给 标定 定位精度

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