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题名L频段GaN内匹配功率放大器研制
被引量：7
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作者
高岩
江肖力
韩威
兰宝岩
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机构
中国电子科技集团第五十四研究所
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出处
《电子测量技术》
2020年第20期10-15,共6页
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文摘
针对射频收发前端对功放高效率、大功率的需求,采用内匹配技术,设计并实现了一款工作在0.9~1.1GHz的高功率内匹配放大器。该放大器基于Qorvo公司生产的栅宽5mm的GaN HEMT芯片,利用晶体管厂家提供的器件模型,通过使用Microwave office软件进行大信号负载牵引和源牵引仿真,得到使用频段内的最佳源阻抗值和负载阻抗值;进行了匹配电路设计,并对利用理论计算与使用Microwave office软件实现阻抗匹配进行了较为详细的介绍。加工实测结果表明,在20%相对带宽,漏极电压28V,输入信号为连续波(CW)的条件下,峰值功率大于43.2dBm,功率附加效率大于47%、功率增益大于16dB。显示了GaN功率器件适用于宽带和高功率、高效率的工作性能,应用前景广阔。
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关键词
GAN
功率放大器
内匹配
microwave
office
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Keywords
GaN
power amplifier
internally-matching
microwave office
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分类号
TN722
[电子电信—电路与系统]
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