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Solvent engineering in perovskite nanocrystal colloid inks for super-fine electrohydrodynamic inkjet printing of color conversion microstructures in micro-LED displays
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作者 Shuli Wang Xuemin Kong +7 位作者 Siting Cai Yunshu Luo Yuxuan Gu Xiaotong Fan Guolong Chen Xiao Yang Zhong Chen Yue Lin 《Chinese Chemical Letters》 2025年第8期554-559,共6页
Super-fine electrohydrodynamic inkjet(SIJ)printing of perovskite nanocrystal(PNC)colloid ink exhibits significant potential in the fabrication of high-resolution color conversion microstructures arrays for fullcolor m... Super-fine electrohydrodynamic inkjet(SIJ)printing of perovskite nanocrystal(PNC)colloid ink exhibits significant potential in the fabrication of high-resolution color conversion microstructures arrays for fullcolor micro-LED displays.However,the impact of solvent on both the printing process and the morphology of SIJ-printed PNC color conversion microstructures remains underexplored.In this study,we prepared samples of CsPbBr3PNC colloid inks in various solvents and investigated the solvent's impact on SIJ printed PNC microstructures.Our findings reveal that the boiling point of the solvent is crucial to the SIJ printing process of PNC colloid inks.Only does the boiling point of the solvent fall in the optimal range,the regular positioned,micron-scaled,conical PNC microstructures can be successfully printed.Below this optimal range,the ink is unable to be ejected from the nozzle;while above this range,irregular positioned microstructures with nanoscale height and coffee-ring-like morphology are produced.Based on these observations,high-resolution color conversion PNC microstructures were effectively prepared using SIJ printing of PNC colloid ink dispersed in dimethylbenzene solvent. 展开更多
关键词 SOLVENT Perovskite nanocrystal Electrohydrodynamic inkjet printing Color conversion microstructures arrays micro-led display
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Applications of lasers:A promising route toward low-cost fabrication of high-efficiency full-color micro-LED displays 被引量:4
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作者 Shouqiang Lai Shibiao Liu +5 位作者 Zilu Li Zhening Zhang Zhong Chen Rong Zhang Hao-Chung Kuo Tingzhu Wu 《Opto-Electronic Science》 2023年第10期12-32,共21页
Micro-light-emitting diodes(micro-LEDs)with outstanding performance are promising candidates for next-generation displays.To achieve the application of high-resolution displays such as meta-displays,virtual reality,an... Micro-light-emitting diodes(micro-LEDs)with outstanding performance are promising candidates for next-generation displays.To achieve the application of high-resolution displays such as meta-displays,virtual reality,and wearable electronics,the size of LEDs must be reduced to the micro-scale.Thus,traditional technology cannot meet the demand during the processing of micro-LEDs.Recently,lasers with short-duration pulses have attracted attention because of their unique advantages during micro-LED processing such as noncontact processing,adjustable energy and speed of the laser beam,no cutting force acting on the devices,high efficiency,and low cost.Herein,we review the techniques and principles of laser-based technologies for micro-LED displays,including chip dicing,geometry shaping,annealing,laserassisted bonding,laser lift-off,defect detection,laser repair,mass transfer,and optimization of quantum dot color conversion films.Moreover,the future prospects and challenges of laser-based techniques for micro-LED displays are discussed. 展开更多
关键词 LASER micro-led nano-processing defective detection laser repair mass transfer quantum dot
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Full-color micro-LED displays based on quantum dot color converters
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作者 Yingqi Zeng Wenzhuo Qian +6 位作者 Rui Long Xiang Zhang Fuqiang Ma Jiajun Luo Linyuan Lian Daoli Zhang Jianbing Zhang 《Nano Research》 2025年第6期947-962,共16页
Micro-light-emitting diodes(micro-LEDs)have emerged as a promising display technology featuring high resolution,wide color gamut,high contrast,flexibility,and long lifetime.However,there are severe challenges in full-... Micro-light-emitting diodes(micro-LEDs)have emerged as a promising display technology featuring high resolution,wide color gamut,high contrast,flexibility,and long lifetime.However,there are severe challenges in full-color micro-LED,such as low efficiencies of red and green micro-LEDs,complex driving circuits for three-color micro-LEDs,and challenging mass transfer.Thus,converting blue light into red and green light by coupling color converters with blue LEDs is a reasonable strategy.Colloidal quantum dots(QDs)are an optimal candidate for color converters due to their high photoluminescence quantum yield,narrow emission peaks,small particle sizes,and solution processibility.Therefore,fullcolor micro-LEDs based on quantum dot color converters are attracting increasing attention.This review introduces micro-LED technology and the research progress of the full-color realization,and describes the associated technical challenges.Furthermore,it outlines the properties of QDs,patterning techniques,integration with micro-LEDs for achieving full color,and finally analyzes the challenges of applying QDs to micro-LEDs,demonstrating the application potential of QDs in achieving full-color of micro-LEDs,along with prospects for addressing current challenges. 展开更多
关键词 micro-light-emitting diode(micro-led) quantum dot patterning technology FULL-COLOR color converter
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基于micro-LED的波分复用高速水下可见光通信系统研究
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作者 应红 张涛 +3 位作者 王彬峰 刘涛 唐堂 惠天宇 《照明工程学报》 2025年第5期60-73,共14页
本文研究了一种基于2个商用LED和5个自行设计micro-LED的波分复用(Wavelength Division Multiplexing,WDM)超高速水下可见光通信概念验证系统。通过预均衡和正交频分复用调制技术,在0.6 m水下环境中实现了28.82 Gbps的聚合通信速率,这... 本文研究了一种基于2个商用LED和5个自行设计micro-LED的波分复用(Wavelength Division Multiplexing,WDM)超高速水下可见光通信概念验证系统。通过预均衡和正交频分复用调制技术,在0.6 m水下环境中实现了28.82 Gbps的聚合通信速率,这是目前所知基于micro-LED的水下可见光通信(Underwater Visible Light Communication,UVLC)的破纪录传输速率,较现有最高纪录(20.09 Gbps)提升43%。相对单通道455 nm micro-LED(7.23 Gbps),容量增益达4倍。此外,本研究还分析了各波长光源的调制带宽与光功率特性,并利用63%和40%衰减片模拟扩展距离传输环境。采用63%衰减片的WDM-UVLC系统可获得聚合速率为18.35 Gbps,其中最短的估算传输距离为650 nm波长的光源,仅为1.81 m。使用40%衰减片的WDM-UVLC获得了15.36 Gbps的总通信速率,最短估算传输距离为2.75 m,而对于在水环境衰减特性小的蓝绿光则能够获得超过8 m的估算传输距离。尤其对于455 nm通道SNR仅下降5 dB即可维持BER<3.8×10^(-3),验证了方案在功率波动下的鲁棒性与潜力。该研究不仅验证了波分复用技术结合micro-LED在水下高速通信中的潜力,更表明多色micro-LED是波分复用UVLC发射器的绝佳候选器件,通过特定的光学滤波器和光学设计,未来可实现更集成的波分复用系统。 展开更多
关键词 水下可见光通信 波分复用 micro-led 正交频分复用
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Micro-LED新型显示技术的现状、挑战及展望 被引量:2
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作者 庄喆 刘斌 《科技导报》 北大核心 2025年第2期42-51,共10页
微型发光二极管(Micro-LED)具有较好的稳定性,是当前高亮显示应用的最佳选择,其具有高对比度、低响应时间、宽工作温区、低能耗和广视角等优势,成为当前产业界和学术界比较看好的新型显示技术。综述了Micro-LED新型显示技术的原理,对比... 微型发光二极管(Micro-LED)具有较好的稳定性,是当前高亮显示应用的最佳选择,其具有高对比度、低响应时间、宽工作温区、低能耗和广视角等优势,成为当前产业界和学术界比较看好的新型显示技术。综述了Micro-LED新型显示技术的原理,对比其与现有技术的性能,从材料、器件、集成和成本良率等几个角度探讨了Micro-LED新型显示技术的关键技术挑战。未来3~5年内,Micro-LED显示技术仍然会在材料、器件、集成等技术方面存在技术创新和重大突破的关键机会,该技术支撑着未来显示产业的发展,也是中国科技创新引领全球的一次重要科技革命。建议鼓励创新,营造良好的科技创新环境,通过产学研合作解决当前Micro-LED新型显示技术的关键问题。同时发挥市场和社会资本的作用,引导产业遵循技术发展和商业发展规律。Micro-LED显示产业尽管仍面临技术挑战,但增强现实等近眼显示设备的推出,可能彻底革新现有的显示产品形态,Micro-LED显示产业市场将可能迎来爆发式增长。 展开更多
关键词 micro-led新型显示 micro-led芯片 技术挑战 产业发展
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侧壁修复提升237 nm AlGaN基Micro-LED光功率密度研究
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作者 郝家龙 李宏博 +9 位作者 吕顺鹏 朱立财 孙文超 张若甲 刘钟旭 蒋科 贲建伟 张山丽 孙晓娟 黎大兵 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第6期970-978,共9页
AlGaN基深紫外Micro-LED在无掩膜光刻、日盲紫外保密通信等领域具有重要应用前景。然而,侧壁效应和电流拥挤效应严重制约高电流密度下的光功率密度。本研究制备了发光波长237 nm,台面半径分别为12.5、25.0、50.0μm的深紫外Micro-LED,... AlGaN基深紫外Micro-LED在无掩膜光刻、日盲紫外保密通信等领域具有重要应用前景。然而,侧壁效应和电流拥挤效应严重制约高电流密度下的光功率密度。本研究制备了发光波长237 nm,台面半径分别为12.5、25.0、50.0μm的深紫外Micro-LED,并系统探究了侧壁修复对不同尺寸和不同阵列化Micro-LED的影响规律。研究发现,使用KOH修复侧壁可有效降低AlGaN基深紫外Micro-LED侧壁缺陷密度,减小反向漏电流密度,同时降低由侧壁缺陷导致的肖特基-里德-霍尔(SRH)非辐射复合。对于单台面器件,器件尺寸越小,最大光功率密度越高,但侧壁效应严重制约着小尺寸器件的光功率密度,导致小尺寸器件在低电流密度下光功率密度最低,侧壁修复后,半径12.5μm的器件峰值光功率密度提升最多,提升了186%,且在不同电流密度下光功率密度均最高;对于相同发光面积的阵列化器件,侧壁修复后,阵列化程度越高,光功率密度越高,4×4阵列12.5μm的Micro-LED比半径50.0μm的器件峰值光功率密度提高了116%,其原因是在保持较低侧壁缺陷的情况下,阵列化可以提高电流密度分布均匀性,进而提高光效。该研究有助于提高Micro-LED的光功率密度,并将推动短波深紫外Micro-LED走向实际应用。 展开更多
关键词 侧壁效应 电流拥挤效应 AlGaN micro-led 侧壁修复 阵列化工程
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改进相位相关与聚类思想的Micro-LED芯片显微图像拼接
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作者 林坚普 王廷雨 +6 位作者 蔡苾芃 张建豪 梅婷 林珊玲 林志贤 乐建避 吴朝兴 《光学精密工程》 北大核心 2025年第4期641-652,共12页
针对现有Micro-LED芯片的显微图像由于存在大量相似且整齐排列的LED而导致算法拼接速度慢及准确率低的问题,本文提出了一种基于聚类思想的Micro-LED芯片显微图像拼接方法。首先使用最大类间方差法对图像进行预处理,随后使用自适应面积... 针对现有Micro-LED芯片的显微图像由于存在大量相似且整齐排列的LED而导致算法拼接速度慢及准确率低的问题,本文提出了一种基于聚类思想的Micro-LED芯片显微图像拼接方法。首先使用最大类间方差法对图像进行预处理,随后使用自适应面积拓展相位相关算法对相邻两幅图像的重叠区域进行峰值计算以求得初步配准的偏移量,接着使用图像分块联合差异值哈希算法的优化配准策略得到优化后的偏移量,最后引入基于密度的噪声应用空间聚类对可能存在的错误偏移量进行自动筛出和处理。实验结果表明本文算法平均耗时为64 ms,满足拼接实时性的需求,拼接正确率达到99.4%,配准精度控制在1个pixel之内,融合处理后在主观上可以达到完美的拼接效果,为错误偏移量导致的整体错位问题也提供了新的解决思路。本文算法有效解决了晶圆级Micro-LED芯片检测中显微图像拼接的关键环节,并可推广应用于具有重复特征且高精度要求的其他机器视觉自动化领域,具有较高的实际工程应用价值。 展开更多
关键词 图像拼接 micro-led芯片显微图像 相位相关 差异值哈希 聚类思想 缺陷检测
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Micro-LED晶圆缺陷检测的宽光谱大视场显微物镜设计
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作者 洪惠敏 贺文俊 《光子学报》 北大核心 2025年第3期207-220,共14页
为了实现对Micro-LED晶圆缺陷的准确和高效检测,设计了一款工作波长覆盖可见光和近红外的宽光谱、大视场、平场、复消色差显微物镜。采用正-正-负三光组结构,计算调整了各光组光焦度并分配其元件特征,实现了大视场和长工作距设计。基于B... 为了实现对Micro-LED晶圆缺陷的准确和高效检测,设计了一款工作波长覆盖可见光和近红外的宽光谱、大视场、平场、复消色差显微物镜。采用正-正-负三光组结构,计算调整了各光组光焦度并分配其元件特征,实现了大视场和长工作距设计。基于Buchdahl色散模型进行了玻璃材料的色散矢量分析并指导了初始光学系统材料替换,实现了平场复消色差设计。设计结果表明:该显微物镜的工作波长范围为420 nm~1064 nm、放大倍率为10倍、视场为3.3 mm、数值孔径为0.34、可见光波段分辨率为0.88μm、近红外波段分辨率为1.35μm、工作距为8 mm、齐焦距为95 mm。其成像质量优良,调制传递函数曲线接近衍射极限,全谱段复消色差,全视场平坦,易于加工生产,可用于检测大范围的表面以及次表面的微米级Micro-LED晶圆缺陷。 展开更多
关键词 光学设计 显微物镜 Buchdahl模型 平场复消色差 micro-led
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蜂巢表面AlGaInP基倒装Micro-LED的光电性能
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作者 谢军 张威 +2 位作者 谢子敬 徐盛海 王洪 《发光学报》 北大核心 2025年第10期1953-1960,共8页
AlGaInP基红光Micro-LED较低的光提取效率限制了器件的发光强度。本文提出了一种自组装Ni金属纳米掩模和湿法刻蚀技术,获得了具有高密度、高均匀性的GaP表面纹理,通过表面纹理增加临界角降低全内反射效应从而有效地提高了器件光提取效... AlGaInP基红光Micro-LED较低的光提取效率限制了器件的发光强度。本文提出了一种自组装Ni金属纳米掩模和湿法刻蚀技术,获得了具有高密度、高均匀性的GaP表面纹理,通过表面纹理增加临界角降低全内反射效应从而有效地提高了器件光提取效率。使用不同厚度的镍掩膜获得不同形貌的表面纹理。结果表明,在20 A/cm^(2) 电流密度下,使用1 nm厚镍金属纳米掩膜湿法蚀刻的Micro-LED的发光强度和外量子效率比无表面纹理的Micro-LED分别提升21.04%和23.58%。提出了一种使用ICP干法刻蚀结合湿法刻蚀制备蜂巢型圆柱状表面纹理。在相同工艺的ICP刻蚀后对GaP层湿法腐蚀不同时间,在电流密度为20 A/cm^(2) 时,使用ICP蚀刻和湿法蚀刻10 s*3次的Micro-LED发光强度和外量子效率分别比无表面纹理的Micro-LED提高了81.61%和48.40%。 展开更多
关键词 ALGAINP 倒装 光提取效率 micro-led 表面纹理
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GaN基Micro-LED芯片低频噪声特性研究
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作者 张腾飞 王伟 华文渊 《半导体光电》 北大核心 2025年第2期226-231,共6页
针对GaN基蓝光Micro-LED芯片,文章采用电流-电压(I-V)特性和电流噪声功率谱密度分析相结合的方法,系统研究该器件电流输运机制及其在不同电流注入条件下的低频噪声特性。研究结果表明:在低电流注入区间(1 nA<I<1μA),低频噪声呈... 针对GaN基蓝光Micro-LED芯片,文章采用电流-电压(I-V)特性和电流噪声功率谱密度分析相结合的方法,系统研究该器件电流输运机制及其在不同电流注入条件下的低频噪声特性。研究结果表明:在低电流注入区间(1 nA<I<1μA),低频噪声呈现产生-复合噪声和1/f噪声的叠加特性,其中1/f噪声仅在频率低于10 Hz时显著显现;在中值电流注入范围(6.6μA<I<830μA)且测试频率f低于1×10^(3)Hz时,测得电流噪声斜率分别1.75,2.06,1.99和1.76。通过引入多尺度熵复杂度分析揭示噪声信号的非规律特征,证实该部分电流区间的噪声源主要来自电子-空穴对的产生-复合过程,而非缺陷辅助隧穿所引起。当注入电流增至1~10 mA范围时,串联电阻的热效应开始主导运输特性,导致电流随电压的指数增长关系发生偏离。此时,1/f噪声主要来源于串联电阻,对应的1/f噪声指数因子γ分别为1.53,1.42,1.37,1.24和1.03,逐渐接近于标准1/f噪声(γ=1)。 展开更多
关键词 micro-led 正向电流 输运机制 多尺度熵 低频噪声
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芯片尺寸与阵列偏移对图形衬底Micro-LED光强空间分布的影响
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作者 张佳辰 李盼盼 +2 位作者 李金钗 黄凯 李鹏岗 《发光学报》 北大核心 2025年第2期366-372,共7页
微型发光二极管(Micro-light emitting diode,Micro-LED)以高亮度、高对比度、低能耗和快速响应等优异特性,广泛应用于户外显示、增强现实和虚拟现实等领域。然而,Micro-LED的微型化带来了光强分布控制的挑战。为提高其发光效率,常使用... 微型发光二极管(Micro-light emitting diode,Micro-LED)以高亮度、高对比度、低能耗和快速响应等优异特性,广泛应用于户外显示、增强现实和虚拟现实等领域。然而,Micro-LED的微型化带来了光强分布控制的挑战。为提高其发光效率,常使用图形蓝宝石衬底(Patterned sapphire substrate,PSS)技术,通过微米级图形单元优化光提取率。在大尺寸LED中,PSS对光强空间分布影响较小,但在微米级Micro-LED中影响显著。本文采用光线追迹方法,系统研究了发光波长为460 nm的不同尺寸PSS Micro-LED在不同阵列偏移下的光强空间分布,并量化了光强空间分布的非对称率,最后解释了该现象。结果表明,随着尺寸减小,PSS对光强空间分布影响增大。当尺寸为3μm×5μm时,在y轴和x轴的光强空间分布的非对称率达3.06%和4.22%,因而影响Micro-LED发光均匀性。本研究为Micro-LED在显示应用中的优化设计提供了理论支持。 展开更多
关键词 micro-led 图形蓝宝石衬底(PSS) 非对称率
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表面复合与光提取效率竞争机制对Micro-LED光效的影响
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作者 刘志强 江莹 +7 位作者 莫梦月 闫金健 李鹏岗 黄凯 李金钗 卢卫芳 康俊勇 张荣 《厦门大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第4期682-689,共8页
[目的]基于表面复合引起的尺寸效应,研究Micro-LED器件的尺寸、形状与光效的关系.[方法]利用SimuLED软件,通过设计不同尺寸和形状的器件,探究器件表面复合占比与周长面积比之间的关系,并分析器件形状对Micro-LED性能的影响.[结果]器件... [目的]基于表面复合引起的尺寸效应,研究Micro-LED器件的尺寸、形状与光效的关系.[方法]利用SimuLED软件,通过设计不同尺寸和形状的器件,探究器件表面复合占比与周长面积比之间的关系,并分析器件形状对Micro-LED性能的影响.[结果]器件表面复合速率与周长面积比成线性比例关系;器件形状通过表面复合占比与光提取效率共同影响器件的外量子效率.在本文研究的3种芯片形状中,圆形芯片的内量子效率最高,正六边形芯片的外量子效率最高,而方形芯片的内、外量子效率以及光功率均最低.[结论]当器件的尺寸受限时,可以通过优化器件形状,以降低表面复合占比和提高光提取效率,进而提高光效. 展开更多
关键词 micro-led 尺寸效应 表面复合速率 周长面积比 光提取效率
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Micro-LED新型显示技术与发展分析
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作者 金光旭 《消费电子》 2025年第11期125-127,共3页
随着科技的迅猛发展以及人们对显示效果要求的不断提升,传统的液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)、有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)等显示技术已经无法满足人们对于高亮度、高对比度、低功耗以及快速响应等多... 随着科技的迅猛发展以及人们对显示效果要求的不断提升,传统的液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)、有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)等显示技术已经无法满足人们对于高亮度、高对比度、低功耗以及快速响应等多样化需求,Micro-LED显示技术应运而生。本文首先阐述Micro-LED显示技术的原理,其通过微小尺寸的发光二极管(Light Emitting Diode,LED)芯片实现自发光的独特机制。其次全面对比了Micro-LED与传统LCD、OLED等显示技术在环境对比度、运动图像响应时间、色域、效率和功耗方面的显著优势,并深入探讨了Micro-LED新型显示技术面临的关键挑战,最后针对性地提出了一系列发展策略,展望了Micro-LED新型显示技术的发展趋势。本文对Micro-LED新型显示技术进行了全面且深入的研究,以此为相关人员提供实践参考。 展开更多
关键词 micro-led新型显示技术 LCD OLED
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GaN基Micro-LED芯片的电-热短路效应研究
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作者 王伟 张腾飞 李红旭 《微纳电子技术》 2025年第10期48-55,共8页
研究了GaN基蓝光微型发光二极管(micro-LED)芯片在电流应力作用下的光电退化机制及其电-热耦合短路效应,揭示了micro-LED芯片独特的突发性短路失效机理。实验结果表明,施加2 h电流应力后,芯片发光强度衰减至初始值的约43%,反向漏电流显... 研究了GaN基蓝光微型发光二极管(micro-LED)芯片在电流应力作用下的光电退化机制及其电-热耦合短路效应,揭示了micro-LED芯片独特的突发性短路失效机理。实验结果表明,施加2 h电流应力后,芯片发光强度衰减至初始值的约43%,反向漏电流显著增大,且在-10 V偏压下的超低频噪声功率谱密度增幅达4个数量级,证实缺陷态密度增加是导致光电特性退化的主要因素。此外,热成像分析显示,应力时间延长至约5 h时,芯片表面热点区域面积呈现指数级扩展趋势,最终因局部介质击穿或金属互连桥接而引发突发性短路失效。同时发现,在芯片结温114.8℃的热应力下仅造成约22%的发光强度衰减,而强制散热条件下发光强度衰减幅度(约43%)与无散热条件基本相当。该现象表明载流子注入诱导的缺陷增殖是芯片退化的主导机制,其对性能退化的贡献度约为热效应的两倍。 展开更多
关键词 微型发光二极管(micro-led) 超低频噪声 结温 突发性短路 发光强度
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Investigation of Quantum Dot Color Filter Micro-LED Display
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作者 Xuhui PENG Yang ZENG +3 位作者 Sitao HUO Zhenyuan YANG Xiaoping HUANG Qing ZHAO 《Photonic Sensors》 SCIE EI CSCD 2024年第1期40-47,共8页
In this work,we present the investigation of the quantum dot color filter(QDCF)micro-light emitting diode(micro-LED)display.Green and red quantum dot photoresist(QDPR)materials are patterned into a pixelated array and... In this work,we present the investigation of the quantum dot color filter(QDCF)micro-light emitting diode(micro-LED)display.Green and red quantum dot photoresist(QDPR)materials are patterned into a pixelated array and precisely bonded with an all-blue micro-light emitting diode(micro-LED)substrate,forming a red,green,and blue(RGB)full color display through color conversion.A few factors that influence the achievable color gamut are further investigated.The resulting 1.1-inch 228-pixels per inch(ppi)display demo shows the good performance.The findings in this paper pave a way to the future industrialization of the micro-LED display. 展开更多
关键词 Quantum dot color filter(QDCF) color conversion micro-light emitting diode(micro-led) color gamut
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高亮绿光氮化镓基Micro-LED微型显示器制备 被引量:1
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作者 张杰 王光华 +10 位作者 邓枫 杨文运 高思博 鲁朝宇 孟泽阳 高树雄 常诚 曹坤宇 马赛江 刘颖琪 王丽琼 《红外技术》 CSCD 北大核心 2024年第10期1186-1191,共6页
Micro-LED作为一种新型的显示技术,具有对比度高、响应快及寿命长等优点,已成为当前研究的热点。然而,尽管潜力巨大,Micro-LED技术的商业化之路仍面临诸多技术上的挑战与瓶颈。本文旨在探讨高亮绿光氮化镓基Micro-LED微型显示器的制备... Micro-LED作为一种新型的显示技术,具有对比度高、响应快及寿命长等优点,已成为当前研究的热点。然而,尽管潜力巨大,Micro-LED技术的商业化之路仍面临诸多技术上的挑战与瓶颈。本文旨在探讨高亮绿光氮化镓基Micro-LED微型显示器的制备过程及其相关技术。基于WVGA041全数字信号电路CMOS硅基驱动电路,制作了0.41 inch、分辨率为800×480的主动式单色绿光Micro-LED微型显示器。利用高精度倒装焊接技术实现了CMOS驱动电路与LED发光芯片的电气连接。结果表明,制备出LED显示芯片正常启亮电压为2.8V,EL光谱峰值波长524nm;在硅基CMOS电路驱动范围内,Micro-LED微型显示器在5V电压下,器件亮度为108000cd/m^(2)(最大亮度可达250000 cd/m^(2)),电流密度达到0.61A/cm^(2)时色坐标为(0.175,0.756)。当电流密度从0.3A/cm^(2)增加到1.3A/cm^(2)时,色坐标从(0.178,0.757)变化到(0.175,0.746),器件的色稳定性能够满足实际应用要求。 展开更多
关键词 micro-led 微型显示器 高亮单色绿光发光二级管
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用于Mini/Micro-LED芯片缺陷检测的全局特征压缩卷积神经网络 被引量:1
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作者 田心如 褚洁 +2 位作者 蔡觉平 温凯林 王宇翔 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期174-184,共11页
微型发光二极管(Mini/Micro-LED)是下一代显示技术。随着Mini/Micro-LED芯片物理尺寸的微小化,制造良品率下降、集成度激增,Mini/Micro LED芯片的快速、精确检测成为工业生产的关键。然而由于芯片尺寸小、分布密集,单个目标的特征信息... 微型发光二极管(Mini/Micro-LED)是下一代显示技术。随着Mini/Micro-LED芯片物理尺寸的微小化,制造良品率下降、集成度激增,Mini/Micro LED芯片的快速、精确检测成为工业生产的关键。然而由于芯片尺寸小、分布密集,单个目标的特征信息占比不足,且工业检测要求检测算法速度快、易部署,Mini/Micro-LED芯片缺陷检测仍面临巨大挑战。针对这些问题,设计了一种压缩注意力细节-语义互补卷积神经网络(CADSC-CNN)。在特征融合网络加入基于自注意力机制的编码器结构,更容易获取全局信息,对小目标的特征信息进行补充;同时对自注意力进行压缩操作减少模型的参数量,提高检测速率。此外,通过工业相机采集的Mini/Micro-LED数据集验证该方法的有效性。实验表明,该方法的平均精度均值(mAP)达到了95.6%,速度为100.6 fps。 展开更多
关键词 缺陷检测 Mini/micro-led 卷积神经网络 自注意力
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基于色转换层的Micro-LED全彩色显示专利分析 被引量:1
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作者 罗晓雅 《电视技术》 2024年第6期163-166,共4页
Micro-LED因其发光效率高、亮度高、响应时间短的优良性能,能够满足高分辨率、高亮度的新型显示需求,被视为下一代新型显示技术。针对基于色转换层的Micro-LED全彩色显示专利技术进行分析,统计该领域的专利申请趋势、地域分布和主要申请... Micro-LED因其发光效率高、亮度高、响应时间短的优良性能,能够满足高分辨率、高亮度的新型显示需求,被视为下一代新型显示技术。针对基于色转换层的Micro-LED全彩色显示专利技术进行分析,统计该领域的专利申请趋势、地域分布和主要申请人,梳理该领域的主要研究方向和重点专利,为后续相关领域的技术研发、专利申请和专利布局提供参考依据。 展开更多
关键词 micro-led 色转换 量子点 全彩色
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240 nm AlGaN-based deep ultraviolet micro-LEDs:size effect versus edge effect 被引量:4
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作者 Shunpeng Lu Jiangxiao Bai +6 位作者 Hongbo Li Ke Jiang Jianwei Ben Shanli Zhang Zi-Hui Zhang Xiaojuan Sun Dabing Li 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2024年第1期55-62,共8页
240 nm AlGaN-based micro-LEDs with different sizes are designed and fabricated.Then,the external quantum efficiency(EQE)and light extraction efficiency(LEE)are systematically investigated by comparing size and edge ef... 240 nm AlGaN-based micro-LEDs with different sizes are designed and fabricated.Then,the external quantum efficiency(EQE)and light extraction efficiency(LEE)are systematically investigated by comparing size and edge effects.Here,it is revealed that the peak optical output power increases by 81.83%with the size shrinking from 50.0 to 25.0μm.Thereinto,the LEE increases by 26.21%and the LEE enhancement mainly comes from the sidewall light extraction.Most notably,transversemagnetic(TM)mode light intensifies faster as the size shrinks due to the tilted mesa side-wall and Al reflector design.However,when it turns to 12.5μm sized micro-LEDs,the output power is lower than 25.0μm sized ones.The underlying mechanism is that even though protected by SiO2 passivation,the edge effect which leads to current leakage and Shockley-Read-Hall(SRH)recombination deteriorates rapidly with the size further shrinking.Moreover,the ratio of the p-contact area to mesa area is much lower,which deteriorates the p-type current spreading at the mesa edge.These findings show a role of thumb for the design of high efficiency micro-LEDs with wavelength below 250 nm,which will pave the way for wide applications of deep ultraviolet(DUV)micro-LEDs. 展开更多
关键词 ALGAN deep ultraviolet micro-leds light extraction efficiency size effect edge effect
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A single micro-LED manipulation system based on micro-gripper 被引量:2
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作者 Jie Bai Pingjuan Niu +2 位作者 Erdan Gu Jianming Li Clarence Augustine TH Tee 《Nanotechnology and Precision Engineering》 EI CAS CSCD 2024年第2期41-48,共8页
Micro-LEDs(μLEDs)have advantages in terms of brightness,power consumption,and response speed.In addition,they can also be used as micro-sensors implanted in the body via flexible electronic skin.One of the key techni... Micro-LEDs(μLEDs)have advantages in terms of brightness,power consumption,and response speed.In addition,they can also be used as micro-sensors implanted in the body via flexible electronic skin.One of the key techniques involved in the fabrication ofμLED-based devices is transfer printing.Although numerous methods have been proposed for transfer printing,improving the yield ofμLED arrays is still a formidable task.In this paper,we propose a novel method for improving the yield ofμLED arrays transferred by the stamping method,using an innovative design of piezoelectrically driven asymmetric micro-gripper.Traditional grippers are too large to manipulateμLEDs,and therefore two micro-sized cantilevers are added at the gripper tips.AμLED manipulation system is constructed based on the micro-gripper together with a three-dimensional positioning system.Experimental results using this system show that it can be used successfully to manipulateμLED arrays. 展开更多
关键词 MICRO-GRIPPER micro-led Transfer printing MANIPULATION
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