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数字PWM驱动的像素化GaN基Micro-LED显示屏研究
1
作者 陈辉煌 叶金宇 +4 位作者 林怡彬 吴朝兴 郭太良 周雄图 张永爱 《光电子技术》 2026年第1期48-53,共6页
针对传统刻蚀工艺导致Micro-LED器件侧壁损伤的技术难题,利用离子注入技术成功实现了Micro-LED的像素化,并制备了高性能的GaN基PM Micro-LED显示阵列。采用FPGA作为控制器件,设计了相应的行列驱动电路,成功驱动了Micro-LED显示阵列;引... 针对传统刻蚀工艺导致Micro-LED器件侧壁损伤的技术难题,利用离子注入技术成功实现了Micro-LED的像素化,并制备了高性能的GaN基PM Micro-LED显示阵列。采用FPGA作为控制器件,设计了相应的行列驱动电路,成功驱动了Micro-LED显示阵列;引入了电压转换和电阻调节模块,通过调节输出电压或者电流,有效调节显示亮度,并通过全点亮测试了Micro-LED显示阵列不同电压下的器件性能。此外,通过数字PWM调制方式实现了不同灰度等级的显示,并引入亮度校正模块以优化显示效果。最后,在高灰度图像数据传输中,通过并行处理数据传输与显示,最终实现了1024个灰度等级。 展开更多
关键词 像素化微型发光二极管 离子注入 数字脉冲宽度调制 1024灰度等级
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微显示技术LCoS、Micro-OLED与Micro-LED分析与前景展望
2
作者 王绍华 黄博 夏军 《光电子技术》 2026年第1期1-23,共23页
综述了LCoS(硅基液晶)、Micro-OLED(硅基有机发光二极管)和Micro-LED(微型发光二极管)为代表的微显示技术发展现状,并从器件的原理、性能参数、市场趋势与应用场景切入,分别讨论了亮度、色域、寿命等关键参数提升的技术路径。研究结果表... 综述了LCoS(硅基液晶)、Micro-OLED(硅基有机发光二极管)和Micro-LED(微型发光二极管)为代表的微显示技术发展现状,并从器件的原理、性能参数、市场趋势与应用场景切入,分别讨论了亮度、色域、寿命等关键参数提升的技术路径。研究结果表明LCoS因成本优势在消费级AR设备中被广泛应用,同时,LCoS作为一种先进的光调制器,在量子光学等领域也展现出重要的应用潜力。此外,Micro-OLED显示器在当下的高端VR市场占据主导地位,而Micro-LED则被视为未来的AR显示终极方案。文章为微显示器技术的发展方向与产业趋势提供了参考。 展开更多
关键词 硅基液晶 硅基发光二极管 微型发光二极管 寿命 色域 叠层Oled
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基于Micro-LED芯片的用于管状结构3D打印的低成本光源
3
作者 魏伟 宋金德 +6 位作者 林燕丹 邹军 蔡昊源 林金填 陈磊 王琦 张国义 《光学学报(网络版)》 2026年第5期1-7,共7页
针对目前管状结构的3D光源成本较高、打印时间较长的问题,通过模拟计算优化基于微米级发光二极管(MicroLED)芯片的器件结构,设计了一种兼具高速打印能力与低成本优势的3D光源器件。利用该光源结合光固化材料,可实现圆环状、管状结构的3... 针对目前管状结构的3D光源成本较高、打印时间较长的问题,通过模拟计算优化基于微米级发光二极管(MicroLED)芯片的器件结构,设计了一种兼具高速打印能力与低成本优势的3D光源器件。利用该光源结合光固化材料,可实现圆环状、管状结构的3D打印;通过调节方形遮挡结构的参数可控制管状结构的口径,而改变打印高度则可调控开口管状产品的口径;通过设计合适的阵列光源可实现阵列管打印。该方案可实现快速、低成本和大面积的3D打印。 展开更多
关键词 3D打印 micro-led 管状结构 光线追迹法
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高像素密度GaN基Micro-LED阵列芯片的制备
4
作者 周秀衡 李玲 +4 位作者 马非凡 徐良玉 萧俊龙 唐甜 赵永周 《微纳电子技术》 2026年第4期60-67,共8页
为满足增强现实(AR)/虚拟现实(VR)等高分辨率微显示器的应用需求,设计并制备了一款0.31英寸(1英寸=2.54 cm)、1344×784分辨率的绿光微型发光二极管(Micro-LED)微显示器,采用无源矩阵驱动方式。其像素间距为5μm,像素密度为5000 PP... 为满足增强现实(AR)/虚拟现实(VR)等高分辨率微显示器的应用需求,设计并制备了一款0.31英寸(1英寸=2.54 cm)、1344×784分辨率的绿光微型发光二极管(Micro-LED)微显示器,采用无源矩阵驱动方式。其像素间距为5μm,像素密度为5000 PPI。在器件制备过程中,重点优化了氧化铟锡(ITO)透明导电膜的成膜工艺,研究对比了电子束蒸镀与磁控溅射工艺制备ITO膜层的性能差异,发现磁控溅射技术结合干法刻蚀工艺更能保障高像素密度显示阵列的薄膜质量与图形精度,并通过优化光刻胶材料(选用高分辨率、高对比度且具有强附着力的负性光刻胶),有效解决了微米级像素制备中的电极光刻偏移问题。此外,在硅背板上制备凸点下金属化层,实现了高像素密度Micro-LED显示阵列的精准集成。制备的Micro-LED微显示器展现出优异的光学与电学特性,在2.3 V驱动电压下即可实现均匀发光,亮度超过50000 cd/m^(2);驱动电压提升至4.5 V时,亮度可达5335651 cd/m^(2),充分展现了其在超高亮度显示领域的应用潜力。 展开更多
关键词 微型发光二极管(micro-led) micro-led芯片 GAN基材料 高像素密度led阵列 发光强度
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基于网络通信的高刷新率Micro-LED驱动系统
5
作者 王煌 黄忠航 +6 位作者 李洋 郎太福 夏志明 陈绍杭 兰金华 孙捷 严群 《光电子技术》 2026年第1期36-41,共6页
设计了一种基于网络通信的高刷新率Micro-LED无源驱动系统,可实现最大360 Hz的刷新率,同时通过UDP协议硬件化实现网络通信来完成数据传输。该系统选用小间距和微间距LED专用ASIC——ICND2270芯片作为系统的驱动芯片,通过控制ICND2270芯... 设计了一种基于网络通信的高刷新率Micro-LED无源驱动系统,可实现最大360 Hz的刷新率,同时通过UDP协议硬件化实现网络通信来完成数据传输。该系统选用小间距和微间距LED专用ASIC——ICND2270芯片作为系统的驱动芯片,通过控制ICND2270芯片来完成对Micro-LED阵列的行列扫描,同时为Micro-LED提供恒定的电流以及正向电压;另外以现场可编程逻辑门FPGA作为主控制器,选取UDP协议实现网络通信,利用UDP传输的高带宽性,来确保数据的实时性。为快速验证驱动系统的可行性,利用该驱动系统成功点亮了分辨率为24×48、像素间距为300μm,单个LED台面尺寸为30μm×30μm的蓝光LED阵列。系统可在分辨率为48×90的ICND2270最小拼接画面上实现最大360 Hz的帧率,具备在更高分辨率Micro-LED阵列上实现高刷新率的潜力。 展开更多
关键词 显示驱动 微型发光二极管 高刷新率
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无衬底Micro LED芯片直显研究进展
6
作者 梁劲豪 余亮 +1 位作者 陈勇林 屠孟龙 《电子与封装》 2026年第3期120-127,共8页
Micro LED技术具有众多优势,如高亮度、高对比度、高分辨率、低功耗以及长寿命等。随着芯片尺寸逐渐减小,无衬底Micro LED芯片应用研究需求越来越迫切。得益于无衬底Micro LED芯片的微小尺寸,屏体发光单元占屏体整体面积不足1%,底黑区... Micro LED技术具有众多优势,如高亮度、高对比度、高分辨率、低功耗以及长寿命等。随着芯片尺寸逐渐减小,无衬底Micro LED芯片应用研究需求越来越迫切。得益于无衬底Micro LED芯片的微小尺寸,屏体发光单元占屏体整体面积不足1%,底黑区域占比的提升能显著提高屏体的对比度。简要对比了Micro LED在PM以及AM玻璃基板上的应用。其中PM驱动玻璃基板线宽、线距最小可达12μm(传统PCB基板极限为50μm),因此PM玻璃基板更适配微小尺寸芯片。PM玻璃基板与巨量通孔技术和厚铜技术结合能实现成本与显示效果之间的平衡。同时针对玻璃基板存在的强度以及可靠性问题进行了相对应的方案设计并实现了预期目标。与之相对的AM驱动LED显示屏采用全倒装高压μA级晶片,使用电压为12 V的开关电源,通过高电压、低电流驱动模式,能显著降低电流密度,同时AM驱动的像素级精准调控支持任意区域独立升压,可实现局部峰值亮度显示。PM和AM驱动玻璃基板分别通过不同的方案实现无衬底Micro LED芯片在直显方面的应用,推动显示技术向超高清、低功耗方向迭代。 展开更多
关键词 无衬底micro led芯片 直显 PM玻璃基板 AM玻璃基板
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基于micro-LED的波分复用高速水下可见光通信系统研究
7
作者 应红 张涛 +3 位作者 王彬峰 刘涛 唐堂 惠天宇 《照明工程学报》 2025年第5期60-73,共14页
本文研究了一种基于2个商用LED和5个自行设计micro-LED的波分复用(Wavelength Division Multiplexing,WDM)超高速水下可见光通信概念验证系统。通过预均衡和正交频分复用调制技术,在0.6 m水下环境中实现了28.82 Gbps的聚合通信速率,这... 本文研究了一种基于2个商用LED和5个自行设计micro-LED的波分复用(Wavelength Division Multiplexing,WDM)超高速水下可见光通信概念验证系统。通过预均衡和正交频分复用调制技术,在0.6 m水下环境中实现了28.82 Gbps的聚合通信速率,这是目前所知基于micro-LED的水下可见光通信(Underwater Visible Light Communication,UVLC)的破纪录传输速率,较现有最高纪录(20.09 Gbps)提升43%。相对单通道455 nm micro-LED(7.23 Gbps),容量增益达4倍。此外,本研究还分析了各波长光源的调制带宽与光功率特性,并利用63%和40%衰减片模拟扩展距离传输环境。采用63%衰减片的WDM-UVLC系统可获得聚合速率为18.35 Gbps,其中最短的估算传输距离为650 nm波长的光源,仅为1.81 m。使用40%衰减片的WDM-UVLC获得了15.36 Gbps的总通信速率,最短估算传输距离为2.75 m,而对于在水环境衰减特性小的蓝绿光则能够获得超过8 m的估算传输距离。尤其对于455 nm通道SNR仅下降5 dB即可维持BER<3.8×10^(-3),验证了方案在功率波动下的鲁棒性与潜力。该研究不仅验证了波分复用技术结合micro-LED在水下高速通信中的潜力,更表明多色micro-LED是波分复用UVLC发射器的绝佳候选器件,通过特定的光学滤波器和光学设计,未来可实现更集成的波分复用系统。 展开更多
关键词 水下可见光通信 波分复用 micro-led 正交频分复用
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基于专利视角的Micro LED产业技术态势分析
8
作者 胡思思 李贞贞 《世界科技研究与发展》 2025年第5期651-662,共12页
Micro LED作为新一代显示技术,凭借高亮度、高分辨率、低功耗等特性成为全球显示产业竞争焦点。本文基于专利计量与BERTopic模型方法,对全球Micro LED技术开展专利分析,从技术分布、创新主体、技术主题、法律状态、价值分布等多个维度,... Micro LED作为新一代显示技术,凭借高亮度、高分辨率、低功耗等特性成为全球显示产业竞争焦点。本文基于专利计量与BERTopic模型方法,对全球Micro LED技术开展专利分析,从技术分布、创新主体、技术主题、法律状态、价值分布等多个维度,系统梳理了该领域的发展现状与趋势。研究表明:中国的专利申请量占据全球主导地位,但高价值专利仍集中于美国和日本等发达国家;显示设备、量子点/全彩化、显示应用、材料与元器件、芯片及显示屏六大领域是专利技术重点细分方向;巨量转移、全彩显示等关键技术仍处于突破阶段,产业生态需进一步完善;光电子与集成电路、人工智能等电子信息技术的深度融合进一步驱动Micro LED技术向高精度、高集成度方向发展。基于分析结果,本文从核心技术突破、产学研协同机制、差异化应用场景、国际竞争力提升等方面提出建议,为中国Micro LED产业高质量发展提供参考。 展开更多
关键词 micro led 专利分析 BERTopic 巨量转移 全彩显示
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Micro-LED新型显示技术的现状、挑战及展望 被引量：2
9
作者 庄喆 刘斌 《科技导报》 北大核心 2025年第2期42-51,共10页
微型发光二极管(Micro-LED)具有较好的稳定性,是当前高亮显示应用的最佳选择,其具有高对比度、低响应时间、宽工作温区、低能耗和广视角等优势,成为当前产业界和学术界比较看好的新型显示技术。综述了Micro-LED新型显示技术的原理,对比... 微型发光二极管(Micro-LED)具有较好的稳定性,是当前高亮显示应用的最佳选择,其具有高对比度、低响应时间、宽工作温区、低能耗和广视角等优势,成为当前产业界和学术界比较看好的新型显示技术。综述了Micro-LED新型显示技术的原理,对比其与现有技术的性能,从材料、器件、集成和成本良率等几个角度探讨了Micro-LED新型显示技术的关键技术挑战。未来3~5年内,Micro-LED显示技术仍然会在材料、器件、集成等技术方面存在技术创新和重大突破的关键机会,该技术支撑着未来显示产业的发展,也是中国科技创新引领全球的一次重要科技革命。建议鼓励创新,营造良好的科技创新环境,通过产学研合作解决当前Micro-LED新型显示技术的关键问题。同时发挥市场和社会资本的作用,引导产业遵循技术发展和商业发展规律。Micro-LED显示产业尽管仍面临技术挑战,但增强现实等近眼显示设备的推出,可能彻底革新现有的显示产品形态,Micro-LED显示产业市场将可能迎来爆发式增长。 展开更多
关键词 micro-led新型显示 micro-led芯片 技术挑战 产业发展
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Micro LED表面缺陷的快速高精度检测 被引量：3
10
作者 赵天元 董登峰 +2 位作者 王国名 王博 周维虎 《光学精密工程》 北大核心 2025年第9期1434-1445,共12页
为了满足Micro LED缺陷检测对实时性和高精度的要求,结合轻量化的设计和增强的特征提取能力,提出了一种快速高精度的检测算法LED-YOLO。该方法通过设计图像采集系统并结合多种数据增广策略,模拟工业环境中的实际干扰,增强了训练数据的... 为了满足Micro LED缺陷检测对实时性和高精度的要求,结合轻量化的设计和增强的特征提取能力,提出了一种快速高精度的检测算法LED-YOLO。该方法通过设计图像采集系统并结合多种数据增广策略,模拟工业环境中的实际干扰,增强了训练数据的多样性。针对Micro LED缺陷的低区分度问题,提出了轻量级动态融合模块(Lightweight Dynamic Fusion Module,LDFM),该模块结合动态卷积、深度卷积和通道混合操作,在保持模型轻量化的同时,提升了特征表达能力。为了进一步加强缺陷区域的关注,设计了增强协调注意力模块(Enhanced Coordinate Attention Module,ECAM),通过结合通道和空间注意力机制及残差连接,增强了特征提取的准确性。最后,考虑到Micro LED图像的纵横比变化较小,引入动态聚焦机制,提出了DIoU_W回归损失函数,显著提高了模型的收敛速度和稳定性。实验结果表明,LED-YOLO的检测准确率、召回率、mAP、F1值均优于目前最先进的YOLOv11s模型,在参数量减少1.6 M的情况下,检测速度和检测精度均有明显提升,可以有效满足实际Micro LED面板制造过程的质量检验需求。 展开更多
关键词 深度学习 micro led 缺陷检测 动态卷积 注意力机制
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基于量子点颜色转换层的Micro LED研究进展
11
作者 程旭东 陈祖康 +3 位作者 张针霖 朱艳青 徐刚 徐雪青 《新能源进展》 北大核心 2025年第1期107-120,共14页
微发光二极管(Micro LED)显示器是由微米级半导体发光像元阵列所组成的新型显示技术,是显示技术与LED技术复合集成的综合性技术。与液晶显示器和有机发光二极管显示器相比,Micro LED具有对比度高、功耗低、寿命长、响应时间短等优点。然... 微发光二极管(Micro LED)显示器是由微米级半导体发光像元阵列所组成的新型显示技术,是显示技术与LED技术复合集成的综合性技术。与液晶显示器和有机发光二极管显示器相比,Micro LED具有对比度高、功耗低、寿命长、响应时间短等优点。然而,由于LED芯片尺寸缩小至20μm以下,导致其吸收截面减小,使得传统的荧光粉颜色转换技术无法提供足够的亮度和产量,以满足高分辨率显示的需求。而量子点材料凭借其高量子产率、宽色域、颜色可调等优点,有望成为代替荧光粉的最佳材料。结合了量子点颜色转换技术的Micro LED光电器件具有高亮度、高效率和宽色域的优势,在显示领域具有广阔的应用前景。目前许多学界和产业界的研究者对全彩显示的Micro LED进行了深入研究,逐步实现了Micro LED的商业化。简要回顾了广泛应用于显示领域的量子点材料合成和优异性能的重要研究成果,然后以印刷技术、光刻技术、微流控技术、激光写入技术这四种效果突出的颜色转换层沉积工艺分类总结了基于量子点颜色转换技术Micro LED的全彩显示策略与性能优劣。最后,对基于量子点颜色转换层的Micro LED光电器件的应用前景进行了展望。 展开更多
关键词 量子点 micro led 颜色转换层 全彩显示
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改进相位相关与聚类思想的Micro-LED芯片显微图像拼接
12
作者 林坚普 王廷雨 +6 位作者 蔡苾芃 张建豪 梅婷 林珊玲 林志贤 乐建避 吴朝兴 《光学精密工程》 北大核心 2025年第4期641-652,共12页
针对现有Micro-LED芯片的显微图像由于存在大量相似且整齐排列的LED而导致算法拼接速度慢及准确率低的问题,本文提出了一种基于聚类思想的Micro-LED芯片显微图像拼接方法。首先使用最大类间方差法对图像进行预处理,随后使用自适应面积... 针对现有Micro-LED芯片的显微图像由于存在大量相似且整齐排列的LED而导致算法拼接速度慢及准确率低的问题,本文提出了一种基于聚类思想的Micro-LED芯片显微图像拼接方法。首先使用最大类间方差法对图像进行预处理,随后使用自适应面积拓展相位相关算法对相邻两幅图像的重叠区域进行峰值计算以求得初步配准的偏移量,接着使用图像分块联合差异值哈希算法的优化配准策略得到优化后的偏移量,最后引入基于密度的噪声应用空间聚类对可能存在的错误偏移量进行自动筛出和处理。实验结果表明本文算法平均耗时为64 ms,满足拼接实时性的需求,拼接正确率达到99.4%,配准精度控制在1个pixel之内,融合处理后在主观上可以达到完美的拼接效果,为错误偏移量导致的整体错位问题也提供了新的解决思路。本文算法有效解决了晶圆级Micro-LED芯片检测中显微图像拼接的关键环节,并可推广应用于具有重复特征且高精度要求的其他机器视觉自动化领域,具有较高的实际工程应用价值。 展开更多
关键词 图像拼接 micro-led芯片显微图像 相位相关 差异值哈希 聚类思想 缺陷检测
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侧壁修复提升237 nm AlGaN基Micro-LED光功率密度研究
13
作者 郝家龙 李宏博 +9 位作者 吕顺鹏 朱立财 孙文超 张若甲 刘钟旭 蒋科 贲建伟 张山丽 孙晓娟 黎大兵 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第6期970-978,共9页
AlGaN基深紫外Micro-LED在无掩膜光刻、日盲紫外保密通信等领域具有重要应用前景。然而,侧壁效应和电流拥挤效应严重制约高电流密度下的光功率密度。本研究制备了发光波长237 nm,台面半径分别为12.5、25.0、50.0μm的深紫外Micro-LED,... AlGaN基深紫外Micro-LED在无掩膜光刻、日盲紫外保密通信等领域具有重要应用前景。然而,侧壁效应和电流拥挤效应严重制约高电流密度下的光功率密度。本研究制备了发光波长237 nm,台面半径分别为12.5、25.0、50.0μm的深紫外Micro-LED,并系统探究了侧壁修复对不同尺寸和不同阵列化Micro-LED的影响规律。研究发现,使用KOH修复侧壁可有效降低AlGaN基深紫外Micro-LED侧壁缺陷密度,减小反向漏电流密度,同时降低由侧壁缺陷导致的肖特基-里德-霍尔(SRH)非辐射复合。对于单台面器件,器件尺寸越小,最大光功率密度越高,但侧壁效应严重制约着小尺寸器件的光功率密度,导致小尺寸器件在低电流密度下光功率密度最低,侧壁修复后,半径12.5μm的器件峰值光功率密度提升最多,提升了186%,且在不同电流密度下光功率密度均最高;对于相同发光面积的阵列化器件,侧壁修复后,阵列化程度越高,光功率密度越高,4×4阵列12.5μm的Micro-LED比半径50.0μm的器件峰值光功率密度提高了116%,其原因是在保持较低侧壁缺陷的情况下,阵列化可以提高电流密度分布均匀性,进而提高光效。该研究有助于提高Micro-LED的光功率密度,并将推动短波深紫外Micro-LED走向实际应用。 展开更多
关键词 侧壁效应 电流拥挤效应 AlGaN micro-led 侧壁修复 阵列化工程
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六边m面侧壁Micro-LED芯片制备及其光学特性研究
14
作者 邹宣沛 陈鹏 +5 位作者 徐彤 谢自立 赵红 施毅 张荣 郑有炓 《光电子技术》 2025年第3期198-203,共6页
使用标准绿光GaN-LED外延片,制备了边长为10μm的六边m面侧壁Micro-LED芯片阵列。感应耦合等离子体刻蚀芯片台面后,使用TMAH+KOH溶液修复干法刻蚀引起的侧壁损伤,同时形成自对准的标准m面侧壁。作为对比,制备了侧壁沿a面的芯片,研究了... 使用标准绿光GaN-LED外延片,制备了边长为10μm的六边m面侧壁Micro-LED芯片阵列。感应耦合等离子体刻蚀芯片台面后,使用TMAH+KOH溶液修复干法刻蚀引起的侧壁损伤,同时形成自对准的标准m面侧壁。作为对比,制备了侧壁沿a面的芯片,研究了侧壁晶面取向对Micro-LED性能的影响。结果表明m面侧壁芯片具备更光滑的侧壁,漏电流明显小于a面侧壁芯片。当注入电流密度为600 A/cm^(2)时,m面侧壁芯片比a面侧壁芯片外量子效率提升15%,对比侧壁未处理芯片提升82%。这些结果证明侧壁晶面的选择和损伤修复对Micro-LED发光性能提升具有显著影响,设计制备符合GaN六方晶格特征的m面侧壁,可大幅提高发光芯片效率,这为Micro-LED芯片的进一步发展提供了设计新思路。 展开更多
关键词 氮化镓六边形台面 光学特性 量子效率 微型发光二极管
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Micro-LED晶圆缺陷检测的宽光谱大视场显微物镜设计
15
作者 洪惠敏 贺文俊 《光子学报》 北大核心 2025年第3期207-220,共14页
为了实现对Micro-LED晶圆缺陷的准确和高效检测,设计了一款工作波长覆盖可见光和近红外的宽光谱、大视场、平场、复消色差显微物镜。采用正-正-负三光组结构,计算调整了各光组光焦度并分配其元件特征,实现了大视场和长工作距设计。基于B... 为了实现对Micro-LED晶圆缺陷的准确和高效检测,设计了一款工作波长覆盖可见光和近红外的宽光谱、大视场、平场、复消色差显微物镜。采用正-正-负三光组结构,计算调整了各光组光焦度并分配其元件特征,实现了大视场和长工作距设计。基于Buchdahl色散模型进行了玻璃材料的色散矢量分析并指导了初始光学系统材料替换,实现了平场复消色差设计。设计结果表明:该显微物镜的工作波长范围为420 nm~1064 nm、放大倍率为10倍、视场为3.3 mm、数值孔径为0.34、可见光波段分辨率为0.88μm、近红外波段分辨率为1.35μm、工作距为8 mm、齐焦距为95 mm。其成像质量优良,调制传递函数曲线接近衍射极限,全谱段复消色差,全视场平坦,易于加工生产,可用于检测大范围的表面以及次表面的微米级Micro-LED晶圆缺陷。 展开更多
关键词 光学设计 显微物镜 Buchdahl模型 平场复消色差 micro-led
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车用Micro-LED光源的测量与评价方法
16
作者 温莹莹 倪佩青 +1 位作者 袁金玉 潘建根 《中国照明电器》 2025年第11期16-19,共4页
Micro-LED(微型发光二极管,Micro Light Emitting Diode Display)凭借像素分辨率高、亮度高、功耗低、寿命长、稳定性高以及结构紧凑等特性,已开始应用于汽用视觉系统中,成为智能化车灯的优选光源之一。本文旨在研究客观评价Micro-LED... Micro-LED(微型发光二极管,Micro Light Emitting Diode Display)凭借像素分辨率高、亮度高、功耗低、寿命长、稳定性高以及结构紧凑等特性,已开始应用于汽用视觉系统中,成为智能化车灯的优选光源之一。本文旨在研究客观评价Micro-LED车灯的光学性能的方法,从而为智能车灯研发和认证检测提供数据支撑,重点从光源均匀性和模组的图像信息质量两个方面探讨相应测量方法与技术。为检测Micro-LED封装的发光缺陷,本文采用高空间分辨率成像亮度测量装置结合显示图像检测算法,可清晰识别尺寸40μm以下的发光单元;同时,本文还研究了Micro-LED模组的图像信息显示质量评价方法,提出采用调制传递函数的方法作为评价指标,并进一步分析该指标的测量方法,实测表明,至少需要使用0.01°的测量间隔扫描测量Micro-LED的投影图像,才可能得到能稳定收敛的评价结果。 展开更多
关键词 micro-led 智能车灯 高分辨率 图像检测
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大视场双通道Micro⁃LED晶圆缺陷光学检测系统设计
17
作者 张义博 贺文俊 洪惠敏 《计测技术》 2025年第2期56-67,共12页
为满足微型发光二极体(Micro Light Emitting Diode,Micro‐LED)芯片制造过程中多种晶圆缺陷的高精度自动检测需求,设计了一种大视场偏振双通道Micro‐LED晶圆缺陷自动光学检测系统。该系统将显微成像技术与偏振成像技术相结合,增强Micr... 为满足微型发光二极体(Micro Light Emitting Diode,Micro‐LED)芯片制造过程中多种晶圆缺陷的高精度自动检测需求,设计了一种大视场偏振双通道Micro‐LED晶圆缺陷自动光学检测系统。该系统将显微成像技术与偏振成像技术相结合,增强Micro‐LED晶圆缺陷图像的对比度,提升检测准确性;通过无限共轭显微物镜和筒镜的组合使用,扩大单次曝光中采集到的晶圆样品图像面积,提高检测效率。开展实验验证大视场双通道Micro‐LED晶圆缺陷光学检测系统的性能,结果表明:该系统放大倍率为20,照明均匀性可达91.6%,最大像方视场为33 mm;该系统的调制传递函数(Modulation Transfer Function,MTF)曲线在奈奎斯特频率31 lp/mm处接近衍射极限,可满足0.8μm的物方分辨力;该系统测量得到的偏振度图像的信息熵、边缘强度、标准差和平均梯度相较传统灰度图像的平均提升率分别为25.6%、24.9%、33%、173.3%。大视场双通道Micro‐LED晶圆缺陷光学检测系统可实时捕获不同类型缺陷的特征信息,具有识别效率高、漏检率低等优势,为Micro‐LED晶圆生产质量高精度检测提供了有力支撑。 展开更多
关键词 微型发光二极体 缺陷检测 光学设计 偏振
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GaN Micro-LED新型显示技术研究进展
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作者 黄锦鹏 赵汉章 刘斌 《光电子技术》 2025年第3期187-195,共9页
概述了Micro-LED显示技术原理、关键制备工艺及其应用领域和要求。针对Micro-LED新型显示中的共性问题,如器件尺寸效应、氮化镓全彩化、系统集成等,综述氮化镓基微型发光二极管(GaN Micro-LED)在高对比度、高亮度、低响应时间、低能耗... 概述了Micro-LED显示技术原理、关键制备工艺及其应用领域和要求。针对Micro-LED新型显示中的共性问题,如器件尺寸效应、氮化镓全彩化、系统集成等,综述氮化镓基微型发光二极管(GaN Micro-LED)在高对比度、高亮度、低响应时间、低能耗、广视角和宽工作温区的优势和当前的研究进展。 展开更多
关键词 微型发光二极管显示 尺寸效应 氮化镓全彩化技术 系统集成
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基于仿生平面复眼透镜提高AlGaN基DUV Micro-LED光提取效率
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作者 刘欢 杨涛 +3 位作者 王铠尧 刘宁炀 周文 谭起龙 《机电工程技术》 2025年第3期47-51,共5页
内全反射是限制AlGaN基深紫外微型发光二极管(DUV Micro-LED)光提取效率的重要因素之一,严重降低了深紫外LED的能量利用率和寿命。受到昆虫复眼结构高能量利用率的启发,提出了一种基于仿生平面复眼透镜提高AlGaN基Micro-LED光提取效率... 内全反射是限制AlGaN基深紫外微型发光二极管(DUV Micro-LED)光提取效率的重要因素之一,严重降低了深紫外LED的能量利用率和寿命。受到昆虫复眼结构高能量利用率的启发,提出了一种基于仿生平面复眼透镜提高AlGaN基Micro-LED光提取效率的方法。通过对中华大刀螳的复眼结构进行相位提取和重构,利用仿生平面复眼能够有效抑制介质表面的内全反射,从而实现深紫外LED光提取效率的显著提高。时域有限差分法(FDTD)仿真表明,通过在Micro-LED表面刻蚀仿生平面复眼透镜,其TE和TM模式的光提取效率分别提高了84.5%和242%。得益于仿生超构表面平面复眼透镜超薄的平面结构和工艺的兼容性,有望通过单次纳米压印提高深紫外发光二极管性能。此外,利用仿生特征的功能重构方法在大视场、结构照明和仿生结构等方面具有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 深紫外微型发光二极管 光提取效率 平面复眼透镜
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面向Micro-LED全彩显示的量子点图案化技术
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作者 李佳源 刘逸菲 +5 位作者 古宇轩 陆政宇 吴挺竹 陈忠 林岳 王树立 《发光学报》 北大核心 2025年第11期2000-2016,共17页
微型发光二极管(Micro-LED)显示技术由于其综合性能优异,被认为是“下一代新型显示技术”的有力候选者。量子点色转换方案为Micro-LED显示技术全彩化提供了低成本设计方案,近些年得到了广泛的关注和研究。除了高质量的量子点材料合成之... 微型发光二极管(Micro-LED)显示技术由于其综合性能优异,被认为是“下一代新型显示技术”的有力候选者。量子点色转换方案为Micro-LED显示技术全彩化提供了低成本设计方案,近些年得到了广泛的关注和研究。除了高质量的量子点材料合成之外,如何通过可靠的图案化技术实现量子点的微尺度阵列化集成,也是构建色转换Micro-LED全彩显示器件的关键。本文系统综述了面向Micro-LED全彩显示的量子点图案化技术,主要包括喷墨打印、光刻、电泳沉积、转移印刷、微流控技术、微孔填充、激光加工。同时,也对用以上方法制备的量子点色转换微结构及Micro-LED器件性能进行了详细阐述。最后,探讨了量子点图案化技术及其在Micro-LED全彩显示应用方面面临的挑战及未来研究方向。 展开更多
关键词 量子点 图案化 micro-led 全彩显示
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