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p型MgZnOS透明导电薄膜及其p-n结型自驱动紫外光电探测器研究
1
作者 郭紫曼 汪洋 +4 位作者 刘洋 张腾 陈剑 卢寅梅 何云斌 《发光学报》 北大核心 2025年第3期373-382,共10页
针对纯ZnO半导体的p型掺杂难题,提出采用阴(S^(2-))阳(Mg^(2+))离子复合取代、协同调控ZnO合金电子能带结构基础上,进行N受主掺杂的新思路,并采用脉冲激光沉积法成功制备了N掺杂p型透明导电MgZnOS薄膜。通过X射线衍射、透射光谱、霍尔... 针对纯ZnO半导体的p型掺杂难题,提出采用阴(S^(2-))阳(Mg^(2+))离子复合取代、协同调控ZnO合金电子能带结构基础上,进行N受主掺杂的新思路,并采用脉冲激光沉积法成功制备了N掺杂p型透明导电MgZnOS薄膜。通过X射线衍射、透射光谱、霍尔效应、X射线光电子能谱和二次离子质谱测试分析了薄膜的晶体结构、光电学性质及化学组分。实验结果表明,制备的MgZnOS∶N薄膜为六角纤锌矿结构,呈现c轴择优取向生长。薄膜在紫外-可见-近红外波段的透射率超过80%,且Mg掺杂可明显拓宽ZnO合金薄膜的光学带隙。所制备p型导电薄膜中的Mg和S含量分别为9%和25%,空穴浓度为2.02×10^(19) cm^(-3),霍尔迁移率为0.25 cm^(2)/(V∙s),电阻率为1.24Ω∙cm。在成功制备p型MgZnOS∶N薄膜的基础上,设计并制备了新型p-MgZnOS∶N/n-ZnO准同质p-n结型紫外光电探测器。器件呈现典型的二极管整流特性(开启电压约为1.21 V),且在0 V偏压下表现出稳定的自驱动紫外光响应,峰值响应度2.26 mA/W(波长为350 nm)。经分析,认为上述自驱动光响应来源于p-n结内建电场对光生载流子的有效分离和传输。本研究可为ZnO的p型掺杂研究提供有价值的参考,对开发高性能全ZnO基光电子器件具有重要意义。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 P型掺杂 mgznos P-N结
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Piezo-phototronic effect on intersubband optical absorption in ZnO/MgZnO quantum wells
2
作者 Yuchang Liu Jiuzhou Chen +5 位作者 Yonglong Yang Xiaolong Pan Xin Xue Minjiang Dan Zhengwei Xiong Zhipeng Gao 《Chinese Physics B》 2025年第8期729-733,共5页
Intersubband transition in ZnO/MgZnO quantum well has been exploited for infrared and terahertz optoelectronic applications due to its large band offset and fascinating material properties.Here,we theoretically demons... Intersubband transition in ZnO/MgZnO quantum well has been exploited for infrared and terahertz optoelectronic applications due to its large band offset and fascinating material properties.Here,we theoretically demonstrate piezophototronic effect as another way to control the intersubband absorption wavelength through quantum-confined Stark effect.The intersubband optical absorption properties under different stresses are obtained by solving the eight-band k·p Hamiltonian and coupled Schr¨odinger-Poisson equations self-consistently.By combining stress control and quantum well structure,the absorption wavelength can show infrared blueshift or redshift phenomena in a wide range.This work can provide an effective avenue to control and utilize quantum-confined Stark effect in intersubband infrared absorption and promote the relative potential optoelectronic devices. 展开更多
关键词 ZnO/MgZnO quantum well intersubband transition piezo-phototronic effect optical absorption
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高脉冲功率能量PLD法制备MgZnO薄膜中的沉积机理 被引量:7
3
作者 汪壮兵 李祥 +3 位作者 于永强 梁齐 揭建胜 许小亮 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期344-350,共7页
用PLD法成功制备了一系列高质量的MgZnO薄膜。实验中发现高脉冲能量沉积薄膜的结构和发光特性随基片温度的变化规律与低脉冲能量下的结果不一样:基片在室温时高脉冲能量制备薄膜的XRD峰的半峰全宽比高基片温度时的结果相对更小;AFM显示... 用PLD法成功制备了一系列高质量的MgZnO薄膜。实验中发现高脉冲能量沉积薄膜的结构和发光特性随基片温度的变化规律与低脉冲能量下的结果不一样:基片在室温时高脉冲能量制备薄膜的XRD峰的半峰全宽比高基片温度时的结果相对更小;AFM显示其颗粒变大,柱状生长突出;PL谱紫峰与绿峰强度比最大,结晶质量反而提高。另一方面,与低脉冲能量时相反,增大氧气压强后高脉冲能量沉积的薄膜XRD半峰全宽变窄。结合实验现象和表征,合理解释了高脉冲能量沉积的机理。室温制备高质量MgZnO薄膜的PLD沉积机理对于以后在柔性衬底上沉积薄膜的研究有重要的参考价值。 展开更多
关键词 MgZnO薄膜 脉冲激光沉积 X射线衍射 原子力显微镜 光致发光谱
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Mg含量对MgZnO薄膜光学性质的影响 被引量:6
4
作者 高丽丽 徐莹 +2 位作者 张淼 张跃林 姚斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期350-354,共5页
利用射频磁控溅射技术,高纯的氩气作为溅射气体,分别选用不同Mg含量的MgxZn1-xO陶瓷靶材,在石英衬底上生长六角纤锌矿结构的MgxZn1-xO薄膜,并对薄膜进行了后期热退火处理。研究了Mg含量对MgxZn1-xO薄膜光学性质的影响。实验结果显示,随... 利用射频磁控溅射技术,高纯的氩气作为溅射气体,分别选用不同Mg含量的MgxZn1-xO陶瓷靶材,在石英衬底上生长六角纤锌矿结构的MgxZn1-xO薄膜,并对薄膜进行了后期热退火处理。研究了Mg含量对MgxZn1-xO薄膜光学性质的影响。实验结果显示,随着Mg含量的增加,薄膜的带隙变宽;光致发光光谱中近带边发射中心蓝移,近带边紫外发射与可见光区深能级发射强度比值减小,发光质量下降;拉曼光谱仍然保持着ZnO的拉曼振动模式,但随着Mg含量的增加,E2high振动峰逐渐展宽,峰型对称性变差。分析表明,随着Mg的合金化,薄膜中产生了更多的杂质缺陷,结晶质量下降。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 MgZnO薄膜 Mg含量 光学性能
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基于PLD法制备的MgZnO薄膜紫外传感器的研究 被引量:6
5
作者 胡居广 刁雄辉 +5 位作者 李学金 林晓东 李佑国 刘毅 龙井华 李启文 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期330-335,共6页
用KrF准分子脉冲激光沉积(PLD)法,以石英为衬底,在300℃~600℃制备了MgZnO薄膜。由拉曼光谱仪、AFM、UV/vis分光光度计对薄膜进行表征,结果表明,在600℃制备薄膜有最大的禁带宽度3.78 eV,以及最好的结晶质量。在此薄膜上镀上Al电极制... 用KrF准分子脉冲激光沉积(PLD)法,以石英为衬底,在300℃~600℃制备了MgZnO薄膜。由拉曼光谱仪、AFM、UV/vis分光光度计对薄膜进行表征,结果表明,在600℃制备薄膜有最大的禁带宽度3.78 eV,以及最好的结晶质量。在此薄膜上镀上Al电极制备紫外传感器,测量了传感器的的I-V曲线、光谱响应特性,以及在365 nm紫外光辐照下的时间响应特性。传感器波长响应峰值在约320 nm;上升时间常数为9.1 ms,下降时间常数为16.5 ms。 展开更多
关键词 紫外探测器 MgZnO薄膜 温度 脉冲激光沉积
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利用脉冲激光沉积法制备高Mg掺杂的六方相MgZnO薄膜 被引量:6
6
作者 朱德亮 陈吉星 +4 位作者 曹培江 贾芳 柳文军 马晓翠 吕有明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期223-226,共4页
选用Mg0.2Zn0.8O陶瓷靶,利用脉冲激光沉积(PLD)法,在单晶Si(100)和石英衬底上生长了一系列MgZnO薄膜(MZO)。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDS)和紫外可见光透射光谱(UV-Vis)等实验手段,研究了在不同工作压强下... 选用Mg0.2Zn0.8O陶瓷靶,利用脉冲激光沉积(PLD)法,在单晶Si(100)和石英衬底上生长了一系列MgZnO薄膜(MZO)。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDS)和紫外可见光透射光谱(UV-Vis)等实验手段,研究了在不同工作压强下生长的薄膜样品的晶体结构、微观形貌和光学性能的变化。结果表明:所有的薄膜样品都是单一的ZnO六方相,禁带宽度随生长压强的升高而增加,变化范围在3.83~4.05eV之间,最短吸收边接近300nm。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 MgZnO薄膜 光学性能
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太阳盲MgZnO光电探测器 被引量:7
7
作者 蒋大勇 张吉英 +8 位作者 单崇新 吕有明 赵延民 韩舜 姚斌 张振中 赵东旭 申德振 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期743-746,共4页
利用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳妆叉指Au电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构。在室温下,实现了太阳盲MgZnO光电探测器,器件的探测峰值位于225 nm,截止边为230 nm。
关键词 MgZnO合金薄膜 太阳盲光电探测器 射频磁控溅射
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N掺杂p型MgZnO薄膜的制备与性能研究 被引量:3
8
作者 高丽丽 刘军胜 +1 位作者 张淼 张跃林 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期499-503,共5页
利用磁控溅射设备,Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,以高纯的氮气与氩气混合气体作为溅射气体,在石英衬底上沉积获得了N掺杂p型Mg0.07Zn0.93O薄膜,薄膜的电阻率为21.47Ω·cm,载流子浓度为8.38×1016 cm-3,迁移率为3.45cm2/(V·s)。... 利用磁控溅射设备,Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,以高纯的氮气与氩气混合气体作为溅射气体,在石英衬底上沉积获得了N掺杂p型Mg0.07Zn0.93O薄膜,薄膜的电阻率为21.47Ω·cm,载流子浓度为8.38×1016 cm-3,迁移率为3.45cm2/(V·s)。研究了该薄膜的结构与光学性能。实验结果显示,其拉曼光谱中出现了位于272和642cm-1左右与NO相关的振动模。低温光致发光光谱中,可以观察到位于3.201,3.384和3.469eV的3个发光峰,其中位于3.384eV的发光峰归因为导带电子到缺陷能级的复合发光,而位于3.469eV的发光峰归因为受主束缚激子(A0X)的辐射复合,这说明该N掺杂MgZnO薄膜的空穴载流子主要来自NO受主的贡献。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 MgZnO薄膜 N掺杂 P型
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用于枪击探测的紫外光传感器技术指标分析 被引量:2
9
作者 刘振吉 楚盛 +2 位作者 杨永辉 刘金 袁小兵 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期442-447,共6页
利用一款标准的日盲型紫外探测传感器对枪击火焰进行了探测实验,结合紫外光传输特性,对实验数据进行分析,提出了探测枪击火焰紫外光谱的传感器技术指标。不考虑入射角度和响应时间的影响,1km处要检测到步枪击发,传感器响应电流达到能明... 利用一款标准的日盲型紫外探测传感器对枪击火焰进行了探测实验,结合紫外光传输特性,对实验数据进行分析,提出了探测枪击火焰紫外光谱的传感器技术指标。不考虑入射角度和响应时间的影响,1km处要检测到步枪击发,传感器响应电流达到能明显检出的100nA,则传感器的响应率和响应面积乘积至少达到0.002AW-1 m2。根据一种枪击探测装置原型方案,对紫外探测传感器的透光性、日盲特性、对紫外光的响应率、入射角和短路电流等技术指标进行了分析。采用分子束外延法制备了一种MgZnO紫外探测传感器,对其紫外光谱透光率、响应率和响应时间进行了测量,进一步优化性能后有望满足枪击探测要求。 展开更多
关键词 紫外探测 火力探测 光响应率 MGZNO 日盲
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Mg_xZn_(1-x)O陶瓷靶材的制备 被引量:2
10
作者 高庆庆 冯武昌 +5 位作者 张忠健 肖超 皮陈炳 蔡雪贤 尚福亮 杨海涛 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期5-9,共5页
采用传统的常压固相烧结方法制备了MgZnO陶瓷靶材,研究了MgO掺杂量及烧结温度对MgZnO陶瓷靶材的微观结构、表面形貌、力学性能和致密度的影响。通过XRD测定靶材相结构,SEM观察靶材的断面形貌,万能实验机测量靶材的抗弯强度,维氏显微硬... 采用传统的常压固相烧结方法制备了MgZnO陶瓷靶材,研究了MgO掺杂量及烧结温度对MgZnO陶瓷靶材的微观结构、表面形貌、力学性能和致密度的影响。通过XRD测定靶材相结构,SEM观察靶材的断面形貌,万能实验机测量靶材的抗弯强度,维氏显微硬度仪测量靶材的维氏硬度,阿基米德排水法测量靶材密度等方法对MgZnO靶材的性能进行了分析表征。结果表明,当掺杂量为12%、烧结温度为1 450℃时所制备的陶瓷靶材最优,其各项性能均表现良好,抗弯强度为94.56MPa,维氏硬度为250.70HV0.3,相对密度为96.65%,并在最佳条件下制备出MgO摩尔掺杂比为12%的MgZnO陶瓷靶材,采用射频磁控溅射方法,于室温条件下在石英衬底上制备了MgZnO透明薄膜,利用XRD、紫外可见分光光度计等测试手段,测量薄膜的结晶性能、光学性能,制备出的薄膜结晶性能良好,薄膜在可见光区域具有较高的透过率,平均都超过80%,适用于TFT的有源层。 展开更多
关键词 ZNO MgZnO陶瓷靶材 烧结 透明导电薄膜 性能
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Mg含量对N掺杂MgZnO薄膜的光电性能和N掺杂行为的影响 被引量:2
11
作者 高丽丽 徐莹 +1 位作者 张淼 姚斌 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1198-1203,共6页
利用射频磁控溅射技术,在相同流量的氮气、氩气混合气体条件下,在石英基片上溅射获得了不同Mg含量的N掺杂MgxZn1-xO薄膜,并研究了Mg含量对N的掺杂行为和薄膜光电性能的影响。结果显示,在N掺杂MgxZn1-xO薄膜中,随着Mg含量的增加,薄膜的... 利用射频磁控溅射技术,在相同流量的氮气、氩气混合气体条件下,在石英基片上溅射获得了不同Mg含量的N掺杂MgxZn1-xO薄膜,并研究了Mg含量对N的掺杂行为和薄膜光电性能的影响。结果显示,在N掺杂MgxZn1-xO薄膜中,随着Mg含量的增加,薄膜的电阻率增加,载流子浓度下降;X射线电子能谱中位于395eV左右的N1s峰强逐渐减弱、甚至消失;Raman光谱中与受主NO相关的位于272cm-1、642cm-1左右的振动峰也随之减弱、消失。得到的结果表明:在N和O的化学势相同的条件下,薄膜中Mg含量对N的掺杂行为有一定的影响,随着Mg含量的增加,受主NO的掺杂浓度降低,N的掺杂状态发生变化;N掺杂MgxZn1-xO薄膜中Mg含量低时,存在NO与(N2)O两种状态;Mg含量高时,薄膜中只存在(N2)O一种形式。 展开更多
关键词 MgZnO薄膜 N掺杂 掺杂浓度 光电性能
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具有结晶孔壁介孔镁锌氧复合物(英文) 被引量:2
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作者 耿旺昌 赖小勇 李晓天 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第2期527-530,共4页
以介孔碳为硬模板经过二次填充制备了介孔镁锌氧复合物.采用X射线衍射(XRD),透射电镜(TEM),扫描电镜(SEM),N2吸附脱附等手段对材料的结构及形貌进行了表征.结果表明,所制备的材料在具有高有序介孔结构的同时还具有结晶的孔壁.孔径尺寸均... 以介孔碳为硬模板经过二次填充制备了介孔镁锌氧复合物.采用X射线衍射(XRD),透射电镜(TEM),扫描电镜(SEM),N2吸附脱附等手段对材料的结构及形貌进行了表征.结果表明,所制备的材料在具有高有序介孔结构的同时还具有结晶的孔壁.孔径尺寸均为4.0nm,比表面积均为114.5m2.g-1.广角XRD结果初步表明,材料中氧化镁和氧化锌复合形成了固溶体.该材料作为一种半导体材料有望在光学器件领域获得新的应用价值. 展开更多
关键词 介孔 MGZNO 半导体 硬模板法 结晶孔壁
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不同Mg掺杂位置对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响 被引量:2
13
作者 毛彩霞 黄海铭 胡永红 《华中师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2016年第2期190-195,共6页
通过第一性原理计算,研究了替代位和间隙位Mg掺杂对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响.结果表明,替代位Mg掺杂导致ZnO带隙展宽,而间隙位Mg掺杂ZnO形成n型半导体.比较了纯ZnO和不同Mg掺杂位置MgZnO体系的分波和总电子态密度,并解释了... 通过第一性原理计算,研究了替代位和间隙位Mg掺杂对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响.结果表明,替代位Mg掺杂导致ZnO带隙展宽,而间隙位Mg掺杂ZnO形成n型半导体.比较了纯ZnO和不同Mg掺杂位置MgZnO体系的分波和总电子态密度,并解释了相应的电子结构和光学性质的差别.发现替代位Mg掺杂和纯ZnO体系的光学特性差别较小,而间隙位Mg掺杂导致ZnO光吸收边蓝移,折射率减小,而且在可见到近紫外光区域(0到4.2eV),具有比纯ZnO更好的光透过性. 展开更多
关键词 第一性原理计算 电子结构 态密度 光学性质 MGZNO
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MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器 被引量:2
14
作者 鞠振刚 张吉英 +5 位作者 蒋大勇 单崇新 姚斌 申德振 吕有明 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期865-868,共4页
利用MOCVD在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构,实现了在10V偏压下,器件的光响应峰值在250nm,截... 利用MOCVD在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构,实现了在10V偏压下,器件的光响应峰值在250nm,截止边为273nm的MgZnO太阳盲光电探测器。 展开更多
关键词 MgZnO薄膜 太阳盲光电探测器 金属有机化学气相沉积
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氧气压强对PLD制备MgZnO薄膜光学性质的影响(英文) 被引量:1
15
作者 汪壮兵 王莉 +5 位作者 吴春艳 于永强 胡治中 梁齐 许小亮 揭建胜 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期639-645,共7页
使用准分子脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)基片上制备了高度c轴取向的MgZnO薄膜。分别使用SEM、XRD、XPS、PL谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性质。实验发现氧气压强对MgZnO薄膜的结构和光学性质有重要影响。当氧气... 使用准分子脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)基片上制备了高度c轴取向的MgZnO薄膜。分别使用SEM、XRD、XPS、PL谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性质。实验发现氧气压强对MgZnO薄膜的结构和光学性质有重要影响。当氧气压强由5 Pa增大到45 Pa时,薄膜的PL谱紫外峰蓝移了86meV,表明氧气压强的增大提高了MgZnO薄膜中Mg的溶解度。在15 Pa氧气压强下制备的薄膜显示了独特、均匀的六角纳米柱状结构,其PL谱展示了优异的发光特性,具有比其他制备条件下超强的紫外发射和微弱的可见发光。500600 nm范围内的绿光发射,我们讨论其机理可能源于深能级中与氧相关的缺陷。使用PLD得到纳米柱状结构表明:优化制备条件,可望使用PLD制备ZnO纳米阵列的外延衬底;可使用PLD技术开发基于ZnO纳米结构的高效发光器件。 展开更多
关键词 MgZnO薄膜 氧气压强 蓝移
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N2流量对N掺杂MgZnO薄膜结构和性能的影响 被引量:1
16
作者 高丽丽 李永峰 +2 位作者 徐莹 张淼 姚斌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期689-694,共6页
利用射频磁控溅射方法,使用Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,选用不同流量比的氮气和氩气混和气体作为溅射气体,在石英基片上生长N掺杂MgxZn1-xO合金薄膜。研究了氮流量比对薄膜组分、结构、形貌、电学性质和拉曼光谱的影响。结果显示:随着溅射... 利用射频磁控溅射方法,使用Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,选用不同流量比的氮气和氩气混和气体作为溅射气体,在石英基片上生长N掺杂MgxZn1-xO合金薄膜。研究了氮流量比对薄膜组分、结构、形貌、电学性质和拉曼光谱的影响。结果显示:随着溅射气氛中氮流量比的增加,薄膜中Mg含量增加,薄膜表面颗粒尺寸减小,结晶质量变差,电阻率逐渐增大,导电类型发生转变。在氮流量比为20%时,获得了最好的p型导电薄膜。另外,随着氮流量比的增加,拉曼光谱中与NO相关的位于272 cm-1、642 cm-1左右的振动峰逐渐增强,表明NO的浓度随着氮流量比的加大而有所增加。 展开更多
关键词 射频磁控溅射技术 N掺杂MgZnO薄膜 氮流量比 光电性能
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Mg_xZn_(1-x)O结构性质(英文) 被引量:2
17
作者 陈晓航 康俊勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期761-765,共5页
采用第一性原理计算模拟了不同组分的MgxZn1-xO半导体混晶的晶格常数、总能、结构,以及禁带宽度的变化。计算结果显示,随着Mg组分的增加,晶格常数逐渐减小,晶体逐渐偏离纤锌矿结构。对各种不同的Mg原子排列情况进行比较认为,MgxZn1-xO... 采用第一性原理计算模拟了不同组分的MgxZn1-xO半导体混晶的晶格常数、总能、结构,以及禁带宽度的变化。计算结果显示,随着Mg组分的增加,晶格常数逐渐减小,晶体逐渐偏离纤锌矿结构。对各种不同的Mg原子排列情况进行比较认为,MgxZn1-xO的结构随组分x的增大,发生从纤锌矿到岩盐矿的结构相变的可能性高于发生相分离。另一方面,禁带宽度随组分增大主要由价带顶的移动所致。进一步分析Mg原子各种电子态对价带的影响表明,Mg对价带顶附近能带的贡献依次来自p、d、s态电子。随着组分x的增加,p态电子在价带顶附近的密度明显提高,说明sp轨道杂化不但对晶体的几何结构产生影响,而且对其电子结构也起重要作用。 展开更多
关键词 MgZnO半导体 晶格结构 第一性原理计算
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射频磁控溅射MgZnO合金薄膜结构和光学性能研究 被引量:2
18
作者 张继德 马宏源 +2 位作者 于卓 董振江 辛春雨 《通化师范学院学报》 2016年第4期35-36,39,共3页
采用射频磁控溅射技术在Si O2衬底上制备了MgZnO合金薄膜,分别用X-射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、荧光光谱仪分析了薄膜的结构、吸收特性和光致发光特性随Mg组分改变的影响.研究结果显示:所有MgZnO合金薄膜均表现为六角钎锌矿结构,(... 采用射频磁控溅射技术在Si O2衬底上制备了MgZnO合金薄膜,分别用X-射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、荧光光谱仪分析了薄膜的结构、吸收特性和光致发光特性随Mg组分改变的影响.研究结果显示:所有MgZnO合金薄膜均表现为六角钎锌矿结构,(002)衍射峰峰位随Mg组分的增加向大角度方向移动;所有薄膜在可见区吸收较小且存在微小波动,而在紫外区出现强烈的带边吸收,且随Mg浓度增加吸收边蓝移;所有薄膜均存在较强的紫外发射峰,随着Mg组分的增加,发射峰峰值存在明显的向短波长方向移动. 展开更多
关键词 磁控溅射 MgZnO合金薄膜 结构 光学性能
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用于日盲波段的MgZnO薄膜材料和紫外探测器 被引量:8
19
作者 张吉英 蒋大勇 +3 位作者 鞠振刚 申德振 姚斌 范希武 《中国光学与应用光学》 2008年第1期80-84,共5页
考虑ZnO优秀的物理和化学性能以及由于生长温度低而具有更低的缺陷密度从而易于实现高的光电器件效率等特点,本文采用射频磁控溅射和金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在石英及蓝宝石衬底上生长了立方结构MgZnO薄膜,制备了MgZnO的MSM型... 考虑ZnO优秀的物理和化学性能以及由于生长温度低而具有更低的缺陷密度从而易于实现高的光电器件效率等特点,本文采用射频磁控溅射和金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在石英及蓝宝石衬底上生长了立方结构MgZnO薄膜,制备了MgZnO的MSM型紫外探测器。该器件实现了在日盲(太阳盲)波段的光响应,典型的光响应峰值分别在225和250 nm,截止边为230和273 nm。 展开更多
关键词 MgZnO薄膜 射频磁控溅射 金属有机化学汽相沉积 日盲紫外探测器
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宽禁带半导体日盲紫外探测器研究进展 被引量:13
20
作者 李长栋 韩慧伶 《光机电信息》 2009年第4期24-28,共5页
全固态日盲型紫外探测器具有体积小、功耗小和虚警率低等优点,在机载导弹预警方面具有广阔的应用前景。宽禁带半导体是这类探测器的首选材料,通过调节材料组分可以使响应波段落在日盲区。本文着重介绍以导弹预警为目的的宽禁带半导体紫... 全固态日盲型紫外探测器具有体积小、功耗小和虚警率低等优点,在机载导弹预警方面具有广阔的应用前景。宽禁带半导体是这类探测器的首选材料,通过调节材料组分可以使响应波段落在日盲区。本文着重介绍以导弹预警为目的的宽禁带半导体紫外探测器的研究进展和前沿动态,分析了AlGaN、MgZnO等不同材料在制备和性能方面的优势和不足,并讨论了半导体日盲紫外探测器的发展方向。 展开更多
关键词 机载导弹预警 日盲紫外探测器 ALGAN MGZNO
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