基于功率放大器的动态负载线理论,参照Si和GaAs功率器件的降额准则,总结工程应用经验得到了GaN功率器件不同等级的电压降额系数,即I级、II级、III级降额时击穿电压应分别大于工作电压的3.14倍、2.75倍、2.44倍。通过GaN功率器件可靠性...基于功率放大器的动态负载线理论,参照Si和GaAs功率器件的降额准则,总结工程应用经验得到了GaN功率器件不同等级的电压降额系数,即I级、II级、III级降额时击穿电压应分别大于工作电压的3.14倍、2.75倍、2.44倍。通过GaN功率器件可靠性试验数据预估了器件在正常工作条件下的平均失效时间(MTTF),并参考多家半导体厂家关于GaN器件结温与可靠性关系的统计数据,得出了GaN功率器件不同等级的结温降额数值,即I级、II级、III级降额结温分别为135~140、160和180℃,降额系数分别为0.6~0.62、0.71和0.8。选用一款X波段20 W GaN内匹配功率器件进行验证,在提出的I级降额条件下,该器件已安全工作超18000 h。提出的降额条件对GaN功率器件的设计和应用具有一定的指导意义。展开更多
Ga N微波功率管在基站通信等领域具有重要应用,其可靠性对相关设备的性能有直接影响。利用红外热像分析技术测量器件的峰值结温,基于专用射频加速老化试验系统,在频率为2.85 GHz、输入功率为40.5 d Bm、脉冲宽度为3 ms、占空比为30%的...Ga N微波功率管在基站通信等领域具有重要应用,其可靠性对相关设备的性能有直接影响。利用红外热像分析技术测量器件的峰值结温,基于专用射频加速老化试验系统,在频率为2.85 GHz、输入功率为40.5 d Bm、脉冲宽度为3 ms、占空比为30%的脉冲射频工作条件下,对S波段Ga N微波功率管进行了壳温为150℃的加速寿命试验。应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算,推导出该器件在壳温为90℃的工作条件下其平均失效时间可达2.97×106h。结果表明,采用此试验方法可以用来评估第三代Ga N微波功率器件的可靠性水平。展开更多
Storage network is popular solution to constraint of server in storage field. As the Gibson's standards ,the performance of multi-level networked RAID based Cluster is almost same to the improved 2D-parity. Compar...Storage network is popular solution to constraint of server in storage field. As the Gibson's standards ,the performance of multi-level networked RAID based Cluster is almost same to the improved 2D-parity. Compared with other structure, it's easy to realize.展开更多
文摘基于功率放大器的动态负载线理论,参照Si和GaAs功率器件的降额准则,总结工程应用经验得到了GaN功率器件不同等级的电压降额系数,即I级、II级、III级降额时击穿电压应分别大于工作电压的3.14倍、2.75倍、2.44倍。通过GaN功率器件可靠性试验数据预估了器件在正常工作条件下的平均失效时间(MTTF),并参考多家半导体厂家关于GaN器件结温与可靠性关系的统计数据,得出了GaN功率器件不同等级的结温降额数值,即I级、II级、III级降额结温分别为135~140、160和180℃,降额系数分别为0.6~0.62、0.71和0.8。选用一款X波段20 W GaN内匹配功率器件进行验证,在提出的I级降额条件下,该器件已安全工作超18000 h。提出的降额条件对GaN功率器件的设计和应用具有一定的指导意义。
文摘Storage network is popular solution to constraint of server in storage field. As the Gibson's standards ,the performance of multi-level networked RAID based Cluster is almost same to the improved 2D-parity. Compared with other structure, it's easy to realize.
