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GaN基激光器多量子阱垒材料的研究 被引量：1
1
作者 陈伟华 廖辉 +6 位作者 胡晓东 李睿 贾全杰 金元浩 杜为民 杨志坚 张国义 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1441-1444,共4页
在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器。同步辐射X射线衍射,电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明,... 在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器。同步辐射X射线衍射,电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明,相对于GaN垒材料,InGaN垒材料,AlInGaN四元合金垒材料更能改善多量子阱的晶体质量,提高量子阱的量子效率及降低激光器阈值电流。相关的机制为:组分调节合适的四元合金垒层中Al的掺入使得量子阱势垒高度增加,阱区收集载流子的能力增强;In的掺入能更多地补偿应力,减少了由于缺陷和位错所产生的非辐射复合中心密度;In的掺入还减小了量子阱中应力引致的压电场,电子空穴波函数空间交叠得以加强,使得辐射复合增加。 展开更多
关键词 GAN基激光器 多量子阱(MQWs) ALINGAN 垒材料
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端镜面镀膜对具有DC－PBH结构的MQW－LD光电性能的影响 被引量：1
2
作者 丁国庆 李明娟 赵俊英 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期48-52,共5页
报告了具有ＤＣ－ＰＢＨ（双沟平面掩埋异质结构）的ＭＱＷ－ＬＤ（多量子阱激光器）端镜面镀膜对阈值电流Ｉｔｈ和激射波长λｐ的影响。指出：端镜面镀高反射膜ＨＲ（反射率Ｒ２＝７５％～９０％），Ｉｔｈ可降低３．８～５．ｌｍＡ，... 报告了具有ＤＣ－ＰＢＨ（双沟平面掩埋异质结构）的ＭＱＷ－ＬＤ（多量子阱激光器）端镜面镀膜对阈值电流Ｉｔｈ和激射波长λｐ的影响。指出：端镜面镀高反射膜ＨＲ（反射率Ｒ２＝７５％～９０％），Ｉｔｈ可降低３．８～５．ｌｍＡ，λｐ加长４ｎｍ左右；端镜面镀增透膜ＡＲ（反射率Ｒ１＝１０％～１５％），Ｉｔｈ将增加３ｍＡ，波长变化趋势不明显。分析和讨论了导致这些变化的物理机理。实验结果和理论计算基本一致。 展开更多
关键词 端镜面镀膜 DC-PBH mqw-ld 半导体器件 制造工艺
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一种新型超高速多量子阱半导体激光器
3
作者 杜荣建 向望华 +3 位作者 张贵忠 裴新 张良 朱向宇 《光通信研究》 北大核心 2003年第4期64-66,70,共4页
报道了一种主要用作超高速光纤通信光时分复用(OTDM)系统的新型光源,即10GHz的被动外腔式锁模多量子阱半导体激光器,其具有脉冲宽度为2.9ps,波长调谐范围为1.53～1.57μm(40nm),输出光波长可精确稳定在1.55μm,锁模光脉冲的重复频率为10... 报道了一种主要用作超高速光纤通信光时分复用(OTDM)系统的新型光源,即10GHz的被动外腔式锁模多量子阱半导体激光器,其具有脉冲宽度为2.9ps,波长调谐范围为1.53～1.57μm(40nm),输出光波长可精确稳定在1.55μm,锁模光脉冲的重复频率为10GHz,平均输出光功率为1mW及较小的时间抖动性(<0.6ps)等优点。 展开更多
关键词 光纤通信 光时分复用 OTDM 锁模半导体激光器 多量子阱半导体激光器
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第六讲 光发射原理和器件
4
作者 原荣 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2003年第6期47-50,共4页
介绍光发射二极管原理和器件。
关键词 发光二极管 激光器 多量子阱激光器 垂直腔表面发射激光器
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干涉型光纤水听器调制光源的一种实现方法 被引量：2
5
作者 潘平 郑黎 +1 位作者 陈良益 何俊华 《光学与光电技术》 2005年第2期18-21,共4页
直接调制光源(多量子阱激光器)的相位载波零差检测方式,在干涉型光纤水听器的信号检测技术中具有明显的优越性。详细描述了采用高频正弦波,对多量子阱分布反馈激光器进行直接驱动调制的一种实现方法。实验表明达到了水听器对光源高频稳... 直接调制光源(多量子阱激光器)的相位载波零差检测方式,在干涉型光纤水听器的信号检测技术中具有明显的优越性。详细描述了采用高频正弦波,对多量子阱分布反馈激光器进行直接驱动调制的一种实现方法。实验表明达到了水听器对光源高频稳定的要求。该调制技术也可应用于光纤通信等领域。 展开更多
关键词 多量子阱分布反馈激光器 干涉型光纤水听器 驱动电源
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金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅰ) 被引量：2
6
作者 王涛 姚键全 张国义 《物理》 CAS 北大核心 2005年第9期648-653,699,共7页
文章评论性地介绍了金属有机化学气相外延技术(MOCVD)生长氮化物半导体GaN和InGaN以及激子局域化效应、量子束缚斯塔克效应对它们的光学性能的影响,详细比较了这两种效应对GaN基半导体发光二极管和激光二极管特性的影响,特别是量子束缚... 文章评论性地介绍了金属有机化学气相外延技术(MOCVD)生长氮化物半导体GaN和InGaN以及激子局域化效应、量子束缚斯塔克效应对它们的光学性能的影响,详细比较了这两种效应对GaN基半导体发光二极管和激光二极管特性的影响,特别是量子束缚斯塔克效应以显著不同的方式影响着发光二极管和激光二极管的性能;文章还讨论了在A面蓝宝石衬底上生长GaN的情况. 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积外延(MOCVD) INGAN GaN 发光二极管 激光二极管 多量子阱 金属有机化学气相沉积 氮化物半导体 外延技术 生长
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碰撞锁模多量子阱半导体激光器模式锁定过程的物理模型
7
作者 陈维友 祝进田 刘式墉 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第11期877-883,共7页
提出了碰撞锁模多量子阱激光器模式锁定过程的完整的物理模型，该模型全面地考虑了吸收体的饱和吸收效应和瞬态光栅效应及增益区端面附近和靠近吸收体处的瞬态光栅作用。作为应用实例采用本模型研究了多量子阱结构激光器的模式锁定过程... 提出了碰撞锁模多量子阱激光器模式锁定过程的完整的物理模型，该模型全面地考虑了吸收体的饱和吸收效应和瞬态光栅效应及增益区端面附近和靠近吸收体处的瞬态光栅作用。作为应用实例采用本模型研究了多量子阱结构激光器的模式锁定过程及瞬态光栅对脉冲半峰宽及峰值功率的影响。 展开更多
关键词 半导体激光器 多量子阱 碰撞锁模 锁定 物理模型
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