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5Cr5MoWSi钢表面改性及其摩擦学性能研究
被引量：
4
1
作者
莫德云
弓满锋
+1 位作者
吴合槟
宋日汉
《机械设计与制造》
北大核心
2020年第12期95-99,共5页
采用不同的固体渗碳热处理工艺对5Cr5MoWSi钢进行表面改性处理,利用维氏显微硬度计测量试样表面硬度,结合压痕形貌分析优选具有较好综合性能的实验方案,进而通过不同载荷下的往复式干摩擦磨损试验,对比处理前后试样的耐磨性能,并结合SEM...
采用不同的固体渗碳热处理工艺对5Cr5MoWSi钢进行表面改性处理,利用维氏显微硬度计测量试样表面硬度,结合压痕形貌分析优选具有较好综合性能的实验方案,进而通过不同载荷下的往复式干摩擦磨损试验,对比处理前后试样的耐磨性能,并结合SEM和XRD等对试样磨损前后表面形貌、物相及摩擦磨损机理变化进行了系统研究。研究结果表明:经P2号实验方案(预热升温1.5h至650℃,保温透烧0.5h,渗碳升温1.5h至1010℃保温渗碳0.5h,空冷至常温)渗碳热处理后的5Cr5MoWSi钢硬度达到862HV10kgf,较热处理前试样表面硬度提高了46%;进一步分析发现该材料磨损机理主要表现为黏着磨损和磨粒磨损;不同载荷下的平均摩擦系数和磨损率相比较于热处理前试样相关性能分别下降约7.8%和约85.7%,说明该热处理工艺不仅能够显著提高5Cr5MoWSi钢表面硬度,而且进一步增强材料耐磨擦磨损性能,材料使用寿命有较大提高。
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关键词
5Cr5
mowsi
钢
摩擦磨损
渗碳表面改性
维氏显微硬度
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职称材料
低阻Mo/WSi_x/GaAs复合难熔栅研究
2
作者
王庆康
史常忻
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第3期213-214,共2页
W_5Si_3作为难熔栅金属材料,在高性能GaAs电路中已有良好应用.但W_5Si_3材料的电阻率为120μΩ·cm左右,在亚微米栅工艺中使栅电阻偏高,不利于降低器件噪声,特别是在MMIC电路中的应用.故必须寻求新的低电阻率的、与GaAs有良好肖特...
W_5Si_3作为难熔栅金属材料,在高性能GaAs电路中已有良好应用.但W_5Si_3材料的电阻率为120μΩ·cm左右,在亚微米栅工艺中使栅电阻偏高,不利于降低器件噪声,特别是在MMIC电路中的应用.故必须寻求新的低电阻率的、与GaAs有良好肖特基接触特性的难熔金属栅材料.本文介绍一种低阻Mo/WSi_x复合难熔金属栅材料的特性及与GaAs的接触性能的研究结果.包括用粉末冶金靶制备WSi_x膜和复合膜Mo/WSi_x的制备.
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关键词
金属材料
WSI
mowsi
工艺粉末冶金
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职称材料
题名
5Cr5MoWSi钢表面改性及其摩擦学性能研究
被引量：
4
1
作者
莫德云
弓满锋
吴合槟
宋日汉
机构
岭南师范学院机电工程研究所
华南农业大学工程学院
出处
《机械设计与制造》
北大核心
2020年第12期95-99,共5页
基金
广东省自然科学项目(2018A030307017)
湛江市科技攻关项目(2016B01012)
大学生创新创业训练计划项目(201710579542)。
文摘
采用不同的固体渗碳热处理工艺对5Cr5MoWSi钢进行表面改性处理,利用维氏显微硬度计测量试样表面硬度,结合压痕形貌分析优选具有较好综合性能的实验方案,进而通过不同载荷下的往复式干摩擦磨损试验,对比处理前后试样的耐磨性能,并结合SEM和XRD等对试样磨损前后表面形貌、物相及摩擦磨损机理变化进行了系统研究。研究结果表明:经P2号实验方案(预热升温1.5h至650℃,保温透烧0.5h,渗碳升温1.5h至1010℃保温渗碳0.5h,空冷至常温)渗碳热处理后的5Cr5MoWSi钢硬度达到862HV10kgf,较热处理前试样表面硬度提高了46%;进一步分析发现该材料磨损机理主要表现为黏着磨损和磨粒磨损;不同载荷下的平均摩擦系数和磨损率相比较于热处理前试样相关性能分别下降约7.8%和约85.7%,说明该热处理工艺不仅能够显著提高5Cr5MoWSi钢表面硬度,而且进一步增强材料耐磨擦磨损性能,材料使用寿命有较大提高。
关键词
5Cr5
mowsi
钢
摩擦磨损
渗碳表面改性
维氏显微硬度
Keywords
5Cr5
mowsi
Steel
Tribological Properties
Carburization Surface Modification
Vickers Micro Hardness Correspondence
分类号
TH16 [机械工程—机械制造及自动化]
TG15 [金属学及工艺—热处理]
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职称材料
题名
低阻Mo/WSi_x/GaAs复合难熔栅研究
2
作者
王庆康
史常忻
机构
上海交通大学微电子技术研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第3期213-214,共2页
基金
国家自然科学基金重大项目
文摘
W_5Si_3作为难熔栅金属材料,在高性能GaAs电路中已有良好应用.但W_5Si_3材料的电阻率为120μΩ·cm左右,在亚微米栅工艺中使栅电阻偏高,不利于降低器件噪声,特别是在MMIC电路中的应用.故必须寻求新的低电阻率的、与GaAs有良好肖特基接触特性的难熔金属栅材料.本文介绍一种低阻Mo/WSi_x复合难熔金属栅材料的特性及与GaAs的接触性能的研究结果.包括用粉末冶金靶制备WSi_x膜和复合膜Mo/WSi_x的制备.
关键词
金属材料
WSI
mowsi
工艺粉末冶金
分类号
TF125.241 [冶金工程—粉末冶金]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
5Cr5MoWSi钢表面改性及其摩擦学性能研究
莫德云
弓满锋
吴合槟
宋日汉
《机械设计与制造》
北大核心
2020
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
低阻Mo/WSi_x/GaAs复合难熔栅研究
王庆康
史常忻
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1991
0
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职称材料
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