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N沟E/D MOSLSI中耗尽型负载器件的制作及其电特性的控制
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作者 潘桂忠 徐士耕 《微电子学与计算机》 1980年第Z1期59-71,共13页
本文介绍了铝栅N沟E/D MOS电路中双介质栅MNOS耗尽型负载器件的制作及其电特性的控制。研究了双层栅介质厚度和Si_3N_4生长条件对耗尽型负载器件在零栅压时的漏源电流I_0的影响。并发现,负载器件(?)强烈依赖于SiO_2膜厚度,它随SiO_2厚... 本文介绍了铝栅N沟E/D MOS电路中双介质栅MNOS耗尽型负载器件的制作及其电特性的控制。研究了双层栅介质厚度和Si_3N_4生长条件对耗尽型负载器件在零栅压时的漏源电流I_0的影响。并发现,负载器件(?)强烈依赖于SiO_2膜厚度,它随SiO_2厚度增加而减小,而与Si_3N_4淀积条件及其厚度关系不显著。因此,严格控制SiO_2膜厚度以实现负载器件所要求的(?)值是极为重要的。夹断电压V_(TL)及衬底偏置效应得到了应有的控制并满足了电路要求。耗尽型负载管和增强型驱动管可直接集成,构成了铝栅N沟E/D MAOS/MNOS电路。 展开更多
关键词 夹断电压 零偏电流 增强型 膜厚度 负载管 E/D moslsi 器件 电特性
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