期刊文献+
共找到21篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
MOSFET漏源极电压反馈限流
1
作者 万文斌 王民康 文明 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2006年第6期134-135,共2页
介绍了一种脉宽调制(PWM)电机调速系统的电流控制方法。根据MOSFET的自身导通电压与电流之间的关系特性,对MOSFET漏-源极电压进行采样,并结合控制触发脉冲,实现了对功率器件的脉宽限制,达到了电流限制目的,从而省去了电流直接检测元件,... 介绍了一种脉宽调制(PWM)电机调速系统的电流控制方法。根据MOSFET的自身导通电压与电流之间的关系特性,对MOSFET漏-源极电压进行采样,并结合控制触发脉冲,实现了对功率器件的脉宽限制,达到了电流限制目的,从而省去了电流直接检测元件,具有很好的实际应用价值。 展开更多
关键词 脉宽凋制 控制/金属-氧化物-半导体-场效应晶体管 漏-源极电压
在线阅读 下载PDF
设计参数对射频SOI开关功率承受能力影响研究
2
作者 刘张李 《电子技术应用》 2025年第9期30-34,共5页
通过比较分析研究射频开关管宽度与堆叠级数变化和栅极与体区偏置电阻对射频开关性能的影响,主要包括前两级射频开关管宽度、不同级数射频开关管宽度、逐步变化射频开关管宽度和偏置电阻等设计参数,对射频开关插入损耗、隔离度和功率承... 通过比较分析研究射频开关管宽度与堆叠级数变化和栅极与体区偏置电阻对射频开关性能的影响,主要包括前两级射频开关管宽度、不同级数射频开关管宽度、逐步变化射频开关管宽度和偏置电阻等设计参数,对射频开关插入损耗、隔离度和功率承受能力的影响。研究结果为射频开关电路设计提供参考。 展开更多
关键词 射频开关 功率处理能力 偏置电阻 晶体管宽度
在线阅读 下载PDF
沟槽MOSFET耐压与导通电阻的优化设计 被引量:8
3
作者 乔杰 冯全源 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第12期71-76,共6页
研究了沟槽MOSFET沟槽深度和沟槽宽度对导通电阻与耐压的影响。以击穿电压65 V的沟槽MOSFET器件为研究对象,仅改变沟槽深度或沟槽宽度,详细分析了导通电阻和耐压的变化以及产生相应变化的原因。使用Sentaurus TCAD对器件进行了模拟仿真... 研究了沟槽MOSFET沟槽深度和沟槽宽度对导通电阻与耐压的影响。以击穿电压65 V的沟槽MOSFET器件为研究对象,仅改变沟槽深度或沟槽宽度,详细分析了导通电阻和耐压的变化以及产生相应变化的原因。使用Sentaurus TCAD对器件进行了模拟仿真,仿真结果表明,在控制其他参数不变的条件下,导通电阻随沟槽深度的增大而逐渐减小,随沟槽宽度的增大而略微增大;耐压随沟槽深度的增大先增大后减小,随沟槽宽度的增大逐渐增大。最后,得到了比导通电阻为0.79 mΩ·cm^2,耐压为81 V的优化设计。 展开更多
关键词 沟槽mosfet 导通电阻 击穿电压 沟槽深度 沟槽宽度
在线阅读 下载PDF
10 kV百纳秒前沿百微秒方波脉冲源的研制
4
作者 唐梦媛 蒋泽赟 丁卫东 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期175-180,共6页
针对宽频测量系统量值传递需求,基于Marx电路设计了一款单极性方波脉冲源。该脉冲源以MOSFET器件为核心,采用光纤隔离驱动方案实现10 kV的方波脉冲输出。采用叠层结构搭建12级样机,实现了脉冲发生器的模块化与小型化。实验结果表明:该... 针对宽频测量系统量值传递需求,基于Marx电路设计了一款单极性方波脉冲源。该脉冲源以MOSFET器件为核心,采用光纤隔离驱动方案实现10 kV的方波脉冲输出。采用叠层结构搭建12级样机,实现了脉冲发生器的模块化与小型化。实验结果表明:该方波脉冲源在带300 pF以下的容性负载时可实现前沿小于百纳秒、输出电压kV级别、脉宽200μs的脉冲输出。该电源适用于宽频测量设备的方波响应性能实验等脉冲功率相关用途。 展开更多
关键词 脉冲源 容性负载 mosfet MARX电路 长脉宽
在线阅读 下载PDF
双路绝缘栅型场效应管亚微秒级电火花脉冲电源 被引量:4
5
作者 裴景玉 郭常宁 +1 位作者 邓琦林 胡德金 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期1138-1142,共5页
以绝缘栅型场效应管 ( MOSFET)作为开关元件的独立式单路控制微能脉冲电源设计存在着缺陷 ,不利于稳定加工 .通过对实验中采集到的波形分析 ,找出了缺陷产生的原因 ,在此基础上 ,设计了双路控制的 MOSFET开关电路 ,并根据 MOSFET的开关... 以绝缘栅型场效应管 ( MOSFET)作为开关元件的独立式单路控制微能脉冲电源设计存在着缺陷 ,不利于稳定加工 .通过对实验中采集到的波形分析 ,找出了缺陷产生的原因 ,在此基础上 ,设计了双路控制的 MOSFET开关电路 ,并根据 MOSFET的开关特性 ,采用合理电路参数 ,计算出理论波形 .通过对比实验 ,不仅验证了实际波形与理论波形吻合 ,而且改进后的电源可以将波形有效压缩至亚微秒级 ,加工表面放电痕的形貌得到了极大改善 ,提高了加工的尺寸精度和表面精度 。 展开更多
关键词 绝缘栅型场效应管 放电加工 脉冲电源
在线阅读 下载PDF
基于半导体开关和LTD技术的高重频快沿高压脉冲源 被引量:10
6
作者 郭帆 贾伟 +5 位作者 谢霖燊 杨实 陈志强 汤俊萍 李俊娜 杨天 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期113-117,共5页
采用快开通功率MOSFET,通过优化驱动电路、磁芯参数以及耦合结构,设计了基于半导体开关和直线变压器驱动源(LTD)技术的高重频快沿高压脉冲源。该脉冲源由四级LTD串联而成,可实现单次脉冲和最高频率2 MHz脉冲串输出。脉冲最高幅值约2.3kV... 采用快开通功率MOSFET,通过优化驱动电路、磁芯参数以及耦合结构,设计了基于半导体开关和直线变压器驱动源(LTD)技术的高重频快沿高压脉冲源。该脉冲源由四级LTD串联而成,可实现单次脉冲和最高频率2 MHz脉冲串输出。脉冲最高幅值约2.3kV,上升沿约7ns,脉宽约90ns,下降沿约20ns,输出电压效率约95%。该脉冲源结构紧凑,输出脉冲稳定,实现了模块化设计,可作为重频电磁脉冲模拟源使用。 展开更多
关键词 功率mosfet 直线变压器驱动源 高重频 窄脉冲 小型化 模块化
在线阅读 下载PDF
改进型脉宽调制DC/DC变换芯片的实现 被引量:4
7
作者 胡黎强 林争辉 李晓庆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期41-44,共4页
提出了一种改进型的脉宽调制DC/DC变换器的电路结构,该电路具有结构简单、功耗低、转换效率高等特点。根据FOUNDRY提供的模型参数,用EDA工具对芯片主要电路和整个电源系统进行了模拟,给出了模拟结果。采用3mmP阱双层多晶、单层金属CMOS... 提出了一种改进型的脉宽调制DC/DC变换器的电路结构,该电路具有结构简单、功耗低、转换效率高等特点。根据FOUNDRY提供的模型参数,用EDA工具对芯片主要电路和整个电源系统进行了模拟,给出了模拟结果。采用3mmP阱双层多晶、单层金属CMOS工艺制造芯片。 展开更多
关键词 脉宽调制 CMOS 电源管理芯片 功能mosfet 脉宽调制DC/DC变换芯片
在线阅读 下载PDF
基于场效应管的大功率直流电机驱动电路设计 被引量:28
8
作者 胡发焕 邱小童 蔡咸健 《电机与控制应用》 北大核心 2011年第4期21-24,共4页
以增强型场效应管为核心,基于H桥脉宽调制(PWM)控制原理,利用光电隔离器设计了一种大功率直流电机驱动控制电路,该电路能够很好地满足直流电机正、反转控制和调速的需要。试验表明该驱动控制电路具有性能稳定、驱动能力大、抗干扰能力... 以增强型场效应管为核心,基于H桥脉宽调制(PWM)控制原理,利用光电隔离器设计了一种大功率直流电机驱动控制电路,该电路能够很好地满足直流电机正、反转控制和调速的需要。试验表明该驱动控制电路具有性能稳定、驱动能力大、抗干扰能力强等特点。 展开更多
关键词 H桥电路 脉宽调制 直流电机驱动器 功率型场效应管
在线阅读 下载PDF
基于PIC16F688单片机的电感测量电路设计 被引量:4
9
作者 张威 言忆芳 施敏 《微型机与应用》 2013年第15期25-27,共3页
提出了一种基于PIC16F688单片机的电感测量系统方案。利用PIC16F688单片机产生一个可调宽度的单脉冲信号,单脉冲的宽度范围为13μs~1.05ms;通过驱动芯片开关低耗高速MOSFET,在脉冲持续时间内使电感导通产生电流变化值来实现电感值的测... 提出了一种基于PIC16F688单片机的电感测量系统方案。利用PIC16F688单片机产生一个可调宽度的单脉冲信号,单脉冲的宽度范围为13μs~1.05ms;通过驱动芯片开关低耗高速MOSFET,在脉冲持续时间内使电感导通产生电流变化值来实现电感值的测量。以标称值450μH的电感测量为例,单脉冲宽度为300μs时,对应的电感测量值为455.36μH,相对误差为1.2%。该系统结构紧凑,操作方便,且具有测量精度高、响应快、测量范围宽的优点。 展开更多
关键词 PIC16F688 电感测量 可调宽度单脉冲信号 高速mosfet开关电路
在线阅读 下载PDF
大功率步进电机驱动
10
作者 张永相 邓成中 王立新 《四川工业学院学报》 1997年第2期1-3,共3页
本文通过大型车床的数控改造实践,论述了大功率步进电机驱动电源中脉宽调制斩波和专用大功率驱动器件的问题。
关键词 步进电机 脉宽调制 场效应晶体管 驱动电源
在线阅读 下载PDF
微秒级脉冲电化学抛光工艺的研究
11
作者 胡云龙 王天霁 《机械工程师》 2007年第1期26-28,共3页
介绍了微秒级脉冲斩波器的研制以及不锈钢表面的脉冲电化学抛光工艺,通过工艺试验,初步分析了各脉冲参数、加工时间等工艺参数对抛光质量的影响,与直流电及宽脉冲作用下的电化学抛光相比,获得了更好的加工效果。
关键词 微秒级脉冲新波器 mosfet 脉冲电化学抛光 脉冲宽度
在线阅读 下载PDF
用低压MOS管设计高压开关电源的实现方法 被引量:1
12
作者 宋志强 王军 丁传东 《西华大学学报(自然科学版)》 CAS 2006年第6期80-82,85,共4页
在传统开关电源设计基础上,提出了一种可以有效防止开关管被击穿的变频器电源的设计方法。分析了开关电源中的核心问题,即变压器反馈电压的产生及其所带来的危害,进而设计了一种基于电压调节芯片SG3525的双端推挽式开关电源,消除了三相... 在传统开关电源设计基础上,提出了一种可以有效防止开关管被击穿的变频器电源的设计方法。分析了开关电源中的核心问题,即变压器反馈电压的产生及其所带来的危害,进而设计了一种基于电压调节芯片SG3525的双端推挽式开关电源,消除了三相开关电源中MOS管由于承受电压过高而被击穿的可能,并对所设计电源的性能做出评估。 展开更多
关键词 开关电源 SG3525 脉宽调节 MOS管
在线阅读 下载PDF
PWM控制器UC2637的工作方式及应用
13
作者 贾新强 《现代电子技术》 2013年第9期127-129,共3页
现代电机控制技术日新月异,发展很快。在从事研制开发的多个型号课题中应用了直流电动舵机,而其核心部分直流电机控制方式又多采用脉冲调宽方式,对电动舵机脉冲调宽驱动芯片UC2637工作方式中的几种情况给予讨论,希望对其能够灵活运用,... 现代电机控制技术日新月异,发展很快。在从事研制开发的多个型号课题中应用了直流电动舵机,而其核心部分直流电机控制方式又多采用脉冲调宽方式,对电动舵机脉冲调宽驱动芯片UC2637工作方式中的几种情况给予讨论,希望对其能够灵活运用,并可推广到其他的使用情况中去。 展开更多
关键词 脉冲调宽(PWM) 死区 电机控制方式 mosfet
在线阅读 下载PDF
机器人关节电机功率放大器的设计与实现 被引量:1
14
作者 潘炼东 黄心汉 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期46-48,共3页
研究了用于Movemaster EX机器人的一种高性能低成本的电机功率放大器 ,对其中的关键问题进行了讨论 ,给出了一种简单实用的电流控制方法 .通过运动控制实验验证了放大器的性能 .实验结果表明 ,放大器可以较好地满足系统的要求 ,结构简... 研究了用于Movemaster EX机器人的一种高性能低成本的电机功率放大器 ,对其中的关键问题进行了讨论 ,给出了一种简单实用的电流控制方法 .通过运动控制实验验证了放大器的性能 .实验结果表明 ,放大器可以较好地满足系统的要求 ,结构简单 ,成本低 ,对其他系统设计有一定的参考价值 . 展开更多
关键词 机器人 脉宽调制 功率放大 mosfet
在线阅读 下载PDF
基于UC3845的单端反激AC-DC充电器的研究 被引量:2
15
作者 黄海峰 张凤登 《通信电源技术》 2015年第1期4-6,9,共4页
文中设计了一种基于UC3845的反激式充电器,可为柴油发电机组的蓄电池或汽车蓄电池充电。对反激式开关电路进行研究,提出了从变压器电感特性出发进行设计的方法。通过调整输出脉冲的宽度(PWM)来控制场效应开关管(MOSFET)的导通和截止时间... 文中设计了一种基于UC3845的反激式充电器,可为柴油发电机组的蓄电池或汽车蓄电池充电。对反激式开关电路进行研究,提出了从变压器电感特性出发进行设计的方法。通过调整输出脉冲的宽度(PWM)来控制场效应开关管(MOSFET)的导通和截止时间,进而获得稳定的26.5V的输出电压,4A的输出电流。改变输出端检测电阻,使之输出13.8V,6.5A的电压电流,达到为两种不同铅酸蓄电池充电的目的。最后,通过实验验证了此开关电源的可靠性,并投入生产。 展开更多
关键词 UC3845 单端反激AC-DC充电器 电感特性 脉冲宽度调制 场效应开关管
在线阅读 下载PDF
一种带脉宽保护的场效应管驱动器 被引量:1
16
作者 雷旭 罗焰娇 +1 位作者 唐旭 曾欣 《环境技术》 2021年第6期151-155,共5页
基于华虹宏力0.35μm BCD工艺,设计了一种输出峰值电流为6 A的双路场效应管驱动电路。通过输入级将TTL/CMOS信号转换为0_(~)5 V信号,再经过输入整形单元提高信号上升沿速度、控制信号占空比,然后通过缓冲单元增强信号驱动能力,通过死区... 基于华虹宏力0.35μm BCD工艺,设计了一种输出峰值电流为6 A的双路场效应管驱动电路。通过输入级将TTL/CMOS信号转换为0_(~)5 V信号,再经过输入整形单元提高信号上升沿速度、控制信号占空比,然后通过缓冲单元增强信号驱动能力,通过死区单元设置死区窗口,降低输出共态导通电流,最后采用推挽式输出级进行功率输出。使电路可以应用于6 A的大电流驱动系统和40 V的高压驱动系统,具备良好的通用性。 展开更多
关键词 脉宽保护 场效应管 驱动器
在线阅读 下载PDF
高重频可调小型高功率半导体激光电源研究 被引量:5
17
作者 张延超 孙兰君 +2 位作者 付石友 刘立宝 田兆硕 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期731-734,共4页
为了获得高功率、高重频半导体激光脉冲,设计了一种体积小、重量轻、造价低的纳米级大功率半导体激光器驱动电源。采用改进的单稳态触发器产生窄脉冲,经放大后驱动快速开关MOSFET获得大电流窄脉冲;电源脉冲电流驱动能力0A~80A,脉冲上... 为了获得高功率、高重频半导体激光脉冲,设计了一种体积小、重量轻、造价低的纳米级大功率半导体激光器驱动电源。采用改进的单稳态触发器产生窄脉冲,经放大后驱动快速开关MOSFET获得大电流窄脉冲;电源脉冲电流驱动能力0A~80A,脉冲上升时间2.8ns,下降时间3.8ns,脉冲宽度5ns~500ns范围内可调,最小5.2ns,重复频率可达200kHz。用该电源实验测试了激光波长为905nm的半导体激光器,在重复频率为10kHz时,激光脉冲峰值功率达到70W以上。结果表明,采用窄脉冲驱动MOSFET可以得到高重复频率10ns以内的大电流窄脉冲,可以驱动大功率半导体激光器,若驱动100A以上的激光器需进一步研究。 展开更多
关键词 激光技术 激光器 半导体激光电源 mosfet开关 窄脉冲 脉宽宽度可调 高重复频率
在线阅读 下载PDF
基于高频发射换能器的功放设计
18
作者 徐晓伟 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期354-356,359,共4页
介绍了D类功放应用于高频发射换能器的实用性和可行性,主要从信号产生、驱动、全桥逆变、保护、滤波等方面阐述了设计思路,并据此生产了多套功放模块,可驱动发射换能器稳定可靠工作。
关键词 高频发射换能器 脉宽调制 mosfet 过压欠压保护 LC滤波 RC吸收
在线阅读 下载PDF
Design and Implementation of Smart Power Voltage and Frequency Synchroniser in Power Distribution System
19
作者 Isaac Kofi Mensah Prah Joseph Cudjoe Attachie 《Journal of Power and Energy Engineering》 2023年第4期1-16,共16页
Voltage and frequency are usually considered and assessed independently in the design and operation of electrical networks. However, these two are linked. Each and every malfunctioning electrical system has an impact ... Voltage and frequency are usually considered and assessed independently in the design and operation of electrical networks. However, these two are linked. Each and every malfunctioning electrical system has an impact on both voltage and frequency. This paper presents the opportunity for monitoring the distributed electrical energy by means of a system that monitors, controls, and provides a breakpoint based on high or low voltage and frequency tripping mechanism that avoids any damage to the load. The designed system comprised a switch mode power supply (SMPS), a direct digital synthesizer (DDS), and PIC16F876A microcontroller techniques for stable voltage and frequency outputs. Proteus design suite version 8.11 software and Benchcope SDS1102CN were used for modeling and simulation. The hardware prototype was implemented at a telecom cell site for data capturing and analysis. Test results showed that the implementation of the prototype provided stable and constant outputs of 222 V/50 Hz and 112 V/60 Hz which constituted 99% and 99.8% efficiency for voltage and frequency performance respectively. The paper also discusses different technologies that can be adopted by the system to mitigate voltage and frequency effects on customer appliances. 展开更多
关键词 Switch Mode Power Supply Direct Digital Synthesis Pulse width Modulation H-Bridge mosfet MICROCONTROLLER FILTERING and Rectification
在线阅读 下载PDF
CATV延长放大器的开关电源工作原理及维修改进
20
作者 林娟 张一平 《山东电子》 2001年第1期38-39,41,共3页
为适应延长放大器长期、高温运行的要求,应采用MO SFET场效应管作开关管的开关电源,本文介绍电源电路、脉宽调整、工作原理以及常见故障 的维修和改进,此开关电源在有线电视和其它电子器材上,应用前景很广阔。
关键词 有线电视 延长放大器 开关电源 维修
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部