基于MOSFET电容器的直流电压非接触测量方法研究

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作者 刘国福 梁建军 《仪表技术》 2026年第2期70-74,共5页

为解决接触式电压测量对原电路的侵入性与安全性问题,基于MOSFET电容器的电容-电压特性,提出了一种非接触式直流电压测量方法。该方法通过电场耦合感应待测电压,并采用正弦信号激励与相关测量技术实现MOSFET电容的精确测量。利用LTspic... 为解决接触式电压测量对原电路的侵入性与安全性问题,基于MOSFET电容器的电容-电压特性,提出了一种非接触式直流电压测量方法。该方法通过电场耦合感应待测电压,并采用正弦信号激励与相关测量技术实现MOSFET电容的精确测量。利用LTspice软件对所设计的测量电路进行仿真,并搭建了实验系统进行验证。结果表明:该测量系统可以实现非接触式的直流电压测量,在-20~20 V测试范围内,最大相对误差小于2.50%。 展开更多

关键词 直流电压 非接触测量 mosfet电容器 电场耦合

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氧化温度与NO退火组分协同优化提升SiC MOSFET界面特性与器件性能

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作者 刘玮 陈刚 +4 位作者 夏云 桂雅雯 陈昱 田佳民 杜融鑫 《微纳电子技术》 2026年第1期104-109,共6页

针对碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)中SiC/SiO2界面态密度偏高、迁移率低、栅氧击穿场强退化与阈值电压不稳定问题,系统研究了氧化温度、NO退火组分对界面特性及器件性能的调控机制。通过设计三组对比实验(氧化温度... 针对碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)中SiC/SiO2界面态密度偏高、迁移率低、栅氧击穿场强退化与阈值电压不稳定问题,系统研究了氧化温度、NO退火组分对界面特性及器件性能的调控机制。通过设计三组对比实验(氧化温度1200~1350℃;退火温度1250~1300℃;NO组分10%~100%),制备金属-氧化物-半导体(MOS)电容、平面MOSFET及横向MOSFET。电学表征与物性分析发现:温度升至1300℃可抑制界面碳团簇,阈值电压负漂移率改善44%,但1350℃工艺因氧空位增多导致栅氧反向击穿场强下降7%;10%NO退火较100%NO显著提升场效应迁移率38%,这源于氮原子对界面悬挂键的高效钝化。在最优工艺(1300℃氧化温度结合1300℃/10%NO退火)条件下,器件综合性能最优:栅氧正向击穿场强9.65 MV/cm、迁移率14.4 cm^(2)/(V·s)、阈值电压负漂移率-9%。本研究为SiC MOSFET栅氧工艺提供了明确的参数窗口与机理解释。 展开更多

关键词 SiC金属-氧化物-半导体(MOS)电容 SiC横向金属-氧化物-半导体场效应晶体管(mosfet) 栅氧工艺 场效应迁移率 栅氧击穿场强 阈值电压漂移

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基于栅极驱动回路的SiC MOSFET开关行为调控 被引量：25

3

作者 曾正 邵伟华 +6 位作者 陈昊 胡博容 陈文锁 李辉 冉立 张瑜洁 秋琪 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第4期1165-1176,共12页

碳化硅（silicon carbide,SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET）与硅绝缘栅双极型晶体管相比,具有更低的开关损耗,更快的开关速度。但是,其高速开关过程对寄生参数非常敏感... 碳化硅（silicon carbide,SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET）与硅绝缘栅双极型晶体管相比,具有更低的开关损耗,更快的开关速度。但是,其高速开关过程对寄生参数非常敏感,容易激发高频振荡和过冲,给器件和电力电子装置的高效、安全运行带来不利影响。针对栅极驱动回路对器件开关行为的作用机理,基于电感钳位双脉冲测试电路,分析了SiC MOSFET开关过程的电路模型,并利用其数学模型分析了SiC MOSFET开关行为的典型特征,分析了不同栅极电阻、栅源电容、栅极驱动电压对开关行为的调控规律。分析发现,这些调控方法在抑制振荡和过冲的同时,会降低器件的响应速度,增加开关损耗。实验结果验证了模型与分析的正确性和有效性,可为SiC MOSFET的应用研究提供有益的支撑。 展开更多

关键词 SIC mosfet 开关行为调控 栅极电阻 栅–源电容 驱动电压

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纳米线MOSFET量子电容讨论 被引量：2

4

作者 张洪涛 《武汉工业学院学报》 CAS 2006年第4期29-31,共3页

讨论了纳米线MOSFET量子电容测量及影响因素,同时讨论了计算方法,得出量子电容为1.2 aF。观察到室温单电子遂穿现象,是一个单电子晶体管。提出了一种新的模型,解释室温出现大电流单电子库仑阻塞效应,认为是类似于库柏对电子对纳米线岛... 讨论了纳米线MOSFET量子电容测量及影响因素,同时讨论了计算方法,得出量子电容为1.2 aF。观察到室温单电子遂穿现象,是一个单电子晶体管。提出了一种新的模型,解释室温出现大电流单电子库仑阻塞效应,认为是类似于库柏对电子对纳米线岛“似单电荷”的库仑阻塞效应起作用,亦即进入岛的非单子而是电子对,出岛的也如此。这样就解释了大电流量子台阶出现的现象。 展开更多

关键词 纳米线 碳化硅 量子电容 单电子晶体管 库柏对

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基于PSpice的功率MOSFET电压尖峰防护的仿真分析

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作者 彭能岭 李振山 +2 位作者 何文博 郑维 张广利 《客车技术与研究》 2016年第2期4-6,共3页

分析功率MOSFET用于汽车电子控制器中的高边驱动时,因汽车线束杂散电感的负面效应产生高电压尖峰的机理,采用PSpice软件对并联电容型防护电路的参数匹配进行仿真分析,并提出电路设计的原则和方法。

关键词 功率mosfet 电压尖峰 PSPICE 吸收电容

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抑制SiC MOSFET桥臂串扰与栅源电压振荡的推挽式电容辅助电路分析及参数设计方法 被引量：10

6

作者 李小强 林铭恩 +2 位作者 王文杰 吴富强 贺生鹏 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期226-237,共12页

碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, SiC MOSFET)在高速开关中引起的桥臂串扰和栅极电压振荡严重制约了其开关速度。针对已提出的基于推挽式电容辅助电路(push-pull-capacito... 碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, SiC MOSFET)在高速开关中引起的桥臂串扰和栅极电压振荡严重制约了其开关速度。针对已提出的基于推挽式电容辅助电路(push-pull-capacitor auxiliary circuit, PPCAC)的SiC MOSFET驱动工作过程进行了进一步的分析。结合分析,将SiC MOSFET桥臂串扰以及漏源电压振荡引起的栅源电压振荡2个问题归一化,通过推挽电容充放电时刻以及桥臂串扰约束,提出了一种推挽电容参数设计方法。通过该设计方法,可使得PPCAC在抑制SiC MOSFET桥臂串扰与栅源电压振荡的基础上,改善其开通关断速度。实验结果验证了所提出设计的有效性。 展开更多

关键词 SiC mosfet 桥臂串扰 栅源电压振荡 推挽式电容辅助电路 开关速度

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MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制 被引量：5

7

作者 刘长柱 王林军 《电机与控制应用》 2019年第9期69-74,共6页

设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电... 设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容、寄生电感等寄生参数对漏源极电压和漏源极电流的影响。分析了栅极电压在米勒平台附近产生振荡的原因,并提出了抑制措施,对功率MOSFET的驱动设计具有一定的指导意义。 展开更多

关键词 mosfet驱动电路 米勒电容 米勒平台 振荡

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一种低耦合电容的高压SiC MOSFET驱动隔离电源设计

8

作者 黄樟坚 汪涛 +3 位作者 李响 张茂强 骆仁松 虞晓阳 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期112-121,共10页

高压SiC MOSFET更快的电压变化率dv/dt,导致其驱动遭受更严重的共模干扰,而现有高隔离电压驱动电源大多又存在耦合电容高、共模瞬态抗扰度(CMTI)能力弱、转换效率低等问题,因此该文设计一种兼具高隔离电压、高转换效率的低耦合电容驱动... 高压SiC MOSFET更快的电压变化率dv/dt,导致其驱动遭受更严重的共模干扰,而现有高隔离电压驱动电源大多又存在耦合电容高、共模瞬态抗扰度(CMTI)能力弱、转换效率低等问题,因此该文设计一种兼具高隔离电压、高转换效率的低耦合电容驱动隔离电源。首先,基于有源钳位反激变换器,提出一种驱动隔离电源耦合电容等效简化解析模型,并通过仿真、实验验证解析模型可行性;其次,基于该模型分析耦合电容影响因素及其优化方法,为低耦合电容的驱动电源设计提供参考;最后,通过实验评估所提低耦合电容高压SiC MOSFET驱动隔离电源性能。结果表明,该文驱动隔离电源额定转换效率约80%,工频耐压高达18 kV,且耦合电容不足2 pF,CMTI能力强。 展开更多

关键词 碳化硅 mosfet 解析模型 驱动电源 耦合电容

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一种新型轨道交通电源的浪涌电流抑制电路设计

9

作者 刘佳伟 席赫 +2 位作者 徐文婧 侯欣延 王闯 《电工电气》 2025年第8期20-23,29,共5页

由于轨道交通领域对电源的抗电磁干扰要求较高,故在输入端装有容量较大的滤波电容,导致开机过程中产生较大的浪涌电流。通过分析浪涌电流的产生机理,结合现有典型电路存在的不足,设计了一种新型的基于NTC热敏电阻和MOSFET器件组合的浪... 由于轨道交通领域对电源的抗电磁干扰要求较高,故在输入端装有容量较大的滤波电容,导致开机过程中产生较大的浪涌电流。通过分析浪涌电流的产生机理,结合现有典型电路存在的不足,设计了一种新型的基于NTC热敏电阻和MOSFET器件组合的浪涌电流抑制电路。该设计结合了两种器件的优势并规避了其不足,再通过仿真计算及试验验证了该电路抑制启动浪涌电流效果,能够将浪涌电流控制在额定电流的3倍以内,有效解决了轨道交通领域板级电源开机过程中浪涌电流较大的问题,具有较好的工程应用价值。 展开更多

关键词 滤波电容 浪涌电流 热敏电阻 mosfet器件

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电动汽车用高功率密度碳化硅电机控制器研究 被引量：53

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作者 张栋 范涛 +8 位作者 温旭辉 宁圃奇 李磊 邰翔 李晔 段卓琳 何国林 张少昆 郑丹 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第19期5624-5634,共11页

碳化硅(Siliconcarbide,SiC)作为世界公认的替代硅(Silicon,Si)的下一代半导体材料,具有耐压高、开关速度快、开关损耗小的优势,是实现车用电机控制器功率密度提升的关键要素。该文针对构成SiC控制器的关键部件,研究SiC金属氧化物场效... 碳化硅(Siliconcarbide,SiC)作为世界公认的替代硅(Silicon,Si)的下一代半导体材料,具有耐压高、开关速度快、开关损耗小的优势,是实现车用电机控制器功率密度提升的关键要素。该文针对构成SiC控制器的关键部件,研究SiC金属氧化物场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)模块、直流支撑电容器、控制和驱动电路以及电磁干扰(electro-magneticInterference,EMI)滤波器的设计方法。在SiC模块方面,研究多芯片并联结构MOSFET的布局评价体系,以此为基础设计包含72个SiC芯片的SiC MOSFET模块。在直流支撑电容器方面,以减小电容器体积为目标,结构上与控制器壳体统一设计,电气参数上建立描述电机系统性能与电容器容值及许用纹波电流关系的数学模型,优选最为合适的参数,减小电容器体积。在控制和驱动电路方面,通过采用非隔离电源系统、多层电路板等手段,减小电子系统的电路面积,开发出仅信用卡大小的超紧凑主控板和能够与SiC模块直接插接的紧凑型驱动板。在EMI滤波器方面,提出滤波器拓扑和滤波元件参数同步设计方法,有助于解决EMI滤波器设计中反复试验迭代和过设计的问题。基于上述研究成果,开发出峰值功率85kW,开关频率20k Hz,最高效率98.6%,功率密度37.1kW/L的全SiC电机驱动控制器。 展开更多

关键词 SiC电机控制器 SIC mosfet模块 薄膜电容器 电子系统 EMI滤波器

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直流开关电源的研究 被引量：14

11

作者 曹香凝 汪东旭 严利民 《微计算机信息》 北大核心 2005年第3期130-131,35,共3页

本文以Dickson电荷泵的基本原理为出发点,研究了一种输出是负电压的开关电容电源电路。参考功率MOSFET的电容模型通过增大驱动电路的电流减小了开关管的上升延时,提高了开关动作的速度,使转换效率得到明显提高。同时,针对开关电容的充... 本文以Dickson电荷泵的基本原理为出发点,研究了一种输出是负电压的开关电容电源电路。参考功率MOSFET的电容模型通过增大驱动电路的电流减小了开关管的上升延时,提高了开关动作的速度,使转换效率得到明显提高。同时,针对开关电容的充放电特点,采用非交叠(nonoverlap鄄ping)时钟控制信号避免了由于时钟交叠而造成的两级开关同时导通的现象,提高了电路的稳定性和可测试性。采用压控震荡器频率的变化来控制功率开关管的开关时间,有效地控制了由于负载变化而造成的输出电压不稳定等现象。此电路结构简单,性能优良,易于集成,可广泛应用于输出负电压的电源产品中。 展开更多

关键词 功率mosfet 压控震荡器 开关电容 电荷泵 转换率

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DC-DC电荷泵的研究与设计 被引量：7

12

作者 曹香凝 汪东旭 严利民 《通信电源技术》 2004年第5期14-16,27,共4页

以Dickson电荷泵的基本原理为出发点,研究了一种将正电压输入转为负电压输出的开关电容电路。由于开关电容的充放电特点,为确定电容时间常数,采用非交叠时钟控制信号避免了由于时钟交叠而造成的当电容充电还未完成即对下一级电容进行放... 以Dickson电荷泵的基本原理为出发点,研究了一种将正电压输入转为负电压输出的开关电容电路。由于开关电容的充放电特点,为确定电容时间常数,采用非交叠时钟控制信号避免了由于时钟交叠而造成的当电容充电还未完成即对下一级电容进行放电的现象。同时,参考功率MOS FET的电容模型通过增大驱动电路的电流减小了开关管的上升延时,提高了开关动作的速度,使转换效率得到明显提高。此电路结构简单,性能优良,易于集成,可广泛应用于输出负电压的电源产品中。 展开更多

关键词 功率mosfet 开关电容 电荷泵 转换率

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IR2110在无刷直流电机驱动电路中的应用 被引量：13

13

作者 程时兵 张爱军 《机电元件》 2010年第4期28-31,共4页

本文介绍了IR公司的桥式驱动集成电路芯片IR2110的内部结构及功能特点,设计了基于IR2110和功率MOSFET的无刷直流电动机驱动电路,通过对驱动电路自举电容和自举二极管等器件的合理选择,实现了无刷直流电机的电子换向和高效驱动,系统具有... 本文介绍了IR公司的桥式驱动集成电路芯片IR2110的内部结构及功能特点,设计了基于IR2110和功率MOSFET的无刷直流电动机驱动电路,通过对驱动电路自举电容和自举二极管等器件的合理选择,实现了无刷直流电机的电子换向和高效驱动,系统具有结构简单,稳定可靠等优点。 展开更多

关键词 IR2110 自举电容 无刷直流电机 MOS场效应管

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基于任务剖面的光伏逆变器综合寿命预测 被引量：6

14

作者 刘悦遐 黄萌 +1 位作者 刘懿 查晓明 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期2789-2796,共8页

提出一种考虑实际工况与环境因素的光伏逆变器综合寿命预测方法。对光伏逆变器一年内实际运行中的光照强度及温度采样值进行处理作为任务剖面,利用二重傅里叶级数得到器件的电流频谱幅值,即转换后的电流任务剖面;将电流任务剖面作为输入... 提出一种考虑实际工况与环境因素的光伏逆变器综合寿命预测方法。对光伏逆变器一年内实际运行中的光照强度及温度采样值进行处理作为任务剖面,利用二重傅里叶级数得到器件的电流频谱幅值,即转换后的电流任务剖面;将电流任务剖面作为输入,基于电热模型与寿命模型对中小功率光伏逆变器中低可靠性器件,如功率半导体开关管和电解电容进行寿命预测,最终得到光伏逆变器的综合寿命。预测结果符合光伏逆变器5~10 a寿命的实际运行情况。 展开更多

关键词 光伏逆变器 寿命预测 二重傅里叶级数 功率mosfet 电解电容

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充电桩用充电模块劣化状态评估技术研究 被引量：4

15

作者 代建港 祝令瑜 +4 位作者 陈慧敏 李颖斌 关宇 汲胜昌 熊庆 《智慧电力》 北大核心 2023年第1期108-114,130,共8页

在长期运行过程中,充电桩用充电模块的运行性能会因内部元器件状态劣化而降低。提出了一种基于元器件劣化状态的充电模块整体劣化状态评估技术。首先,构建充电模块仿真模型研究其在金属氧化物半导体场效应晶体管和铝电解电容状态劣化时... 在长期运行过程中,充电桩用充电模块的运行性能会因内部元器件状态劣化而降低。提出了一种基于元器件劣化状态的充电模块整体劣化状态评估技术。首先,构建充电模块仿真模型研究其在金属氧化物半导体场效应晶体管和铝电解电容状态劣化时的运行特性;其次,搭建充电模块劣化状态评估实验平台,测量元器件劣化参数;最后,建立评价模型评估充电模块的整体劣化状态,并得到转换效率与整体劣化状态之间的映射关系。实验结果验证了所提方法的有效性。 展开更多

关键词 充电模块 金属氧化物半导体场效应晶体管 铝电解电容 劣化状态

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TiSi_2薄膜的形成特性及TiSi_2/多晶硅复合栅结构的研究 被引量：1

16

作者 陶江 赵铁民 +3 位作者 张国炳 王阳元 汪锁发 李永洪 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第10期781-787,共7页

本文用反应生成和合金靶溅射两种方法生成了TiSi_2薄膜,并对其形成特性进行了研究,同时将所形成的TiSi_(?)薄膜应用于MOSFET和MOS电容的制作中.结合电学性反的测量和TEM(横截面)在位观察,研究了TiSi_2/多晶硅复合栅结构的特性,发现当多... 本文用反应生成和合金靶溅射两种方法生成了TiSi_2薄膜,并对其形成特性进行了研究,同时将所形成的TiSi_(?)薄膜应用于MOSFET和MOS电容的制作中.结合电学性反的测量和TEM(横截面)在位观察,研究了TiSi_2/多晶硅复合栅结构的特性,发现当多晶硅厚度小于某一临界值时,经高温炉退火后,SiO_2/Si界面将会产生许多新的界面在,SiO_(?)层中会产生缺陷.对离于注入和热扩散掺杂的两种样品,多晶硅层厚度的这个临界值几乎是相同的.根据我们的实验和分析结果,证实了在TiSi_2薄膜的形成过程中所引入的应力是产生上述现象的基本原因. 展开更多

关键词 TISI2 多晶硅 自对准技术 mosfet

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一种小功率开关磁阻电动机驱动系统设计 被引量：5

17

作者 董亮 王艳 李彩虹 《微电机》 北大核心 2009年第3期56-59,共4页

介绍一种采用IR2110驱动PowerMOSFET来完成小功率开关磁阻电动机驱动系统的设计。在功率变换器中主电路选择不对称半桥结构,给出功率元件的选择方法。针对自举式IR2110集成驱动电路,详细介绍了驱动芯片的驱动原理和应用特点,同时给出了... 介绍一种采用IR2110驱动PowerMOSFET来完成小功率开关磁阻电动机驱动系统的设计。在功率变换器中主电路选择不对称半桥结构,给出功率元件的选择方法。针对自举式IR2110集成驱动电路,详细介绍了驱动芯片的驱动原理和应用特点,同时给出了自举电容的选择和计算方法,并给出应用实例,最后给出辅助电源系统的设计方法。 展开更多

关键词 开关磁阻电动机 IR2110 mosfet 驱动系统 自举电容 实验

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全碳化硅辅助变流器功率回路振荡问题 被引量：3

18

作者 余宝伟 郭希铮 +2 位作者 部旭聪 刘伟志 游小杰 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第S02期619-626,共8页

以SiC MOSFET替代传统的Si IGBT,可获得更高的开关频率和更低的损耗,但高di/dt造成SiC MOSFET结电容和寄生电感谐振,从而引发高频振荡和过冲电压等问题。该文在充分考虑系统寄生参数的基础上,对于SiC MOSFET关断振荡建立小信号模型,推... 以SiC MOSFET替代传统的Si IGBT,可获得更高的开关频率和更低的损耗,但高di/dt造成SiC MOSFET结电容和寄生电感谐振,从而引发高频振荡和过冲电压等问题。该文在充分考虑系统寄生参数的基础上,对于SiC MOSFET关断振荡建立小信号模型,推导解耦电容对于线路寄生电感完全解耦的条件,并在频域上对高频振荡和低频振荡进行分析。在此基础上,该文针对功率回路存在的低频振荡问题,提出一种低频振荡谐振分析模型,建立阻抗分析网络对低频谐振电流进行计算。最后通过仿真和实验结果验证了关断振荡分析以及谐振电流解析的准确性,并对系统参数设计提供了指导意见。 展开更多

关键词 SiC mosfet 关断振荡 谐振电流 解析法 解耦电容

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超级电容器放电测试用电子负载 被引量：3

19

作者 高云 姜学娟 +2 位作者 周末 刘长红 龙龙 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期410-412,共3页

设计了一个电子负载,用于超级电容器的放电测试,工作在定电流(CC)模式。主要分两部分:恒流源部分和逻辑控制部分。恒流源部分采用CMOS集成电路驱动的MOSFET设计,应用功率MOSFET工作在恒流区时,漏极电流不随着VDS的电压而变化的恒流特性... 设计了一个电子负载,用于超级电容器的放电测试,工作在定电流(CC)模式。主要分两部分:恒流源部分和逻辑控制部分。恒流源部分采用CMOS集成电路驱动的MOSFET设计,应用功率MOSFET工作在恒流区时,漏极电流不随着VDS的电压而变化的恒流特性。逻辑控制部分通过数字电路实现,由计数器控制恒流源单元导通或关断。电子负载电路设计简单,受温度影响小,可以对超级电容器特性进行测试,从而了解超级电容器的性能,更好地应用超级电容器。 展开更多

关键词 电子负载 恒流源 放电测试 超级电容器 功率mosfet

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DC-DC电荷泵的研究与设计 被引量：3

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作者 曹香凝 汪东旭 严利民 《电源世界》 2004年第11期20-22,26,共4页

本文以Dickson电荷泵的基本原理为出发点,研究了一种将正电压输入转为负电压输出的开关电容电路。由于开关电容的充放电特点,为确定电容时间常数,采用非交叠(nonoverlapping)时钟控制信号,避免了由于时钟交叠而造成的电容充电还未完成... 本文以Dickson电荷泵的基本原理为出发点,研究了一种将正电压输入转为负电压输出的开关电容电路。由于开关电容的充放电特点,为确定电容时间常数,采用非交叠(nonoverlapping)时钟控制信号,避免了由于时钟交叠而造成的电容充电还未完成即对下一级电容进行放电的现象。同时,参考功率MOSFET的电容模型,通过增大驱动电路的电流减小了开关管的上升延时,提高了开关动作的速度,使转换效率得到明显提高。此电路结构简单、性能优良、易于集成,可广泛应用于输出负电压的电源产品中。 展开更多

关键词 功率mosfet 开关电容 电荷泵 转换率

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