MOS-FET共源极放大器频率特性的分析

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作者 朱利娜 付金山 尚游 《新乡学院学报》 1999年第4期76-77,共2页

本文就MOS－FET的高频等效模型对MOS－FET共源极放大器的频率计算特性进行了系统分析，并与双极型晶体管放大器相比较，得出了几点重要结论：MOS管有很高的输入电阻．因此在相同的输人电容影响下，很高的输入电阻将影响其高频响应变差；... 本文就MOS－FET的高频等效模型对MOS－FET共源极放大器的频率计算特性进行了系统分析，并与双极型晶体管放大器相比较，得出了几点重要结论：MOS管有很高的输入电阻．因此在相同的输人电容影响下，很高的输入电阻将影响其高频响应变差；MOS管用作放大时不能象双极管那样大的电压放大倍数；MOS冒产生的电噪声比双极型管要小，故适应于低噪声放大器的输入极。 展开更多

关键词 mos-fet 特性分析

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研究使用一个单元MOS-FET的10kW中波广播发射机

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作者 刘占和 蔡复江 《广播与电视技术》 北大核心 1991年第2期64-71,共8页

研制了与已经开发的10kW中波功率放大器相适应的MOS-FET方式的调幅放大设备,因而完成了输出10kW的广播发射机系统。这种新调幅放大器的设计是基于高电压、低电流状态下工作的(高阻抗负载),是功率损耗增大时的最佳设计以及防止局部温升... 研制了与已经开发的10kW中波功率放大器相适应的MOS-FET方式的调幅放大设备,因而完成了输出10kW的广播发射机系统。这种新调幅放大器的设计是基于高电压、低电流状态下工作的(高阻抗负载),是功率损耗增大时的最佳设计以及防止局部温升的理想散热设计等作为基本考虑方案,首先对MOS-FET的各种元件及参数进行了选择。其结果,输入、输出功率获得了良好的直线性,也能获得稳定的11.2kW以上功率输出。试制的调幅器单元,尺寸为230×530×700mm^3,重量21kg。由于强制风冷(风速10m/s),当发射机输出10kW时,MOS-FET的管壳表面温度升高9℃,LPF部件的线圈表温升高23℃。10kW发射机的综合特性是:总效率82%以上,失真度2%,信噪比52dB以上。 展开更多

关键词 mos-fet 10KW 中波 广播发射机

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MOS-FET与电子管OTL功放的制作

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作者 徐松森 《实用影音技术》 2005年第11期65-67,共3页

关键词 mos-fet OTL功放 电子管 制作 外形图 电路 频响

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可驱动1Ω扬声器的MOS-FET并联推挽功率放大器

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作者 从余 《实用影音技术》 2002年第7期62-66,共5页

本文介绍一款能驱动阻抗低至1 Ω的扬声器音频功率放大器.该机为了具备输出大电流的能力,使用了640VA的大型电源变压器,输出级采用了导通电阻小的大电流MOS-FET的并联推挽电路和大型散热片.为了改善音质,在输入级电路和第二级电路中使... 本文介绍一款能驱动阻抗低至1 Ω的扬声器音频功率放大器.该机为了具备输出大电流的能力,使用了640VA的大型电源变压器,输出级采用了导通电阻小的大电流MOS-FET的并联推挽电路和大型散热片.为了改善音质,在输入级电路和第二级电路中使用了稳压效果比串联调整稳压电路更好的并联调整稳压电路,整个电路只需引入少量的负反馈即可做到失真很小.在保护电路方面采用了电压检测式扬声器保护电路.该机在1 Ω扬声器上的输出功率可达123W.8 Ω负载时输出18W. 展开更多

关键词 驱动 扬声器 mos-fet 并联 功率放大器 电路

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DENON PMA-2000AE大电流MOS-FET功放

5

作者 张达 《实用影音技术》 2006年第6期51-53,37,共4页

关键词 DENON公司 mos-fet 大电流 Evolution 功放 主放大器 局部改进 电源部分 英文缩写 机型

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可在2Ω负载上输出231W的立体声大电流MOS-FET功率放大器

6

作者 国乃 《实用影音技术》 2005年第4期56-59,63,共5页

关键词 立体声 mos-fet功率放大器 音质 电路图 性能

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采用源极接地甲类推挽电路的MOS-FET单声道功放

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作者 从余 《实用影音技术》 2009年第5期47-56,共10页

半导体功率放大器的输出级一般都采用源极（发射极）跟随器构成。本文介绍的是采用源极接地电路从漏极输出的功率放大器．输出级采用推挽电路工作于甲类，用LED作为稳压器件构成输出级的偏置电路。电压放大部分由运算放大器OPA604组成... 半导体功率放大器的输出级一般都采用源极（发射极）跟随器构成。本文介绍的是采用源极接地电路从漏极输出的功率放大器．输出级采用推挽电路工作于甲类，用LED作为稳压器件构成输出级的偏置电路。电压放大部分由运算放大器OPA604组成。电路的构成十分简单，调整容易．放大器输出端的失调电压极小，工作稳定。 展开更多

关键词 推挽电路 接地电路 mos-fet 单声道功放 源极 甲类 功率放大器 OPA604

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胆石合璧韵天成——2A3与MOS-FET“黄金组合”

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作者 贵体翔 《实用影音技术》 2008年第6期65-68,共4页

一、新思考 众所周知，功率放大器有三种器件——胆管、双极晶体管和MOS—FET管可选择。功率放大器用的器件不同，其声音的“质感”也不一样，“金耳朵”只需一听，就能断定是什么器件制作的功率放大器。正因如此，功率放大器这种商品... 一、新思考 众所周知，功率放大器有三种器件——胆管、双极晶体管和MOS—FET管可选择。功率放大器用的器件不同，其声音的“质感”也不一样，“金耳朵”只需一听，就能断定是什么器件制作的功率放大器。正因如此，功率放大器这种商品才会用双标准——客观标准（质量参数）和主观标准（听感）来衡量。功率放大器形成产品的多样性也就不足为奇了。 展开更多

关键词 mos-fet 黄金组合 2A3 功率放大器 胆石 双极晶体管 质量参数 器件

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MOS-FET无反馈50W功放的制作

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作者 徐松森 《实用影音技术》 2006年第8期57-59,共3页

关键词 mos-fet 功放电路 无反馈 制作 功率放大器 对称设计 直接耦合 瞬态响应 配合使用 数码音源

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多重负反馈式——MOS-FET50瓦功率放大器

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作者 从余 《实用电子文摘》 1998年第3期27-37,共11页

本刊过去曾介绍过多款无负反馈功率放大器,这些功率放大器的音质均有上佳表现。但这并不能否定具有大环路负反馈的功率放大器的存在。大环路负反馈电路对放大器的频率特性、失真率、输出阻抗均有改善效果。关键在于负反馈量的大小。在... 本刊过去曾介绍过多款无负反馈功率放大器,这些功率放大器的音质均有上佳表现。但这并不能否定具有大环路负反馈的功率放大器的存在。大环路负反馈电路对放大器的频率特性、失真率、输出阻抗均有改善效果。关键在于负反馈量的大小。在功率放大器中如果加入适量的负反馈,其音质是可以超越无反馈放大器的。本文所介绍的功率放大器正是以此为目的制作的。负反馈取自第二级和输出级。 展开更多

关键词 功率放大器 多重负反馈式 mos-fet

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用功率运算放大器LM675T作驱动级的MOS-FET功率放大器

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作者 徐国鼐 《实用影音技术》 2002年第11期63-66,共4页

美国国家半导体公司生产的LM675T是一种可单独构成功率放大器的大功率运算放大器,其外形与TO-220P封装的三端稳压器相似,当电源电压为25V时可在8Ω负载上输出20W以上的功率.

关键词 功率运算放大器 LM675T 驱动级 mos-fet功率放大器

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微型电容储能火花焊机的设计

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作者 才勇智 史册 《辽宁科技学院学报》 2018年第4期1-3,共3页

阐述了火花焊机的基本原理,针对变压器点焊的缺点,提出了电容储能焊接的结构设计,使用普通电解电容堆叠成法拉电容,利用Arduino智能模块做焊接控制器。实验表明,该装置可以完成0.2mm以下的镍片点焊,效果良好。

关键词 火花点焊 超级电容 ESR mos-fet

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接近和低于0.1μm的MOS硅集成电路技术

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作者 郭士东 《微处理机》 1999年第2期6-9,共4页

本文主要述评了接近和低于 0 .1 μm的 MOS硅集成电路技术面临的挑战。重点论述了晶体管结构、阈值电压调整。

关键词 MOS硅集成电路 mos-fet 集成电路 制造工艺

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一款靓声的H-80B“准胆”功放[套件供应] 被引量：1

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作者 翔声 《电子制作》 2003年第6期16-17,共2页

听过电子管的发烧友,大都为其甜美、柔润、醇厚的音色所折服。但真正打造一款HI—FI电子管机,又会遇到高耐压、大容量的滤波电解电容及电源变压器和输出变压器购置制作的困难,而且其制作成本也很高,令许多业余发烧友望而却步。晶体管机... 听过电子管的发烧友,大都为其甜美、柔润、醇厚的音色所折服。但真正打造一款HI—FI电子管机,又会遇到高耐压、大容量的滤波电解电容及电源变压器和输出变压器购置制作的困难,而且其制作成本也很高,令许多业余发烧友望而却步。晶体管机虽价格相对低廉,但因其音色冷艳、生硬,让人久听生厌。 展开更多

关键词 H-80B mos-fet场效应管 功率放大器 12AX7 电路原理

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ST发布先进功率MOSFET系列产品

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《单片机与嵌入式系统应用》 2012年第11期87-87,共1页

意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶体管，瞄准太阳能微逆变器、光伏模块串逆变器和电动汽车等绿色能源应用。新产品包括可承受950V峰值电压的超结晶体管（MOSFET）、900V晶体管和采用节省... 意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶体管，瞄准太阳能微逆变器、光伏模块串逆变器和电动汽车等绿色能源应用。新产品包括可承受950V峰值电压的超结晶体管（MOSFET）、900V晶体管和采用节省空间的PowerFLAT8×8HV超薄封装的850V器件。超结技术可提高MOS-FET管的工作电压，降低导通电阻一芯片尺寸比，使电源产品在缩减封装总体尺寸的同时提高系统可靠性和能效。在展示SuperMESH5器件的高能效的同时，意法半导体还公布了成功应用超高压MOSFET的客户设计的细节。 展开更多

关键词 功率MOSFET 电源产品 功率晶体管 mos-fet 意法半导体 ST 超薄封装 低导通电阻

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凌力尔特公司反激式控制器可为任何大小的电容器充电

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《单片机与嵌入式系统应用》 2009年第1期87-87,共1页

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出反激式控制器LT3751，该器件可将大型电容器迅速充电至高达1000V。LT3751驱动一个外部N沟道MOS-FET，可在不到1秒钟的时间内将一个1000pF电容器充电至500V，从而使该器件非常适合于... 凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出反激式控制器LT3751，该器件可将大型电容器迅速充电至高达1000V。LT3751驱动一个外部N沟道MOS-FET，可在不到1秒钟的时间内将一个1000pF电容器充电至500V，从而使该器件非常适合于诸如专业照相闪光灯系统、RF保安、库存控制系统和专门的高压电源等应用。 展开更多

关键词 电容器 控制器 反激式 充电 TECHNOLOGY mos-fet 控制系统 高压电源

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Diodes芯片级双向MOSFET有效提高锂电池容量

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《单片机与嵌入式系统应用》 2015年第4期88-88,共1页

Diodes公司（Dlodes Incorporated）推出双向MOS-FET DMN2023UCB4，提供超卓的单电芯及双电芯锂电池充电保护。DMN2023UCB4的低导通电阻可降低功耗，纤薄的芯片级封装则使设计人员能够利用省下来的空间来提高电池容量。新产品的目标终... Diodes公司（Dlodes Incorporated）推出双向MOS-FET DMN2023UCB4，提供超卓的单电芯及双电芯锂电池充电保护。DMN2023UCB4的低导通电阻可降低功耗，纤薄的芯片级封装则使设计人员能够利用省下来的空间来提高电池容量。新产品的目标终端市场包括智能手机、平板电脑、照相机、便携式媒体播放器，以及对其尺寸、重量和电池寿命都至关重要的同类型消费性产品。 展开更多

关键词 芯片级封装 电池容量 MOSFET 锂电池 便携式媒体播放器 mos-fet 消费性产品 低导通电阻

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高频开关电源的发展和趋势

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《电源技术应用》 2010年第12期31-31,共1页

目前，开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用于以电子计算机为主导的各种终端设备、通信设备等几乎所有的电子设备，是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。目前市场上出售的开关电源中采用双极性晶体管制成的100... 目前，开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用于以电子计算机为主导的各种终端设备、通信设备等几乎所有的电子设备，是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。目前市场上出售的开关电源中采用双极性晶体管制成的100kHz、用MOS-FET制成的500kHz电源，虽已实用化，但其频率有待进一步提高。要提高开关频率，就要减少开关损耗，而要减少开关损耗， 展开更多

关键词 高频开关电源 mos-fet 电子信息产业 开关频率 开关损耗 电子计算机 终端设备 电子设备

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创新才能做出完美功放

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作者 贵体翔 《实用影音技术》 2008年第8期54-57,共4页

一款新颖的功放，总是离不开新技术、新器件的依赖。如果说新器件能使功放更胜一筹，那么新技术当然可以使其更完美，甚至于使其更新换代。功放是横跨模拟时代和数字时代为数不多的电子技术，可以说它是电子技术中的“长青树”。它之所... 一款新颖的功放，总是离不开新技术、新器件的依赖。如果说新器件能使功放更胜一筹，那么新技术当然可以使其更完美，甚至于使其更新换代。功放是横跨模拟时代和数字时代为数不多的电子技术，可以说它是电子技术中的“长青树”。它之所以“长青”，离不开新技术、新器件的依赖、创新。本文给大家介绍的一款新颖的MOS-FET功放， 展开更多

关键词 创新才能 功放 mos-fet 电子技术 新器件 数字时代 长青

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