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氧化温度与NO退火组分协同优化提升SiC MOSFET界面特性与器件性能
1
作者 刘玮 陈刚 +4 位作者 夏云 桂雅雯 陈昱 田佳民 杜融鑫 《微纳电子技术》 2026年第1期104-109,共6页
针对碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)中SiC/SiO2界面态密度偏高、迁移率低、栅氧击穿场强退化与阈值电压不稳定问题,系统研究了氧化温度、NO退火组分对界面特性及器件性能的调控机制。通过设计三组对比实验(氧化温度... 针对碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)中SiC/SiO2界面态密度偏高、迁移率低、栅氧击穿场强退化与阈值电压不稳定问题,系统研究了氧化温度、NO退火组分对界面特性及器件性能的调控机制。通过设计三组对比实验(氧化温度1200~1350℃;退火温度1250~1300℃;NO组分10%~100%),制备金属-氧化物-半导体(MOS)电容、平面MOSFET及横向MOSFET。电学表征与物性分析发现:温度升至1300℃可抑制界面碳团簇,阈值电压负漂移率改善44%,但1350℃工艺因氧空位增多导致栅氧反向击穿场强下降7%;10%NO退火较100%NO显著提升场效应迁移率38%,这源于氮原子对界面悬挂键的高效钝化。在最优工艺(1300℃氧化温度结合1300℃/10%NO退火)条件下,器件综合性能最优:栅氧正向击穿场强9.65 MV/cm、迁移率14.4 cm^(2)/(V·s)、阈值电压负漂移率-9%。本研究为SiC MOSFET栅氧工艺提供了明确的参数窗口与机理解释。 展开更多
关键词 SiC金属-氧化物-半导体(mos)电容 SiC横向金属-氧化物-半导体场效应晶体管(mosFET) 栅氧工艺 场效应迁移率 栅氧击穿场强 阈值电压漂移
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不同栅氧退火工艺下的SiC MOS电容及其界面电学特性 被引量：1
2
作者 付兴中 刘俊哲 +4 位作者 薛建红 尉升升 谭永亮 王德君 张力江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期32-38,共7页
SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷... SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷密度的方法,对分别经过氮等离子体氧化后退火(POA)处理、氮氢混合等离子体POA处理、氮氢氧混合等离子体POA处理、氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性进行了分析。结果表明,该方法可以系统地评价SiC MOS电容电学特性和栅氧界面特性,经过氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容可以满足高温、大场强下长期运行的性能指标。 展开更多
关键词 SiC mos电容 氧化后退火(POA) 平带电压漂移 氧化物陷阱电荷 可动电荷
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基于多层MoS_(2)材料的MOSFET器件退火效应研究
3
作者 韩涛 廖乃镘 +1 位作者 孙艳敏 丁劲松 《今日制造与升级》 2025年第1期48-50,共3页
文章采用机械剥离法在SiO_(2)/Si衬底制备多层二硫化钼(MoS_(2))材料,通过电子束光刻和蒸发工艺制备MOSFET器件。使用光学显微镜、拉曼光谱仪和扫描电镜对多层MoS_(2)材料进行测试表征,并使用半导体参数分析仪对MOSFET器件的电学性能进... 文章采用机械剥离法在SiO_(2)/Si衬底制备多层二硫化钼(MoS_(2))材料,通过电子束光刻和蒸发工艺制备MOSFET器件。使用光学显微镜、拉曼光谱仪和扫描电镜对多层MoS_(2)材料进行测试表征,并使用半导体参数分析仪对MOSFET器件的电学性能进行测试分析。探索退火效应对器件电学性能的影响。 展开更多
关键词 mos2材料 mosFET器件 测试表征 退火效应 电学性能
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高压MOS器件SPICE建模研究
4
作者 顾祥 彭宏伟 +1 位作者 纪旭明 李金航 《微处理机》 2025年第2期9-13,共5页
针对BSIM3v3模型在高压集成电路中高压MOS器件建模上的局限性,通过深入分析栅源电压和衬源电压对源漏电阻的影响,以及电流准饱和效应、碰撞电离电流、高压寄生管和自热效应等关键因素,提出一种基于BSIM3v3的高压MOS模型改进方法。该方... 针对BSIM3v3模型在高压集成电路中高压MOS器件建模上的局限性,通过深入分析栅源电压和衬源电压对源漏电阻的影响,以及电流准饱和效应、碰撞电离电流、高压寄生管和自热效应等关键因素,提出一种基于BSIM3v3的高压MOS模型改进方法。该方法通过引入不同的压控电阻(VCR)、受控电压源(VCVS)和受控电流源(CCCS)等子电路,构建了一个用于精确模拟高压MOS器件的SPICE Macro模型。这一改进显著提升了高压MOS器件的建模精度,对高压集成电路的设计与仿真具有重要的实际意义和应用价值。 展开更多
关键词 高压mos SPICE模型 参数提取
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一种单边高压MOS器件子电路模型搭建
5
作者 李艳艳 任庆宝 《中国集成电路》 2025年第10期30-34,共5页
与通用低压MOS器件相比,高压MOS器件的结构更为复杂。目前基于高压MOS器件的电路设计仿真,业界并没有标准的器件模型。本文主要研究了一种10V高压MOS器件子电路模型的建立。针对高压MOS器件的物理特征,分析了漏端电阻受栅源、栅漏电压... 与通用低压MOS器件相比,高压MOS器件的结构更为复杂。目前基于高压MOS器件的电路设计仿真,业界并没有标准的器件模型。本文主要研究了一种10V高压MOS器件子电路模型的建立。针对高压MOS器件的物理特征,分析了漏端电阻受栅源、栅漏电压的影响,在标准模型BSIM3V3的基础上对漏端电阻的描述进行了改进。结果表明,改进后的模型对测量数据的拟合度较高,大大提高了BSIM3V3 Ⅰ-Ⅴ模型模拟高压MOS器件的精确度。因此,本文对高压集成电路的设计仿真具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 BSIM3V3模型 高压mos器件 子电路模型
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基于In,Cu单镀液和纳米MoS_2复合镀液电刷镀层的抗粘着磨损性能研究 被引量：2
6
作者 陈元迪 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期89-95,共7页
目的在Cr12MoV模具钢上电刷镀制备出多种具有自润滑性和减磨性能好的涂层,筛选出与奥氏体不锈钢对磨时抗粘着磨损性能优秀的镀层,改善模具的抗粘着磨损性能。方法采用电刷镀方法制备In,Cu单镀液镀层及Ni-W(D)-Mo S2(纳米)和Cu-MoS_2(纳... 目的在Cr12MoV模具钢上电刷镀制备出多种具有自润滑性和减磨性能好的涂层,筛选出与奥氏体不锈钢对磨时抗粘着磨损性能优秀的镀层,改善模具的抗粘着磨损性能。方法采用电刷镀方法制备In,Cu单镀液镀层及Ni-W(D)-Mo S2(纳米)和Cu-MoS_2(纳米)复合电刷镀镀层,对4种镀层与1Cr18Ni9Ti奥氏体不锈钢进行对磨磨损实验,载荷为100 N,磨损时间为300 min,并分析磨损质量损失,同时采用扫描电镜观察分析各镀层的抗粘着磨损实验结果。结果 4种镀层都不同程度地提高了抗粘着磨损能力,但Cu单镀液镀层和Cu-MoS_2(纳米)复合镀层在磨损实验的前150 min磨损质量损失明显,磨损质量损失率分别达到0.105%和0.136%,而In和Ni-W(D)-Mo S2镀层都很小,分别为0.024 57%和0.031 74%,体现出更良好的抗粘着能力和耐磨性。结论在被加工工件的强度不高时,Cu镀层和Cu-MoS_2(纳米)复合镀层仍然具有一定的抗粘着磨损性能,而在被加工工件为具有较明显加工硬化现象的强度较高的奥氏体不锈钢时,In和Ni-W(D)-Mo S2镀层具有更好的抗粘着磨损性能,其中Ni-W(D)-Mo S2镀层表现出了最优秀的综合耐磨性。 展开更多
关键词 In镀层 Cu镀层 Ni-W(D)-mos_2复合镀层 Cu-mos2复合镀层 纳米mos2 奥氏体不锈钢 电刷镀 粘着磨损 模具修复
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与常规CMOS工艺兼容的高压PMOS器件设计与应用
7
作者 李红征 于宗光 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期41-44,共4页
采用常规P阱CMOS工艺,实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器件。制作的器件,其击穿电压为55 V,阈值电压0.92 V,驱动电流25 mA。对所设计的CMOS兼容高压PMOS器件的制造工艺、器件结构和测试等方面进行了阐述。该器件已成功应用于VFD平板显... 采用常规P阱CMOS工艺,实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器件。制作的器件,其击穿电压为55 V,阈值电压0.92 V,驱动电流25 mA。对所设计的CMOS兼容高压PMOS器件的制造工艺、器件结构和测试等方面进行了阐述。该器件已成功应用于VFD平板显示系列电路。 展开更多
关键词 高低压兼容 偏置栅高压mos 标准Cmos工艺 Pmos器件
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MOS管在全固态中波发射机功放模块中的应用分析 被引量：1
8
作者 甘时伟 《中国宽带》 2025年第6期169-171,共3页
为研究MOS管在全固态中波发射机功放模块中的应用,本文详细分析了MOS管的结构特性、工作区域特性和温度特性,并探讨了其在全固态中波发射机功放模块中的具体应用。文章提出了基于IRFP350 MOS管的桥式开关放大架构设计,并通过驱动优化、... 为研究MOS管在全固态中波发射机功放模块中的应用,本文详细分析了MOS管的结构特性、工作区域特性和温度特性,并探讨了其在全固态中波发射机功放模块中的具体应用。文章提出了基于IRFP350 MOS管的桥式开关放大架构设计,并通过驱动优化、故障诊断与状态监测机制等多方面的改进,实现了高效率和高可靠性的功放模块。实验结果验证了该方案的有效性,显著提升了功放模块的效率和稳定性,降低了维护成本。 展开更多
关键词 mos管 全固态中波发射机 功放模块 IRFP350
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深层放电脉冲特征模拟及对MOS器件损伤试验
9
作者 陈益峰 冯娜 +2 位作者 王金晓 高志良 邵焜 《真空与低温》 2025年第5期619-625,共7页
深层带电效应已经成为威胁卫星在轨安全的主要空间环境效应因素。为准确模拟深层放电脉冲特征,实现星用器件抗深层放电的性能评价,提出了采用RLC优化电路与商用静电放电发生器相结合的方法。建立了一种能够定量研究深层放电对电子器件... 深层带电效应已经成为威胁卫星在轨安全的主要空间环境效应因素。为准确模拟深层放电脉冲特征,实现星用器件抗深层放电的性能评价,提出了采用RLC优化电路与商用静电放电发生器相结合的方法。建立了一种能够定量研究深层放电对电子器件损伤效应的测试装置,并对MOS器件开展了试验测试,分析了其损伤机制。研究结果表明,经RLC电路优化后的脉冲波形、电流幅值、持续时间等参数均符合深层放电特征,实现了深层放电脉冲的有效模拟。当脉冲电流幅值增加至9 A时,放电脉冲导致MOS器件的SiO2绝缘层击穿,使MOS器件发生不可恢复的“硬损伤”现象;同时研究发现,放电电流低于损伤阈值时放电脉冲同样会造成绝缘层损伤,且该损伤可通过多次累积最终导致绝缘层彻底击穿。 展开更多
关键词 空间辐射环境 深层带电效应 脉冲特征 mos器件 损伤机制 累积效应
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Ni包MoS_2添加剂对镍基涂层的摩擦磨损性能影响 被引量：11
10
作者 潘蛟亮 王引真 +1 位作者 李方坡 高海军 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期225-229,共5页
以Ni包MoS2为润滑剂,Ni60粉末为基体,利用超音速火焰喷涂技术制备镍基固体涂层,研究了Ni包MoS2对Ni60涂层和Ni60/MoS2涂层的显微组织、力学性能以其摩擦磨损性能的影响,并探讨载荷对Ni60/MoS2涂层摩擦磨损性能的影响,采用扫描电子显微... 以Ni包MoS2为润滑剂,Ni60粉末为基体,利用超音速火焰喷涂技术制备镍基固体涂层,研究了Ni包MoS2对Ni60涂层和Ni60/MoS2涂层的显微组织、力学性能以其摩擦磨损性能的影响,并探讨载荷对Ni60/MoS2涂层摩擦磨损性能的影响,采用扫描电子显微镜观察涂层的磨损表面形貌并分析其磨损机制.结果表明,Ni包MoS2的加入可以降低Ni60涂层的结合强度和显微硬度,使其摩擦系数和磨损率明显降低;Ni60/MoS2涂层的摩擦系数与载荷无关,其磨损率随载荷增加而增大;Ni60涂层的磨损机制主要为疲劳磨损和黏着磨损,Ni包MoS2的加入减少了Ni60/MoS2涂层的黏着磨损. 展开更多
关键词 mos2 Ni60/mos2涂层 摩擦磨损性能 磨损机制
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PMOS剂量计的退火特性 被引量：10
11
作者 范隆 任迪远 +2 位作者 张国强 严荣良 艾尔肯 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期383-387,共5页
研究了 PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现 .结果表明 :温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素 ,较高退火温度下 ,退火速率高 ,幅度大 ;相同退火温度下 ,正偏置与负偏置相比有加速退火的作用 ,其退火... 研究了 PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现 .结果表明 :温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素 ,较高退火温度下 ,退火速率高 ,幅度大 ;相同退火温度下 ,正偏置与负偏置相比有加速退火的作用 ,其退火幅度也较大 .在 1 80℃ ,零偏条件下获得了最快的 1 0 0 %的退火效果 ; 展开更多
关键词 辐射剂量计 Pmos 辐照退火 mos晶体管
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还原氧化石墨烯/MoS_2与碳纳米管/MoS_2作为润滑油添加剂的摩擦学性能研究 被引量：10
12
作者 张飞霞 李长生 +1 位作者 张毅 唐华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期801-807,共7页
通过水热法成功制备出还原氧化石墨烯/Mo S2(RGO/Mo S2)与碳纳米管/Mo S2(CNTs/Mo S2)纳米复合材料,采用XRD,SEM以及TEM分别对纳米复合材料样品进行了分析和表征,结果表明所制备的复合材料中Mo S2与还原氧化石墨烯、碳纳米管很好地结合... 通过水热法成功制备出还原氧化石墨烯/Mo S2(RGO/Mo S2)与碳纳米管/Mo S2(CNTs/Mo S2)纳米复合材料,采用XRD,SEM以及TEM分别对纳米复合材料样品进行了分析和表征,结果表明所制备的复合材料中Mo S2与还原氧化石墨烯、碳纳米管很好地结合在一起。用UMT-2多功能摩擦试验机测试其作为液体石蜡添加剂的摩擦磨损性能,并对其摩擦机理进行了分析。研究发现,与纯的Mo S2相比,一定比例的RGO/Mo S2纳米复合材料作为润滑油添加剂的摩擦系数降低了18%,相对磨损量减少55%;与碳纳米管增强的纳米复合材料相比,RGO/Mo S2纳米复合材料具有更好的摩擦磨损性能。 展开更多
关键词 水热法 还原氧化石墨烯/mos2 碳纳米管/mos2 摩擦学性能
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SiC MOS电容氧化层界面缺陷钝化效果分析方法
13
作者 胡灿博 刘俊哲 +3 位作者 刘起蕊 尹志鹏 崔鹏飞 王德君 《半导体技术》 北大核心 2025年第6期581-588,共8页
SiC MOS器件的栅氧界面缺陷严重影响其性能。采用X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)技术,识别了SiC MOS电容中的SiO_(x)C_(y)和C—C缺陷及其元素分布,并结合文献数据确定了这些缺陷的能级位置,同时计算了其相应的时间常数。研... SiC MOS器件的栅氧界面缺陷严重影响其性能。采用X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)技术,识别了SiC MOS电容中的SiO_(x)C_(y)和C—C缺陷及其元素分布,并结合文献数据确定了这些缺陷的能级位置,同时计算了其相应的时间常数。研究结果表明,这些缺陷的形成与氧元素缺乏密切相关,氧原子或离子因具有较强的穿透性,可有效消除这些缺陷。为优化样品性能,提出了电子回旋共振(ECR)臭氧等离子体二次氧化工艺。电学测试结果表明,优化后样品的界面态密度降低了约一个数量级,平带电压漂移量在300 K和150 K下分别减小约89.31%和71.10%。这种基于理化分析识别缺陷,并确定缺陷能级位置及计算相应时间常数的方法,为分析栅氧界面缺陷提供了一种精确的测量手段。 展开更多
关键词 SiC mos电容 栅氧界面缺陷 X射线光电子能谱(XPS) 二次离子质谱(SIMS) 缺陷能级 时间常数
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高速CMOS电路电离辐照损伤的剂量率效应 被引量：6
14
作者 郭旗 陆妩 +2 位作者 余学锋 任迪远 严荣良 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期503-506,共4页
对国产加固６４ＨＣ０４高速ＣＭＯＳ电路进行了不同剂量率的辐照响应和室温退火特性研究。探讨了５４ＨＣ０４电路在不同剂量率辐照下的损伤机理和失效模式的差异及其对高速ＣＭＯＳ电路在辐射环境中应用可靠性的影响。
关键词 高速 Cmos电路 电离辐照 退火 剂量率 mos器件
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注氟MOSFET电离辐射响应特性 被引量：6
15
作者 严荣良 张国强 +5 位作者 余学锋 高文钰 任迪远 赵元富 胡浴红 王英明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期348-352,共5页
对氢氧合成栅氧化后注F的MOSFET进行了γ射线辐照试验,分析了不同注F剂量的MOSFET电离辐射响应特性。结果表明,在1×10^(15)～1×10^(16)F/cm^2F注量范围内,注F能够明显抑制辐射感生氧化物电荷和界面态的增长,且F注量越高,抑制... 对氢氧合成栅氧化后注F的MOSFET进行了γ射线辐照试验,分析了不同注F剂量的MOSFET电离辐射响应特性。结果表明,在1×10^(15)～1×10^(16)F/cm^2F注量范围内,注F能够明显抑制辐射感生氧化物电荷和界面态的增长,且F注量越高,抑制能力越强,F的注入能减少工艺过程所带来的氧化物电荷和界面态。用Si一F结键替代其它在辐射过程中易成为电荷陷阱的应力键模型对实验结果进行了讨论。可以预测,F在Si/SiO_2界面附近和SiO_2中的行为直接与MOS结构的辐射响应相对应,而F的行为依赖于注F工艺条件。 展开更多
关键词 mosFET 界面态 电离辐射 mos器件
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注氟MOSFET的质子辐照效应 被引量：4
16
作者 严荣良 张国强 +1 位作者 余学峰 任迪远 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第10期610-614,共5页
对干Ｏ２和Ｈ２＋Ｏ２栅氧化注Ｆ的Ｓｉ栅Ｐ沟和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了８ＭｅＶ和１２ＭｅＶ质子辐照试验，通过分析阈电压和Ｉｄｓ－Ｖｇｓ亚阈特性的辐射响应，发现ＭＯＳ结构栅介质中Ｆ的引入能明显抑制辐射感生氧化物电荷的积累和... 对干Ｏ２和Ｈ２＋Ｏ２栅氧化注Ｆ的Ｓｉ栅Ｐ沟和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了８ＭｅＶ和１２ＭｅＶ质子辐照试验，通过分析阈电压和Ｉｄｓ－Ｖｇｓ亚阈特性的辐射响应，发现ＭＯＳ结构栅介质中Ｆ的引入能明显抑制辐射感生氧化物电荷的积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态的产生，导致ＰＭＯＳＦＥＴ较小的阈电压负向漂移和ＮＭＯＳＦＥＴ阈电压正向回漂，且不受质子辐照能量的影响．栅介质中Ｆ释放Ｓｉ／ＳｉＯ２界面应力，替换部分在辐照场中易成为电荷陷阱的Ｓｉ－Ｈ、Ｓｉ－ＯＨ弱键和Ｓｉ－Ｏ应力键与Ｓｉ结键的正效应是导致实验结果的主要原因． 展开更多
关键词 质子辐照 界面态 mos mos器件
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背面氩离子轰击改善MOS系统界面特性和击穿特性 被引量：3
17
作者 李观启 钟平 +1 位作者 黄美浅 曾绍鸿 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1995年第12期115-120,共6页
在室温下用低能量Ａｒ＋轰击ＭＯＳ电容器背面，能改善ＳｉＯ２－Ｓｉ系统的界面特性和击穿特性。结果表明，随着轰击时间的增加，固定电荷密度、界面态密度和漏电流减少，高场击穿的比率增大，然后这些参数变化平缓并开始呈恶化趋势。... 在室温下用低能量Ａｒ＋轰击ＭＯＳ电容器背面，能改善ＳｉＯ２－Ｓｉ系统的界面特性和击穿特性。结果表明，随着轰击时间的增加，固定电荷密度、界面态密度和漏电流减少，高场击穿的比率增大，然后这些参数变化平缓并开始呈恶化趋势。轰击能量为５５０ｅＶ和束流密度为０．５ｍＡ／ｃｍ２时的效果比在３５０ｅＶ和０．３ｍＡ／ｃｍ２时的好。当硅衬底从４５０μｍ减至３００ｍ时，界面态密度和固定电荷密度的减小更明显。本文还对势垒高度进行了计算，并利用吸除及应力补偿的机理对结果进行了分析。 展开更多
关键词 氩离子束 界面特性 击穿 mos系统 mos电容器
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对接沟道 NMOS 结构杂质分布的二维数值模拟 被引量：1
18
作者 徐维锋 刘三清 +1 位作者 应建华 曹广军 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1997年第10期48-51,共4页
针对ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ兼容集成结构建立了对接沟道ＮＭＯＳ晶体管工艺模型，根据其工艺模型，采用面向对象的Ｃ＋＋编程对对接沟道ＮＭＯＳ结构的杂质分布进行了二维数值模拟，给出了不同工艺条件下的模拟结果，并且进行了分析．结... 针对ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ兼容集成结构建立了对接沟道ＮＭＯＳ晶体管工艺模型，根据其工艺模型，采用面向对象的Ｃ＋＋编程对对接沟道ＮＭＯＳ结构的杂质分布进行了二维数值模拟，给出了不同工艺条件下的模拟结果，并且进行了分析．结果表明，对接沟道ＮＭＯＳ结构能较好地实现ＶＤＭＯＳ与ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成． 展开更多
关键词 BJNmos 杂质分布 数值模拟 Nmos结构 mos器件
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1200V功率MOS栅驱动集成电路的设计 被引量：4
19
作者 乔明 方健 +4 位作者 李肇基 张波 罗小蓉 李泽宏 杨舰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期138-141,共4页
　文章在国内首次设计并研制出1200V功率MOS栅驱动集成电路。该电路最高偏置电压(Voffset(max))为1200V,最大输出峰值电流为1A,最高工作频率100kHz,温度范围-55～125°C,可同时驱动系统中用于三相图腾柱式输出的高低端功率器件,是S... 　文章在国内首次设计并研制出1200V功率MOS栅驱动集成电路。该电路最高偏置电压(Voffset(max))为1200V,最大输出峰值电流为1A,最高工作频率100kHz,温度范围-55～125°C,可同时驱动系统中用于三相图腾柱式输出的高低端功率器件,是SPIC的一种典型电路。 展开更多
关键词 高低端功率器件 智能功率集成电路 功率mos栅驱动集成电路 LDmos 脉冲宽度 滤波宽度
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MoS_2/Zr复合薄膜的制备及性能研究 被引量：3
20
作者 宋文龙 邓建新 张辉 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期39-43,47,共6页
采用新型中频磁控溅射技术及多弧离子镀相结合的复合镀膜工艺,在硬质合金YT14基体上制备了MoS2/Zr复合薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)考察MoS2/Zr复合薄膜表面及截面的形貌,利用能谱分析(EDX)薄膜的成分组成。测试涂层的厚度、显微硬度... 采用新型中频磁控溅射技术及多弧离子镀相结合的复合镀膜工艺,在硬质合金YT14基体上制备了MoS2/Zr复合薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)考察MoS2/Zr复合薄膜表面及截面的形貌,利用能谱分析(EDX)薄膜的成分组成。测试涂层的厚度、显微硬度及涂层与基体之间的结合力等性能参数。结果表明:制备的MoS2/Zr复合薄膜结构致密,结合力约为60N,厚度约为2.6μm,硬度约为HV800。 展开更多
关键词 涂层刀具 mos2软涂层 中频磁控溅射 mos2/Zr复合薄膜
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