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Approaching the Intrinsic Electron Mobility Limit of Bilayer MoS_(2) via a Combined Twist-Angle and Stress-Engineering Strategy
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作者 Chennan Song Yu Xie 《Chinese Physics Letters》 2026年第3期300-315,共16页
Bilayer MoS2 is a promising channel candidate for extending Moore’s law,owing to its optimal channel thickness and improved suppression of extrinsic scattering compared to monolayers.However,its intrinsic phonon-limi... Bilayer MoS2 is a promising channel candidate for extending Moore’s law,owing to its optimal channel thickness and improved suppression of extrinsic scattering compared to monolayers.However,its intrinsic phonon-limited electron mobility is severely limited by enhanced K–Q intervalley scattering arising from the multivalley conduction band feature inherent to the bilayer structure.To overcome this bottleneck,we propose a“valley separation engineering”strategy that combines a twist angle near 30°with applied stress.Our first-principles calculations demonstrate that although valley separation can be continuously increased using this strategy,the electron mobility saturates at∼200 cm^(2)⋅V^(−1)⋅s^(−1).The saturation is attributed to the competition between the reduced effective mass and enhanced intravalley scattering induced by phonon softening once the detrimental intervalley scattering is effectively suppressed by sufficient valley separation.This study establishes a theoretical upper limit for the intrinsic electron transport of bilayer MoS2 masked by severe intervalley scattering. 展开更多
关键词 extending moore s lawowing electron mobility BILAYER mos multivalley conduction band feature k q intervalley scattering suppression extrinsic scattering bilayer mos
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基于二维MoS_(2)的感算器件实现仿生视觉
2
作者 裘斯琦 辛凯耀 魏钟鸣 《功能材料与器件学报》 2026年第1期129-130,共2页
传统互补金属-氧化物-半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,CMOS)视觉传感器技术成熟度高、成本低廉,是当前物联网设备进行信息采集的主流方案。然而,该技术的动态范围(约70 dB)远窄于自然环境的光照动态范围(约280 dB),难... 传统互补金属-氧化物-半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,CMOS)视觉传感器技术成熟度高、成本低廉,是当前物联网设备进行信息采集的主流方案。然而,该技术的动态范围(约70 dB)远窄于自然环境的光照动态范围(约280 dB),难以还原真实的光暗场景,且其“先传感、后计算”的架构在传输海量冗余数据时导致高延迟与高功耗问题。仿生视觉系统通过借鉴视网膜等的工作机制,能够在感知端直接提取关键特征,从根本上解决了数据冗余问题,实现了复杂环境中的高效、低功耗感知。 展开更多
关键词 感算器件 仿生视觉 Cmos视觉传感器 二维mos2
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氧化温度与NO退火组分协同优化提升SiC MOSFET界面特性与器件性能
3
作者 刘玮 陈刚 +4 位作者 夏云 桂雅雯 陈昱 田佳民 杜融鑫 《微纳电子技术》 2026年第1期104-109,共6页
针对碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)中SiC/SiO2界面态密度偏高、迁移率低、栅氧击穿场强退化与阈值电压不稳定问题,系统研究了氧化温度、NO退火组分对界面特性及器件性能的调控机制。通过设计三组对比实验(氧化温度... 针对碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)中SiC/SiO2界面态密度偏高、迁移率低、栅氧击穿场强退化与阈值电压不稳定问题,系统研究了氧化温度、NO退火组分对界面特性及器件性能的调控机制。通过设计三组对比实验(氧化温度1200~1350℃;退火温度1250~1300℃;NO组分10%~100%),制备金属-氧化物-半导体(MOS)电容、平面MOSFET及横向MOSFET。电学表征与物性分析发现:温度升至1300℃可抑制界面碳团簇,阈值电压负漂移率改善44%,但1350℃工艺因氧空位增多导致栅氧反向击穿场强下降7%;10%NO退火较100%NO显著提升场效应迁移率38%,这源于氮原子对界面悬挂键的高效钝化。在最优工艺(1300℃氧化温度结合1300℃/10%NO退火)条件下,器件综合性能最优:栅氧正向击穿场强9.65 MV/cm、迁移率14.4 cm^(2)/(V·s)、阈值电压负漂移率-9%。本研究为SiC MOSFET栅氧工艺提供了明确的参数窗口与机理解释。 展开更多
关键词 SiC金属-氧化物-半导体(mos)电容 SiC横向金属-氧化物-半导体场效应晶体管(mosFET) 栅氧工艺 场效应迁移率 栅氧击穿场强 阈值电压漂移
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射频磁控溅射法制备MoS_(2)纳米薄膜的电学性能研究
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作者 邢淑涵 张俊峰 樊志琴 《化工新型材料》 北大核心 2026年第2期125-129,共5页
采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上沉积厚度不同的MoS_(2)纳米薄膜,利用霍尔效应测试系统研究了MoS_(2)纳米薄膜的电阻率、霍尔系数、霍尔迁移率和载流子浓度等电学性能。结果表明:制备的MoS_(2)纳米薄膜电阻率较小,并且薄膜越厚电阻... 采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上沉积厚度不同的MoS_(2)纳米薄膜,利用霍尔效应测试系统研究了MoS_(2)纳米薄膜的电阻率、霍尔系数、霍尔迁移率和载流子浓度等电学性能。结果表明:制备的MoS_(2)纳米薄膜电阻率较小,并且薄膜越厚电阻率越小;薄膜的霍尔系数具有各向异性,且越厚的薄膜霍尔系数相对较大;随着薄膜厚度的增加,薄膜霍尔迁移率无规律变化,最厚薄膜的霍尔迁移率最大;载流子浓度随着溅射时间的增加而降低;载流子浓度是决定MoS_(2)纳米薄膜电学性质的关键因素,而载流子浓度可通过优化溅射参数进行调控。 展开更多
关键词 mos 2纳米薄膜 射频磁控溅射 霍尔系数 霍尔迁移率 载流子浓度
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SiC_CMOS欧姆接触制备工艺及性能
5
作者 刘翔宇 张景贵 欧阳明星 《南方金属》 2026年第1期209-210,共2页
设计了一种高温稳定欧姆接触SiC CMOS器件,金属电极采用Ni/Ti/Ta/Pt结构,工艺上使用离子注入、磁控溅射、退火、光刻和金属剥离等。该方案可以同时形成n/p型欧姆接触,并使用圆点传输线法CTLM对欧姆接触进行测试。结果表现为:SiC/Ni/Ti/T... 设计了一种高温稳定欧姆接触SiC CMOS器件,金属电极采用Ni/Ti/Ta/Pt结构,工艺上使用离子注入、磁控溅射、退火、光刻和金属剥离等。该方案可以同时形成n/p型欧姆接触,并使用圆点传输线法CTLM对欧姆接触进行测试。结果表现为:SiC/Ni/Ti/Ta/Pt欧姆接触系统在900℃/3 min的退火条件下的比接触电阻率ρ_(c)为n型MOS=1.04×10^(-3)Ω·cm^(2),p型MOS=6.65×10^(-4)Ω·cm^(2),且该系统在750 K/100 h的高温老化实验后仍然表现出优异的欧姆接触性能。 展开更多
关键词 碳化硅 欧姆接触 mos 比接触电阻率
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MOS电容开裂导致GaN功率放大器失效分析
6
作者 张亚彬 徐博能 +1 位作者 贡茜 崔洪波 《电子工艺技术》 2026年第2期32-34,共3页
针对某Ga N功率放大器件MOS电容组装过程中开裂的问题进行分析,通过对失效样品外观的观察和断裂形貌分析,在MOS电容断裂面发现有明显的贝壳纹和河流花样形貌。根据解理断裂的特征分析出裂纹源的位置与电容器意外受力点重合,借助格雷菲... 针对某Ga N功率放大器件MOS电容组装过程中开裂的问题进行分析,通过对失效样品外观的观察和断裂形貌分析,在MOS电容断裂面发现有明显的贝壳纹和河流花样形貌。根据解理断裂的特征分析出裂纹源的位置与电容器意外受力点重合,借助格雷菲斯原理和相关理论研究解释了微裂纹扩展导致MOS电容器失效的机理,采用模拟试验的方案复现MOS电容失效,形貌与失效件基本吻合,得出该MOS电容器失效的根本原因是MOS电容存在微裂纹和应力变化。 展开更多
关键词 mos电容开裂 微裂纹 解理断裂 GaN功率器件
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MEMS基MOS气体传感器微加热器设计综述
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作者 蒋安炎 皮梓岐 +1 位作者 杨璐佳 夏宇 《仪器仪表学报》 北大核心 2026年第2期1-19,共19页
金属氧化物半导体(MOS)气体传感器的敏感材料需要在200℃~500℃温度下才能与目标气体发生充分且可控的化学反应。微机电系统(MEMS)技术实现了气敏薄膜、加热器和信号处理电路等的单芯片集成,从而显著降低功耗和体积。其中,微加热器作为... 金属氧化物半导体(MOS)气体传感器的敏感材料需要在200℃~500℃温度下才能与目标气体发生充分且可控的化学反应。微机电系统(MEMS)技术实现了气敏薄膜、加热器和信号处理电路等的单芯片集成,从而显著降低功耗和体积。其中,微加热器作为为气体传感器提供稳定工作温度的重要器件,其设计对传感器的性能有着重要的影响。微加热器的电极形态、尺寸、材料等决定了微热板的温度、功耗、应力等性能。而微加热器的温度均匀性、温度范围、温度响应时间、功耗表现与机械稳定性等共同决定了传感器的灵敏度、选择性、寿命与可靠性。本综述系统梳理了近5年微加热器的研究现状,及其优化设计对传感器性能的影响。首先,介绍了半导体的气敏机理和工作温度对性能的影响,并在此基础上介绍了微加热器的热传导、热对流与热辐射理论,归纳了不同研究方法对其模型的估算和优化。其次,详细阐述了微加热器形态结构方面的国内外研究现状,主要包括微加热器的几何设计、隔热结构、悬梁优化和微热阵列,并探讨了这些结构优化对传感器气敏性能的影响。然后,列举了不同材料所设计的微加热器,并对其机械稳定性和电热性能进行评价。最后,对研究现状和关键性能参数进行了总结,并对未来的研究方向进行了展望,为通过优化微加热器提升半导体气体传感器性能提供了思路。 展开更多
关键词 mos 气体传感器 MEMS 微加热器 几何结构 材料
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MoS2场效应晶体管的太赫兹近场显微成像表征
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作者 胡玉红 李星宇 +1 位作者 金钻明 游冠军 《光学仪器》 2026年第1期43-52,共10页
二维过渡金属硫化物(two-dimensional transition metal dichalcogenides,TMDs)因其独特的电学和光学特性,在下一代电子和光电器件中展现出巨大的应用潜力。但在微纳尺度,有关TMDs载流子分布的原位探测研究仍显不足。结合太赫兹散射式... 二维过渡金属硫化物(two-dimensional transition metal dichalcogenides,TMDs)因其独特的电学和光学特性,在下一代电子和光电器件中展现出巨大的应用潜力。但在微纳尺度,有关TMDs载流子分布的原位探测研究仍显不足。结合太赫兹散射式扫描近场光学显微镜(terahertz scattering-type scanning near-field optical microscopy,THz s-SNOM)和开尔文探针力显微镜(Kelvin probe force microscopy,KPFM),系统研究了少层MoS_(2)场效应晶体管在光激发和背栅调控下的微纳尺度载流子分布与费米能级的变化。研究表明,THz s-SNOM能灵敏地探测由外场激发导致的器件沟道载流子浓度变化,并且能够对载流子的非均匀分布进行原位成像检测。此外,基于有限偶极子模型计算,建立了太赫兹近场信号与载流子浓度之间的定量关系,为深入理解光激发和背栅调控载流子行为的微观机制提供了有力支持。 展开更多
关键词 太赫兹散射式扫描近场光学显微镜 开尔文探针力显微镜 mos2场效应晶体管 光激发 背栅调控
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不同栅氧退火工艺下的SiC MOS电容及其界面电学特性 被引量:1
9
作者 付兴中 刘俊哲 +4 位作者 薛建红 尉升升 谭永亮 王德君 张力江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期32-38,共7页
SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷... SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷密度的方法,对分别经过氮等离子体氧化后退火(POA)处理、氮氢混合等离子体POA处理、氮氢氧混合等离子体POA处理、氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性进行了分析。结果表明,该方法可以系统地评价SiC MOS电容电学特性和栅氧界面特性,经过氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容可以满足高温、大场强下长期运行的性能指标。 展开更多
关键词 SiC mos电容 氧化后退火(POA) 平带电压漂移 氧化物陷阱电荷 可动电荷
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基于多层MoS_(2)材料的MOSFET器件退火效应研究
10
作者 韩涛 廖乃镘 +1 位作者 孙艳敏 丁劲松 《今日制造与升级》 2025年第1期48-50,共3页
文章采用机械剥离法在SiO_(2)/Si衬底制备多层二硫化钼(MoS_(2))材料,通过电子束光刻和蒸发工艺制备MOSFET器件。使用光学显微镜、拉曼光谱仪和扫描电镜对多层MoS_(2)材料进行测试表征,并使用半导体参数分析仪对MOSFET器件的电学性能进... 文章采用机械剥离法在SiO_(2)/Si衬底制备多层二硫化钼(MoS_(2))材料,通过电子束光刻和蒸发工艺制备MOSFET器件。使用光学显微镜、拉曼光谱仪和扫描电镜对多层MoS_(2)材料进行测试表征,并使用半导体参数分析仪对MOSFET器件的电学性能进行测试分析。探索退火效应对器件电学性能的影响。 展开更多
关键词 mos2材料 mosFET器件 测试表征 退火效应 电学性能
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高压MOS器件SPICE建模研究
11
作者 顾祥 彭宏伟 +1 位作者 纪旭明 李金航 《微处理机》 2025年第2期9-13,共5页
针对BSIM3v3模型在高压集成电路中高压MOS器件建模上的局限性,通过深入分析栅源电压和衬源电压对源漏电阻的影响,以及电流准饱和效应、碰撞电离电流、高压寄生管和自热效应等关键因素,提出一种基于BSIM3v3的高压MOS模型改进方法。该方... 针对BSIM3v3模型在高压集成电路中高压MOS器件建模上的局限性,通过深入分析栅源电压和衬源电压对源漏电阻的影响,以及电流准饱和效应、碰撞电离电流、高压寄生管和自热效应等关键因素,提出一种基于BSIM3v3的高压MOS模型改进方法。该方法通过引入不同的压控电阻(VCR)、受控电压源(VCVS)和受控电流源(CCCS)等子电路,构建了一个用于精确模拟高压MOS器件的SPICE Macro模型。这一改进显著提升了高压MOS器件的建模精度,对高压集成电路的设计与仿真具有重要的实际意义和应用价值。 展开更多
关键词 高压mos SPICE模型 参数提取
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一种单边高压MOS器件子电路模型搭建
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作者 李艳艳 任庆宝 《中国集成电路》 2025年第10期30-34,共5页
与通用低压MOS器件相比,高压MOS器件的结构更为复杂。目前基于高压MOS器件的电路设计仿真,业界并没有标准的器件模型。本文主要研究了一种10V高压MOS器件子电路模型的建立。针对高压MOS器件的物理特征,分析了漏端电阻受栅源、栅漏电压... 与通用低压MOS器件相比,高压MOS器件的结构更为复杂。目前基于高压MOS器件的电路设计仿真,业界并没有标准的器件模型。本文主要研究了一种10V高压MOS器件子电路模型的建立。针对高压MOS器件的物理特征,分析了漏端电阻受栅源、栅漏电压的影响,在标准模型BSIM3V3的基础上对漏端电阻的描述进行了改进。结果表明,改进后的模型对测量数据的拟合度较高,大大提高了BSIM3V3 Ⅰ-Ⅴ模型模拟高压MOS器件的精确度。因此,本文对高压集成电路的设计仿真具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 BSIM3V3模型 高压mos器件 子电路模型
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基于In,Cu单镀液和纳米MoS_2复合镀液电刷镀层的抗粘着磨损性能研究 被引量:2
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作者 陈元迪 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期89-95,共7页
目的在Cr12MoV模具钢上电刷镀制备出多种具有自润滑性和减磨性能好的涂层,筛选出与奥氏体不锈钢对磨时抗粘着磨损性能优秀的镀层,改善模具的抗粘着磨损性能。方法采用电刷镀方法制备In,Cu单镀液镀层及Ni-W(D)-Mo S2(纳米)和Cu-MoS_2(纳... 目的在Cr12MoV模具钢上电刷镀制备出多种具有自润滑性和减磨性能好的涂层,筛选出与奥氏体不锈钢对磨时抗粘着磨损性能优秀的镀层,改善模具的抗粘着磨损性能。方法采用电刷镀方法制备In,Cu单镀液镀层及Ni-W(D)-Mo S2(纳米)和Cu-MoS_2(纳米)复合电刷镀镀层,对4种镀层与1Cr18Ni9Ti奥氏体不锈钢进行对磨磨损实验,载荷为100 N,磨损时间为300 min,并分析磨损质量损失,同时采用扫描电镜观察分析各镀层的抗粘着磨损实验结果。结果 4种镀层都不同程度地提高了抗粘着磨损能力,但Cu单镀液镀层和Cu-MoS_2(纳米)复合镀层在磨损实验的前150 min磨损质量损失明显,磨损质量损失率分别达到0.105%和0.136%,而In和Ni-W(D)-Mo S2镀层都很小,分别为0.024 57%和0.031 74%,体现出更良好的抗粘着能力和耐磨性。结论在被加工工件的强度不高时,Cu镀层和Cu-MoS_2(纳米)复合镀层仍然具有一定的抗粘着磨损性能,而在被加工工件为具有较明显加工硬化现象的强度较高的奥氏体不锈钢时,In和Ni-W(D)-Mo S2镀层具有更好的抗粘着磨损性能,其中Ni-W(D)-Mo S2镀层表现出了最优秀的综合耐磨性。 展开更多
关键词 In镀层 Cu镀层 Ni-W(D)-mos_2复合镀层 Cu-mos2复合镀层 纳米mos2 奥氏体不锈钢 电刷镀 粘着磨损 模具修复
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与常规CMOS工艺兼容的高压PMOS器件设计与应用
14
作者 李红征 于宗光 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期41-44,共4页
采用常规P阱CMOS工艺,实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器件。制作的器件,其击穿电压为55 V,阈值电压0.92 V,驱动电流25 mA。对所设计的CMOS兼容高压PMOS器件的制造工艺、器件结构和测试等方面进行了阐述。该器件已成功应用于VFD平板显... 采用常规P阱CMOS工艺,实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器件。制作的器件,其击穿电压为55 V,阈值电压0.92 V,驱动电流25 mA。对所设计的CMOS兼容高压PMOS器件的制造工艺、器件结构和测试等方面进行了阐述。该器件已成功应用于VFD平板显示系列电路。 展开更多
关键词 高低压兼容 偏置栅高压mos 标准Cmos工艺 Pmos器件
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MOS管在全固态中波发射机功放模块中的应用分析 被引量:1
15
作者 甘时伟 《中国宽带》 2025年第6期169-171,共3页
为研究MOS管在全固态中波发射机功放模块中的应用,本文详细分析了MOS管的结构特性、工作区域特性和温度特性,并探讨了其在全固态中波发射机功放模块中的具体应用。文章提出了基于IRFP350 MOS管的桥式开关放大架构设计,并通过驱动优化、... 为研究MOS管在全固态中波发射机功放模块中的应用,本文详细分析了MOS管的结构特性、工作区域特性和温度特性,并探讨了其在全固态中波发射机功放模块中的具体应用。文章提出了基于IRFP350 MOS管的桥式开关放大架构设计,并通过驱动优化、故障诊断与状态监测机制等多方面的改进,实现了高效率和高可靠性的功放模块。实验结果验证了该方案的有效性,显著提升了功放模块的效率和稳定性,降低了维护成本。 展开更多
关键词 mos 全固态中波发射机 功放模块 IRFP350
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深层放电脉冲特征模拟及对MOS器件损伤试验
16
作者 陈益峰 冯娜 +2 位作者 王金晓 高志良 邵焜 《真空与低温》 2025年第5期619-625,共7页
深层带电效应已经成为威胁卫星在轨安全的主要空间环境效应因素。为准确模拟深层放电脉冲特征,实现星用器件抗深层放电的性能评价,提出了采用RLC优化电路与商用静电放电发生器相结合的方法。建立了一种能够定量研究深层放电对电子器件... 深层带电效应已经成为威胁卫星在轨安全的主要空间环境效应因素。为准确模拟深层放电脉冲特征,实现星用器件抗深层放电的性能评价,提出了采用RLC优化电路与商用静电放电发生器相结合的方法。建立了一种能够定量研究深层放电对电子器件损伤效应的测试装置,并对MOS器件开展了试验测试,分析了其损伤机制。研究结果表明,经RLC电路优化后的脉冲波形、电流幅值、持续时间等参数均符合深层放电特征,实现了深层放电脉冲的有效模拟。当脉冲电流幅值增加至9 A时,放电脉冲导致MOS器件的SiO2绝缘层击穿,使MOS器件发生不可恢复的“硬损伤”现象;同时研究发现,放电电流低于损伤阈值时放电脉冲同样会造成绝缘层损伤,且该损伤可通过多次累积最终导致绝缘层彻底击穿。 展开更多
关键词 空间辐射环境 深层带电效应 脉冲特征 mos器件 损伤机制 累积效应
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Ni包MoS_2添加剂对镍基涂层的摩擦磨损性能影响 被引量:11
17
作者 潘蛟亮 王引真 +1 位作者 李方坡 高海军 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期225-229,共5页
以Ni包MoS2为润滑剂,Ni60粉末为基体,利用超音速火焰喷涂技术制备镍基固体涂层,研究了Ni包MoS2对Ni60涂层和Ni60/MoS2涂层的显微组织、力学性能以其摩擦磨损性能的影响,并探讨载荷对Ni60/MoS2涂层摩擦磨损性能的影响,采用扫描电子显微... 以Ni包MoS2为润滑剂,Ni60粉末为基体,利用超音速火焰喷涂技术制备镍基固体涂层,研究了Ni包MoS2对Ni60涂层和Ni60/MoS2涂层的显微组织、力学性能以其摩擦磨损性能的影响,并探讨载荷对Ni60/MoS2涂层摩擦磨损性能的影响,采用扫描电子显微镜观察涂层的磨损表面形貌并分析其磨损机制.结果表明,Ni包MoS2的加入可以降低Ni60涂层的结合强度和显微硬度,使其摩擦系数和磨损率明显降低;Ni60/MoS2涂层的摩擦系数与载荷无关,其磨损率随载荷增加而增大;Ni60涂层的磨损机制主要为疲劳磨损和黏着磨损,Ni包MoS2的加入减少了Ni60/MoS2涂层的黏着磨损. 展开更多
关键词 mos2 Ni60/mos2涂层 摩擦磨损性能 磨损机制
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PMOS剂量计的退火特性 被引量:10
18
作者 范隆 任迪远 +2 位作者 张国强 严荣良 艾尔肯 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期383-387,共5页
研究了 PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现 .结果表明 :温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素 ,较高退火温度下 ,退火速率高 ,幅度大 ;相同退火温度下 ,正偏置与负偏置相比有加速退火的作用 ,其退火... 研究了 PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现 .结果表明 :温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素 ,较高退火温度下 ,退火速率高 ,幅度大 ;相同退火温度下 ,正偏置与负偏置相比有加速退火的作用 ,其退火幅度也较大 .在 1 80℃ ,零偏条件下获得了最快的 1 0 0 %的退火效果 ; 展开更多
关键词 辐射剂量计 Pmos 辐照退火 mos晶体管
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还原氧化石墨烯/MoS_2与碳纳米管/MoS_2作为润滑油添加剂的摩擦学性能研究 被引量:10
19
作者 张飞霞 李长生 +1 位作者 张毅 唐华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期801-807,共7页
通过水热法成功制备出还原氧化石墨烯/Mo S2(RGO/Mo S2)与碳纳米管/Mo S2(CNTs/Mo S2)纳米复合材料,采用XRD,SEM以及TEM分别对纳米复合材料样品进行了分析和表征,结果表明所制备的复合材料中Mo S2与还原氧化石墨烯、碳纳米管很好地结合... 通过水热法成功制备出还原氧化石墨烯/Mo S2(RGO/Mo S2)与碳纳米管/Mo S2(CNTs/Mo S2)纳米复合材料,采用XRD,SEM以及TEM分别对纳米复合材料样品进行了分析和表征,结果表明所制备的复合材料中Mo S2与还原氧化石墨烯、碳纳米管很好地结合在一起。用UMT-2多功能摩擦试验机测试其作为液体石蜡添加剂的摩擦磨损性能,并对其摩擦机理进行了分析。研究发现,与纯的Mo S2相比,一定比例的RGO/Mo S2纳米复合材料作为润滑油添加剂的摩擦系数降低了18%,相对磨损量减少55%;与碳纳米管增强的纳米复合材料相比,RGO/Mo S2纳米复合材料具有更好的摩擦磨损性能。 展开更多
关键词 水热法 还原氧化石墨烯/mos2 碳纳米管/mos2 摩擦学性能
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SiC MOS电容氧化层界面缺陷钝化效果分析方法
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作者 胡灿博 刘俊哲 +3 位作者 刘起蕊 尹志鹏 崔鹏飞 王德君 《半导体技术》 北大核心 2025年第6期581-588,共8页
SiC MOS器件的栅氧界面缺陷严重影响其性能。采用X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)技术,识别了SiC MOS电容中的SiO_(x)C_(y)和C—C缺陷及其元素分布,并结合文献数据确定了这些缺陷的能级位置,同时计算了其相应的时间常数。研... SiC MOS器件的栅氧界面缺陷严重影响其性能。采用X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)技术,识别了SiC MOS电容中的SiO_(x)C_(y)和C—C缺陷及其元素分布,并结合文献数据确定了这些缺陷的能级位置,同时计算了其相应的时间常数。研究结果表明,这些缺陷的形成与氧元素缺乏密切相关,氧原子或离子因具有较强的穿透性,可有效消除这些缺陷。为优化样品性能,提出了电子回旋共振(ECR)臭氧等离子体二次氧化工艺。电学测试结果表明,优化后样品的界面态密度降低了约一个数量级,平带电压漂移量在300 K和150 K下分别减小约89.31%和71.10%。这种基于理化分析识别缺陷,并确定缺陷能级位置及计算相应时间常数的方法,为分析栅氧界面缺陷提供了一种精确的测量手段。 展开更多
关键词 SiC mos电容 栅氧界面缺陷 X射线光电子能谱(XPS) 二次离子质谱(SIMS) 缺陷能级 时间常数
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