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MOCVI制备Nextel 720/SiO_2复合材料 被引量：1
1
作者 陈照峰 张立同 +2 位作者 成来飞 徐永东 肖鹏 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2001年第1期13-17,共5页
研究了MOCVI(MetalOrganicChemicalVaporInfiltration)方法制备Nextel72 0 /SiO2 复合材料的工艺理论基础 ,分析了载气流量、先驱体TEOS(正硅酸乙酯 )温度、沉积温度和氧气浓度对氧化硅基体沉积速率和Nextel72 0 /SiO2 复合材料显微结... 研究了MOCVI(MetalOrganicChemicalVaporInfiltration)方法制备Nextel72 0 /SiO2 复合材料的工艺理论基础 ,分析了载气流量、先驱体TEOS(正硅酸乙酯 )温度、沉积温度和氧气浓度对氧化硅基体沉积速率和Nextel72 0 /SiO2 复合材料显微结构的影响。结果表明 ,TEOS 6 0℃ ,O2 流量 30ml·min-1,载气流量 40 0ml·min-1,沉积温度 6 0 展开更多
关键词 TEOS mocvi 复合材料 制备条件 二氧化硅 航空材料
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MOCVI法制备SiO_2/SiO_2复合材料 被引量：1
2
作者 郑勇 张立同 +2 位作者 陈照峰 成来飞 徐永东 《航空制造技术》 2007年第1期92-95,99,共5页
依据金属基化学气相渗透法(MetalOr-ganicChemicalVaporInfiltration,MOCVI)工艺理论基础,采用MOCVI法制备出SiO2/SiO2复合材料,并分析了载气流量、先驱体JH20温度和沉积温度对氧化硅基体渗透速率和SiO2/SiO2(石英玻璃)复合材料显微结... 依据金属基化学气相渗透法(MetalOr-ganicChemicalVaporInfiltration,MOCVI)工艺理论基础,采用MOCVI法制备出SiO2/SiO2复合材料,并分析了载气流量、先驱体JH20温度和沉积温度对氧化硅基体渗透速率和SiO2/SiO2(石英玻璃)复合材料显微结构的影响。结果表明,优化条件为:JH20的温度为60℃,载气流量为500mL/min,氧气流量为15mL/min,沉积温度为600℃。 展开更多
关键词 复合材料 石英玻璃 mocvi 制备条件
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