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MNOS结构界面陷阱分布的TSC谱研究 被引量:5
1
作者 黄君凯 刘涛 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第12期728-736,共9页
本文应用热激电流(TSC)方法研究了MNOS结构中界面陷阱随能量和空间分布的情况.在Wei-Simmons模型的基础上,建立了MNOS结构TSC 谱存储峰的分析理论.该理论满意地描述了实验结果,并得出所研制的MNOS结构存储陷阱分布的主要参数N_o、E_t和... 本文应用热激电流(TSC)方法研究了MNOS结构中界面陷阱随能量和空间分布的情况.在Wei-Simmons模型的基础上,建立了MNOS结构TSC 谱存储峰的分析理论.该理论满意地描述了实验结果,并得出所研制的MNOS结构存储陷阱分布的主要参数N_o、E_t和d分别为1.47×10^(10)cm^(-3)、1.09eV和50A,模型参数τ_o及v_o和前人的理论结果一致。本文同时确定了该MNOS结构中、超薄SiO_2膜Si/SiO_2界面上态密度的D_(it)(E)分布,其结果和MOS结构中厚SiO_2膜的界面情况类似. 展开更多
关键词 化合物半导体 mnos结构 热激电流谱
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MNOS结构保留特性的研究 被引量:3
2
作者 黄君凯 刘涛 《暨南大学学报(自然科学与医学版)》 CAS CSCD 1991年第3期32-37,共6页
通过浅在储陷阱的电荷泄漏模型,对MNOS结构的保留特性进行研究。根据模型推导出的理论公式满意地描述了包括温度效应和栅压效应在内的实验结果,并得出所研制MNOS结构中存储电荷的保留时间t_r和存储陷阱的分布参数No、E_t和d分别为4.0... 通过浅在储陷阱的电荷泄漏模型,对MNOS结构的保留特性进行研究。根据模型推导出的理论公式满意地描述了包括温度效应和栅压效应在内的实验结果,并得出所研制MNOS结构中存储电荷的保留时间t_r和存储陷阱的分布参数No、E_t和d分别为4.0×10~3min、1.85×10^(18)cm^(-3)、1.04eV和50(?)。 展开更多
关键词 mnos结构 保留特性 存储陷阱
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用DLTS技术研究MNOS结构界面陷阱 被引量:1
3
作者 黄君凯 易清明 刘涛 《暨南大学学报(自然科学与医学版)》 CAS CSCD 1999年第5期17-23,共7页
提出利用深能级瞬态谱( D L T S) 技术研究 M N O S 结构中界面陷阱的分布,阐述并建立了 M N O S结构 D L T S 存储峰和界面态峰的解析理论,并给出区分这两个谱峰的实验方法对研制的 M N O S 结构进行的 D ... 提出利用深能级瞬态谱( D L T S) 技术研究 M N O S 结构中界面陷阱的分布,阐述并建立了 M N O S结构 D L T S 存储峰和界面态峰的解析理论,并给出区分这两个谱峰的实验方法对研制的 M N O S 结构进行的 D L T S测量描述了理论结果,所获得的存储陷阱和界面态的分布规律与应用热激电流谱和保留特性方法交叉研究的结果一致上述理论也可用于含有陷阱的其它介质 M I S 结构的 D L T S 展开更多
关键词 mnos结构 界面陷阱 深能级瞬态谱 复合介质膜
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MNOS电容辐照吸收剂量计的研究 被引量:1
4
作者 易清明 黄君凯 +1 位作者 刘竞云 刘毓耿 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期40-45,共6页
从理论上给出了具有存储特性的 MNOS电容在存储电荷后经受γ射线辐照的响应规律 ,并利用这一特性制作电子辐照吸收剂量计。采用 L PCVD工艺制作了具有存储特性的 MNOS电容 ,经自行研制对存储电荷干扰极小的 MNOS电容辐照实验测试系统 ,... 从理论上给出了具有存储特性的 MNOS电容在存储电荷后经受γ射线辐照的响应规律 ,并利用这一特性制作电子辐照吸收剂量计。采用 L PCVD工艺制作了具有存储特性的 MNOS电容 ,经自行研制对存储电荷干扰极小的 MNOS电容辐照实验测试系统 ,对样品进行了 60 Co辐照响应规律的研究。结果表明 :MNOS电容电子辐照剂量计适用于 10 3 ~ 10 5Gy范围内的累计剂量的测量。这种新型剂量计的优点是 :一次性校准可重复多次使用并可直接读数的电子测量方式 ,便于测量自动化 ,非常适用于太空飞行器和核技术应用中累计剂量的测量。 展开更多
关键词 mnos电容 辐照剂量计 钴60辐照
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MNOS结构辐照感生界面电荷的研究
5
作者 吴凤美 施毅 +4 位作者 赵丽华 祁斌 刘英堃 周荷秀 路金印 《南京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1993年第3期376-382,共7页
本文报导了MNOS结构经γ射线、电子和中子辐照在SiO_2-Si界面产生感生电荷的研究结果。实验表明,目前的MNOS结构在较低剂量时辐照感生电荷就趋于饱和,辐照特征与SiO_2厚度及辐照顺序有关。文中还对实验结果作了进一步讨论。
关键词 mnos结构 辐照 界面电荷 半导体
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MNOS存储晶体管的研制
6
作者 赵守安 刘竞云 刘涛 《暨南大学学报(自然科学与医学版)》 CAS CSCD 1990年第3期34-40,共7页
用液氮温度下的液氧蒸汽作为氧源,控制 O_2/N_2值在10^(-2)至10^(-3)可生长性能和重复性均为良好的可隧穿的超薄氧化层,结合用 SiH_4—NH_3体系的 LPCVD 技术,所淀积的具有电荷存储陷阱的 Si_3N_4膜能成功地制造 MNOS 结构存储晶体管。... 用液氮温度下的液氧蒸汽作为氧源,控制 O_2/N_2值在10^(-2)至10^(-3)可生长性能和重复性均为良好的可隧穿的超薄氧化层,结合用 SiH_4—NH_3体系的 LPCVD 技术,所淀积的具有电荷存储陷阱的 Si_3N_4膜能成功地制造 MNOS 结构存储晶体管。经测试,这种晶体管阈值窗口可设置在6V,对于管子处于高导态时,保留时间为10~3min,闽值电压变化的典型值为1V;当管子处于低导态时,其保留时间为3×10~3min 时阈电压变化的典型值为0.2V。这种存储管可擦写的次数为10~5以上。表明存储晶体管具有良好的器件特性。 展开更多
关键词 mnos结构 存储晶体管 超薄氧化硅 氮化硅
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MNOS电容的辐照吸收特性 被引量:1
7
作者 刘毓耿 易清明 刘竞云 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期376-379,共4页
本文报告MNOS存储电容的辐照吸收规律与电容对存储电荷的保留特性之间有一定的内在联系:在SiO2膜辐照响应的集总常数保持不变时,样品对存储电荷的保留能力越强,则辐照响应的敏感剂量越往小剂量方向移动.
关键词 mnos电容 电容 辐照 吸收特性
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多晶硅栅MNOS结构的抗辐射的研究 被引量:2
8
作者 姚达 许仲德 王明浩 《微处理机》 1998年第3期15-17,共3页
本文介绍了多晶硅栅MNOS结构抗辐射的性能;验证了它能有效地抑制MOS器件阈电压的漂移,是一种优越的抗辐射加固材料。
关键词 mnos结构 抗辐射 多晶硅栅 MOS器件
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MNOS晶体管的存储特性及其测量方法
9
作者 钟雨乐 赵守安 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期25-27,37,共4页
本文介绍了MNOS晶体管的存储特性,包括开关滞后特性、写擦特性、存储电荷保留特性和耐久性.提出了测量这些特性的一种有效方法,并给出了研制中的MNOS晶体管的测量结果.
关键词 mnos晶体管 存储特性 测量
全文增补中
MNOS存贮管存贮栅的工艺控制技术 被引量:2
10
作者 张新 邢昆山 +1 位作者 王爵树 杨维成 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期49-53,共5页
介绍一种军用专用集成电路的核心器件──MNOS管。存贮栅是该存贮管的制作关键,存贮栅由薄二氧化硅层和氮化硅复合膜组成。着重论述了复合膜中较难制作的薄二氧化硅即薄栅(2.15±0.15nm)的工艺控制。
关键词 mnos 薄栅 工艺 控制 二氧化硅
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Radiation Absorption Mechanism in Nonvolatile MNOS Structure
11
作者 YIQing-ming HUANGJun-kai 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2002年第1期51-55,共5页
The γ-ray radiation will speed up the discharge of the storedcharge in nonvolatile MNOS structure. The radiation absorptionmechanism to enhance the discharge is discussed. A direct radiationemission model from the in... The γ-ray radiation will speed up the discharge of the storedcharge in nonvolatile MNOS structure. The radiation absorptionmechanism to enhance the discharge is discussed. A direct radiationemission model from the interface traps distributing both in energylevel and in space is given. The theoretical results based on thismodel are in good agreement with experimental measurements. 展开更多
关键词 mnos structure direct radiation emission model radiation absorption
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中国特高拱坝变形曲线解析研究——散点MNO法实例
12
作者 王民浩 陈观福 《水力发电》 2026年第1期1-7,共7页
通过调研收集大量特高拱坝监测资料,分析中国已建成投运的9座特高拱坝的工程特点,运用散点MNO法解析出特高拱坝的标准曲线。计算结果表明,9个特高拱坝的变形标准曲线的趋势是一致的,全部符合拱坝物理特性和变形规律。最后提出开放大坝... 通过调研收集大量特高拱坝监测资料,分析中国已建成投运的9座特高拱坝的工程特点,运用散点MNO法解析出特高拱坝的标准曲线。计算结果表明,9个特高拱坝的变形标准曲线的趋势是一致的,全部符合拱坝物理特性和变形规律。最后提出开放大坝监测数据的建议,在海量监测数据的基础上,根据散点MON法和拱坝宏评M法,建立拱坝最大变形标准曲线数据库,从而可进行智能设计,提高效率,降低生产成本,进一步提升拱坝设计水平。 展开更多
关键词 特高拱坝 大坝监测 散点 MNO法 变形曲线
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高功率激光与MNOS型电荷耦合器件相互作用过程的等离子体诊断 被引量:1
13
作者 倪晓武 陆建 贺安之 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第12期1077-1079,共3页
电荷耦合器件(Change-coupled devices,CCD)是一种全固体自扫描摄像器件,因其具有体积小、图像畸变小、无残像和寿命长等优点,因而在摄像、探测和信息处理与存储等领域得到广泛应用.在一些特殊的场合,CCD经常要与激光光源配合使用,不可... 电荷耦合器件(Change-coupled devices,CCD)是一种全固体自扫描摄像器件,因其具有体积小、图像畸变小、无残像和寿命长等优点,因而在摄像、探测和信息处理与存储等领域得到广泛应用.在一些特殊的场合,CCD经常要与激光光源配合使用,不可避免地存在着激光与CCD相互作用甚至产生损伤的问题.这里所说的损伤又有组成CCD的半导体材料中处于杂质能带的电子吸收激光能量大量向导带跃迁,引起暗电流增加而使器件饱和或失效的软损伤和激光束直接作用于CCD,致使器件中材料或结构硬损伤等.对前一问题,已有文献进行了相关的研究.本文利用调Q-YAG激光与NMOS结构的CCD多次重复作用产生的等离子体形貌及其Mach-Zehnder干涉图,研究了高功率激光与该种光电器件的相互作用过程.首次得到了脉宽为15ns的1064nm激光对MNOS结构相互作用过程的等离子体干涉图及有关实验结果. 展开更多
关键词 电荷耦合器件 mnos结构 相互作用 等离子体 激光
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Ti掺杂Li2MnO3催化剂光催化降解四环素的性能研究
14
作者 蒋清梅 周颖 +2 位作者 代朋 彭秦磊 李园园 《低碳化学与化工》 北大核心 2026年第3期131-138,共8页
针对四环素等抗生素残留引发的水体污染问题,采用高温固相法合成了不同Ti掺杂量的Li_(2)Mn_(1-x)TixO_(3)(x=0、0.1、0.2、0.3或0.4)催化剂,旨在通过调控Li2MnO3的能带结构提升其光催化性能。通过XRD和FT-IR等表征分析了催化剂的物化性... 针对四环素等抗生素残留引发的水体污染问题,采用高温固相法合成了不同Ti掺杂量的Li_(2)Mn_(1-x)TixO_(3)(x=0、0.1、0.2、0.3或0.4)催化剂,旨在通过调控Li2MnO3的能带结构提升其光催化性能。通过XRD和FT-IR等表征分析了催化剂的物化性质,发现所有催化剂均保持纯相结构。光催化实验结果表明,在500 W汞灯下照射30 min,Li_(2)Mn_(0.7)Ti_(0.3)O_(3)展现出最优的光催化性能,其四环素降解率达66.7%,表观动力学速率常数为0.08480 L/(mg.min),约为Li2MnO3的1.90倍。莫特-肖特基和阻抗测试表明,Ti掺杂使Li2MnO3导带电位负移,同时提升了载流子分离效率。自由基捕获实验证实空穴(h+)和超氧阴离子自由基(·)是降解过程的主要活性物种。 展开更多
关键词 光催化 LI2MNO3 Ti掺杂 四环素
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MnO Nanocubes Enabling Charging Potential of Li-O_(2)Batteries to 3.25 V in a LiMnO_(4)-dominated Novel Reaction Mechanism
15
作者 LI Zhuxin LI Xufeng +5 位作者 SHU Qingzhu MA Kai YU Hongquan ZHANG Yong LIU Shuhong ZHAO Hong 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 2026年第2期296-303,共8页
We proposed a strategy to address the issue by synthesizing MnO with half-filled 3 d electron orbitals.That is,MnO nanocubes with an edge length of 61.82 nm were successfully prepared through electros-pinning and one-... We proposed a strategy to address the issue by synthesizing MnO with half-filled 3 d electron orbitals.That is,MnO nanocubes with an edge length of 61.82 nm were successfully prepared through electros-pinning and one-step pyrolysis as the cathode electrode for Li-O_(2)batteries.It is observed that the intermediate LiMnO_(4)rather than Li_(2)O_(2)is formed when LiO_(2)interactes with MnO(111)during the discharge process.It is precisely because of LiMnO_(4)that reduces its charge overpotential to 0.29 V.The novel reaction mechanism dominated by LiMnO_(4)further facilitates the lower charge overpotential,thereby enhancing the energy efficiency of the batteries. 展开更多
关键词 MnO nanocubes LiMnO4 low charge overpotential Li-O2 batteries
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散点、域面MNO分析与半高法--以物理问题特高拱坝变形为例 被引量:2
16
作者 李瓒 王民浩 《西北水电》 2025年第1期1-13,共13页
散点研究中,通常用数学回归方式求取吻合程度较高,R 2越接近1越好的方程作为最终方程。通过进行散点分析,建立点、面、线关系;在MNO原则控制下,用因素面积分析线性域M、非线性域N(二者和为实域)和调控域O(空域),求取基本标准函数(R 2=1)... 散点研究中,通常用数学回归方式求取吻合程度较高,R 2越接近1越好的方程作为最终方程。通过进行散点分析,建立点、面、线关系;在MNO原则控制下,用因素面积分析线性域M、非线性域N(二者和为实域)和调控域O(空域),求取基本标准函数(R 2=1),具体用半高分析获取最终标准函数,并对小湾特高拱坝变形进行了标准函数求解,画出了国内首条特高拱坝变形曲线。 展开更多
关键词 MNO原则 点面问题 半高法 标准曲线 小湾特高拱坝变形
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散点、域面MNO分析与半高法之增论 被引量:1
17
作者 李瓒 王民浩 《西北水电》 2025年第6期1-3,共3页
通过建立点、面、线关系;在MNO原则控制下,用半高分析获取最终标准函数,并对小湾特高拱坝变形进行了标准函数求解,画出了国内首条特高拱坝变形曲线。经研究发现虽已对m>100作了较详细的论述,问题复杂是为计算中涉及面广,诸如111问题... 通过建立点、面、线关系;在MNO原则控制下,用半高分析获取最终标准函数,并对小湾特高拱坝变形进行了标准函数求解,画出了国内首条特高拱坝变形曲线。经研究发现虽已对m>100作了较详细的论述,问题复杂是为计算中涉及面广,诸如111问题等,但实际问题中当还有m=100和m<100等的其他相应情况。为解决特高拱坝工程实际变形曲线中还存在的m=100和m<100等的其他相应情况,特以增论方式进行阐述论证,为特高拱坝变形曲线获得提供支撑。 展开更多
关键词 散点MNO 半高法 “b”法 五种模型
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以视神经炎、脑炎为表现的MOG抗体及抗NMDAR脑炎重叠综合征1例并文献复习
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作者 张建龙 关肖霄 +2 位作者 岳翠红 韩英博 李合华 《河南医学研究》 2025年第23期4408-4411,共4页
髓鞘少突胶质细胞糖蛋白抗体相关疾病及抗N-甲基-D-天冬氨酸受体脑炎重叠综合征(MNOS)临床罕见,是指髓鞘少突胶质细胞糖蛋白(MOG)抗体和抗N-甲基-D-天冬氨酸受体(NMDAR)抗体同时或相继出现阳性,由于其发病率低,早期临床表现不典型,临床... 髓鞘少突胶质细胞糖蛋白抗体相关疾病及抗N-甲基-D-天冬氨酸受体脑炎重叠综合征(MNOS)临床罕见,是指髓鞘少突胶质细胞糖蛋白(MOG)抗体和抗N-甲基-D-天冬氨酸受体(NMDAR)抗体同时或相继出现阳性,由于其发病率低,早期临床表现不典型,临床极易误诊或漏诊。本文总结分析新乡医学院第一附属医院2023年4月收治的1例MNOS患者,其病史为7个月,共2次发作,复发-缓解病程,第1次发作表现为视神经炎,未行相关抗体检测,误诊为视神经炎;第2次发作表现为发热、肢体瘫痪,误诊为脑梗死,按脑梗死、抗感染治疗效果差,就诊于新乡医学院第一附属医院,完善相关抗体检测,最终诊断为MNOS,责任抗体为MOG抗体,伴随抗体为抗NMDAR抗体。急性期给予激素冲击及免疫吸附治疗,缓解期给予利妥昔单抗注射液预防复发,随访8个月无复发。 展开更多
关键词 视神经炎 脑炎 mnos MOG抗体 抗NMDAR抗体
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锂离子电池富锂层状正极材料Li-Ni-Mn-O应变机理研究 被引量:2
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作者 刘继洪 祝佳鹏 +4 位作者 张旭 张纪阳 黄超洋 贾桂霄 安胜利 《化学学报》 北大核心 2025年第2期101-109,共9页
富锂层状氧化物(LLOs)中Li_(2)MnO_(3)畴的聚集和晶格释氧导致了严重的容量/电压衰减,阻碍了其商业化应用.本工作设计了Co渗透(LNCMO-P)和未渗透(LNCMO-n P) Li_(1.17)Ni_(0.165)Co_(0.165)Mn0.5O_(2)两种模型,使用第一性原理计算方法... 富锂层状氧化物(LLOs)中Li_(2)MnO_(3)畴的聚集和晶格释氧导致了严重的容量/电压衰减,阻碍了其商业化应用.本工作设计了Co渗透(LNCMO-P)和未渗透(LNCMO-n P) Li_(1.17)Ni_(0.165)Co_(0.165)Mn0.5O_(2)两种模型,使用第一性原理计算方法研究了Co渗透对氧化过程、脱锂结构及结构稳定性和晶格畸变的影响.研究结果表明,通过调控氧空位浓度可将Co渗透到Li_(2)MnO_(3)相.Co渗透缓解了Li_(2)MnO_(3)与LiTMO_(2)两相应力畸变,抑制了由不均匀的电化学活动和结构演变产生的晶格应变.Co的渗透激活了界面氧参与电荷补偿,分散了氧的氧化,分担了Li-O-Li构型中氧的氧化压力,改善由于晶格氧过度氧化面临不可逆氧气析出的问题.此外Ni—O强共价键引起了高自旋Co电子态出现,缓减了充电引起的体积膨胀.本工作为设计具有高性能结构稳定的富锂正极材料提供了理论基础. 展开更多
关键词 富锂层状氧化物 Li2MnO3相 Co渗透 应力 第一性原理计算
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超低温高锰钢连铸保护渣研究进展 被引量:5
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作者 王强强 习在辉 +2 位作者 何生平 李明 李权辉 《钢铁》 北大核心 2025年第2期11-22,共12页
近年来随着钢铁行业节能减排压力的提升,超低温高锰钢生产采用的“转炉/电炉→精炼→连铸”流程工艺具有高效、节能、低成本的优势,成为许多钢铁企业的发展方向。然而,高锰钢由于锰、碳质量分数较高,钢水导热性差,凝固坯壳线膨胀系数大... 近年来随着钢铁行业节能减排压力的提升,超低温高锰钢生产采用的“转炉/电炉→精炼→连铸”流程工艺具有高效、节能、低成本的优势,成为许多钢铁企业的发展方向。然而,高锰钢由于锰、碳质量分数较高,钢水导热性差,凝固坯壳线膨胀系数大,冷却过程中容易产生较大的热应力,极易产生漏钢风险。加上浇铸过程结晶器钢渣界面不可避免地发生反应[Mn]+(SiO_(2))→[Si]+(MnO),造成熔渣成分和性能改变,恶化保护渣正常的润滑和控制传热功能。前期调研发现国内钢厂采用连铸工艺生产高锰钢均存在不顺行的情况,铸坯容易出现纵裂纹且漏钢事故频发,有的甚至单炉浇铸都非常困难。连铸坯表面缺陷和漏钢事故频发已严重阻碍了超低温高锰钢的规模化生产,保护渣技术作为连铸工艺的关键技术之一,对保障连铸顺行和铸坯表面质量具有重要的影响。当前高锰钢研究主要集中在成分设计、轧制热处理、焊接技术等方面,但是在保护渣专用渣系的研究与开发方面还未见系统报道。为此,着重对含锰钢渣金反应性研究、MnO对熔渣流变特性以及渣膜传热控制影响方面进行相关综述,明确了CaO-SiO_(2)-MnO基低反应性渣系的研究重点。超低温高锰钢低反应性连铸保护渣的开发,对拓展和深化难浇钢种连铸保护渣传热与润滑协调控制理论,以及促进无缺陷铸坯高效、绿色、低碳生产具有重要意义,也是未来专用渣系的发展方向。 展开更多
关键词 连铸保护渣 超低温高锰钢 渣金反应 润滑 传热 结晶 微观结构 MNO
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