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ZnO-Bi_2O_3系MLCV稳定性的研究 被引量：2
1
作者 成鹏飞 李盛涛 张晓军 《电瓷避雷器》 CAS 北大核心 2013年第3期48-52,共5页
研究了不同温度(900～1040℃)下烧结的ZnO-Bi2O3系叠层片式压敏电阻器(ML-CV)的热稳定性和8/20μs电流脉冲冲击稳定性,发现1000℃烧结的MLCV试样的稳定性最好,其压敏电压变化率的温度系数低于1.67×10-4/K,电脉冲冲击后压敏电压和... 研究了不同温度(900～1040℃)下烧结的ZnO-Bi2O3系叠层片式压敏电阻器(ML-CV)的热稳定性和8/20μs电流脉冲冲击稳定性,发现1000℃烧结的MLCV试样的稳定性最好,其压敏电压变化率的温度系数低于1.67×10-4/K,电脉冲冲击后压敏电压和分线性指数的变化率分别仅为0.25%和4.27%。然后分析了烧结气氛对MLCV在1 mA直流负载作用下压敏电压稳定性的影响,发现当垫料中添加剂的质量百分比比试样中添加剂质量百分比高20%时,MLCV试样压敏电压的稳定性最高。 展开更多
关键词 ZNO压敏陶瓷 mlcv 稳定性
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ZnO-Bi_2O_3系MLCV内电极扩散现象的研究 被引量：2
2
作者 成鹏飞 李盛涛 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期43-45,共3页
为了确定Bi系MLCV的最佳烧结温度。借助于SEM直接观察、内电极间不同位置处的能谱分析及高斯扩散公式的拟合,研究了内电极的扩散过程,并测量了内电极扩散对MLCV电气性能的影响。发现烧结温度高于1040℃时,内电极的扩散较显著;Ag和Pd沿... 为了确定Bi系MLCV的最佳烧结温度。借助于SEM直接观察、内电极间不同位置处的能谱分析及高斯扩散公式的拟合,研究了内电极的扩散过程,并测量了内电极扩散对MLCV电气性能的影响。发现烧结温度高于1040℃时,内电极的扩散较显著;Ag和Pd沿晶界扩散的扩散系数相同,约10–11cm2/s。以Ag/Pd为内电极的MLCV的最佳烧结温度为1000℃左右,在该温度下烧结的试样其非线性指数可达28。 展开更多
关键词 电子技术 叠层片式 ZNO压敏电阻器 扩散 电气性能
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多层片式压敏电阻器的最新发展动向 被引量：6
3
作者 王兰义 吕呈祥 唐国翌 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第12期8-11,共4页
介绍了多层片式压敏电阻器的现状,分析了当前工艺中存在的问题(内电极与瓷体材料的反应和端电极的爬镀)和解决的办法,指出了其最新的发展动向。在工艺技术和应用上,多层片式压敏电阻器向小型化、阵列化、模块化及低电容等方向发展;同时... 介绍了多层片式压敏电阻器的现状,分析了当前工艺中存在的问题(内电极与瓷体材料的反应和端电极的爬镀)和解决的办法,指出了其最新的发展动向。在工艺技术和应用上,多层片式压敏电阻器向小型化、阵列化、模块化及低电容等方向发展;同时还要从环境保护和生产成本角度来考虑,采取水基流延制备工艺和采用新配方或纳米材料来降低压敏陶瓷烧结温度。 展开更多
关键词 电子技术 多层片式压敏电阻器 综述 爬镀 水基流延 静电放电保护
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多层片式压敏电阻器的应用 被引量：6
4
作者 王兰义 吕呈祥 +2 位作者 景志刚 杜辉 唐国翌 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2006年第5期1-4,共4页
介绍了多层片式压敏电阻器的分类和应用范围,指出它是目前电路中浪涌防护的最佳保护元件,详述了它在一般信号线路和高频信号线路静电放电保护中的应用。其主要应用领域为汽车电子、通信、计算机、消费类电子产品和军用电子产品等,其应... 介绍了多层片式压敏电阻器的分类和应用范围,指出它是目前电路中浪涌防护的最佳保护元件,详述了它在一般信号线路和高频信号线路静电放电保护中的应用。其主要应用领域为汽车电子、通信、计算机、消费类电子产品和军用电子产品等,其应用发展趋势为小型化、阵列化、复合化和低电容化等。 展开更多
关键词 多层片式压敏电阻器 过电压保护 静电放电保护 氧化锌 钛酸锶 应用
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