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具有MIS结构的n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs双调制掺杂赝HEMT
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作者 相奇 罗晋生 +2 位作者 曾庆明 周均铭 黄绮 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期109-115,T001,共8页
本文设计和研制了具有MIS结构的n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs 双调制掺杂赝HEMT.它结合了MISFET和双调制掺杂赝HEMT的特点.1μm栅长器件的最大漏电流密度达400mA/mm,栅反向击穿电压高达15V.器件还显示了良好的微波射频特性.
关键词 调制掺杂 HEMT MIS结构 mis-dhemt
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