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320×256锗基中波碲镉汞红外焦平面探测器研究 被引量：2
1
作者 赵俊 杨玉林 +9 位作者 李艳辉 杨春章 谭英 齐航 韩福忠 邢一山 王羽 王晓璇 姬荣斌 孔金丞 《红外技术》 CSCD 北大核心 2014年第6期439-442,456,共5页
报道了分子束外延锗基中波碲镉汞薄膜材料以及320×256锗基中波碲镉汞红外焦平面探测器研究的初步结果。利用分子束外延技术基于3英寸锗衬底生长的中波碲镉汞薄膜材料,平均宏观缺陷密度低于200 cm-2,平均半峰宽优于90 arcsec,平均... 报道了分子束外延锗基中波碲镉汞薄膜材料以及320×256锗基中波碲镉汞红外焦平面探测器研究的初步结果。利用分子束外延技术基于3英寸锗衬底生长的中波碲镉汞薄膜材料,平均宏观缺陷密度低于200 cm-2,平均半峰宽优于90 arcsec,平均腐蚀坑密度低于2.9×106 cm-2;采用标准的二代平面工艺制备的320×256锗基中波碲镉汞红外焦平面探测器,平均峰值探测率达到3.8×1011cm·Hz1/2W-1,平均等效噪音温差优于17.3 mK,非均匀性优于6.5%,有效像元率高于99.7%。 展开更多
关键词 分子束外延 锗基碲镉汞 红外焦平面探测器
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