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M/a-Si : H/SnO_2 结构双势垒的验证
1
作者
张治国
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第1期80-85,共6页
给出了Ｍ／ａ－Ｓｉ∶Ｈ／ＳｎＯ２结构的平衡态能带图，用光电压法和Ｃ－Ｖ特性法对该结构的双势垒进行了实验验证。给出了背结的接触电势差，同时发现这种结构用作光电器件时小势垒的影响可以忽略。其中Ｃ－Ｖ特性及其判别法尚未见报导。
关键词
非晶硅
双势垒
m
/a-si
:
h
/sno
2
光电器件
在线阅读
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职称材料
题名
M/a-Si : H/SnO_2 结构双势垒的验证
1
作者
张治国
机构
内蒙古工业大学电力学院自动化系
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第1期80-85,共6页
文摘
给出了Ｍ／ａ－Ｓｉ∶Ｈ／ＳｎＯ２结构的平衡态能带图，用光电压法和Ｃ－Ｖ特性法对该结构的双势垒进行了实验验证。给出了背结的接触电势差，同时发现这种结构用作光电器件时小势垒的影响可以忽略。其中Ｃ－Ｖ特性及其判别法尚未见报导。
关键词
非晶硅
双势垒
m
/a-si
:
h
/sno
2
光电器件
Keywords
a
m
orp
h
ous silicon,dual barriers,identifying experi
m
ent
分类号
TN203 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
M/a-Si : H/SnO_2 结构双势垒的验证
张治国
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
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