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缺陷态对ZTO:Li TFT光电性能的影响
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作者 李东旭 郭亮 +3 位作者 裘锦春 杨帆 王超 杨小天 《日用电器》 2025年第6期43-51,共9页
在本研究中,使用磁控溅射法制备了不同溅射功率的ZnSnO:Li(LZTO)薄膜。研究了缺陷态浓度对ZnSnO:Li (LZTO)TFT电学性能的影响。随着溅射功率改变,Li、Zn、Sn元素的占比发生变化。当溅射功率较低时,Li元素形成Li间隙产生足够的自由电子,... 在本研究中,使用磁控溅射法制备了不同溅射功率的ZnSnO:Li(LZTO)薄膜。研究了缺陷态浓度对ZnSnO:Li (LZTO)TFT电学性能的影响。随着溅射功率改变,Li、Zn、Sn元素的占比发生变化。当溅射功率较低时,Li元素形成Li间隙产生足够的自由电子,导致缺陷态浓度降低,器件的电学性能提升。溅射功率持续增加时,结合能较低的Li离子取代结合能较高Zn离子,使占据晶格的Zn离子减少,Zn间隙增加,并产生了部分氧空位,导致薄膜缺陷态浓度增高,器件的电学性能下降。当LZTO溅射功率为80 W时器件电学性能最佳,迁移率为16.03 cm^(2)/Vs、阈值电压为-1.14 V、亚阈值摆幅为1.63 V/decade、开关比为2.2×10^(8)。 展开更多
关键词 lzto TFT XPS分析 缺陷密度
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掺杂的钛基锂电池负极材料的结构与性能的研究
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作者 邓虹材 张攀耀 何茗 《材料科学》 2024年第6期1005-1016,共12页
本文使用基于密度泛函理论(DFT)的超软赝势模拟法来对Li2ZnTi3O8、掺杂后的Li1.9Al0.1ZnTi3O8和Li1.9Ag0.1ZnTi3O8材料进行了电子结构与光学性质的研究。首先用CASTEP子程序对LZTO材料构建超晶胞并进行几何结构优化,并对优化后的电子结... 本文使用基于密度泛函理论(DFT)的超软赝势模拟法来对Li2ZnTi3O8、掺杂后的Li1.9Al0.1ZnTi3O8和Li1.9Ag0.1ZnTi3O8材料进行了电子结构与光学性质的研究。首先用CASTEP子程序对LZTO材料构建超晶胞并进行几何结构优化,并对优化后的电子结构进行计算:包括能带结构、晶格常数、各原子的分波态密度以及总体态密度等。结果表明,LZTO晶格常数为a = b = c = 8.009 Å,Li1.9Al0.1ZnTi3O8晶格常数a = b = c = 8.837 Å,Li1.9Ag0.1ZnTi3O8晶格常数为a = b = c = 8.959 Å,与实验值接近。通过能带结构和态密度图得到Li2ZnTi3O8是一种直接带隙半导体材料,掺杂后电子的能量范围变窄,主要来自于Li、Ag、Zn和Al元素的贡献。最后计算和分析了LZTO的光学性质(光学吸收光谱),以期为锂离子电池电极材料的设计与优化提供理论指导。 展开更多
关键词 lzto 第一性原理 电子结构 光学性质 DFT
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