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LiTaO_(3)/SiO_(2)/Poly-Si/Si衬底SAW谐振器高阶模态抑制
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作者 周增毅 帅垚 +3 位作者 吴传贵 彭斌 潘忻强 张万里 《压电与声光》 北大核心 2026年第1期6-11,共6页
通过优化Si的晶体取向,将Si相对于LiTaO_(3)单晶薄膜进行面内旋转,可抑制LiTaO_(3)/SiO_(2)/poly-Si/Si(LTOI)衬底SAW谐振器中高阶模态。通过(110)Si、(100)Si、(111)Si体波声速曲线与主模声速Vmain、高阶模态声速V_(p-h)的对比分析,可... 通过优化Si的晶体取向,将Si相对于LiTaO_(3)单晶薄膜进行面内旋转,可抑制LiTaO_(3)/SiO_(2)/poly-Si/Si(LTOI)衬底SAW谐振器中高阶模态。通过(110)Si、(100)Si、(111)Si体波声速曲线与主模声速Vmain、高阶模态声速V_(p-h)的对比分析,可知当(110)Si面内旋转角度a110=90°/160°/270°/340°时,Si衬底水平剪切体声波声速V_(SH)和垂直剪切体声波声速V_(SV)同时达到较小的值,高阶模态杂波声速V_(p-h)>V_(SH),V_(p-h)>V_(SV),高阶模态杂波的能量辐射到Si衬底中发生泄露,从而达到抑制高阶模态的目的。仿真和流片实验表明,对于使用逆时针旋转270°的(110)Si的LTOI衬底SAW谐振器,其仿真、流片实验的阻抗曲线均未观察到高阶模态杂散响应。 展开更多
关键词 高阶模态抑制 声表面波谐振器 声表面波(SAW) ltoi Si的晶体取向
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钽酸锂压电单晶复合薄膜制备及性能研究
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作者 龙勇 丁雨憧 +5 位作者 肖梦涵 陈哲明 石自彬 刘善群 邹少红 唐景黎 《压电与声光》 北大核心 2025年第6期1066-1070,共5页
随着物联网的快速增长,对射频前端的声表面波滤波器提出了更高、更全面的性能要求。钽酸锂压电单晶复合薄膜晶圆将不同材料的优势集成在一起,大幅提高了声表面波滤波器的工作频率和带宽,降低了功耗等性能。采用Smart-Cut技术制备了外观... 随着物联网的快速增长,对射频前端的声表面波滤波器提出了更高、更全面的性能要求。钽酸锂压电单晶复合薄膜晶圆将不同材料的优势集成在一起,大幅提高了声表面波滤波器的工作频率和带宽,降低了功耗等性能。采用Smart-Cut技术制备了外观完整光滑、无宏观缺陷的6英寸LTOI晶圆。经FIB-TEM、X线衍射分析,薄膜厚度、弯曲度、表面粗糙度测试表明,晶圆内部各层界面结合质量良好,摇摆曲线半高宽为41″,单晶性能较好,LT压电薄膜厚度为745.07 nm、厚度不均匀性为±1.7%,弯曲度为13.98μm,表面粗糙度为0.227 nm,满足声表面波滤波器器件使用要求。 展开更多
关键词 ltoi晶圆 离子注入 等离子活化键合 晶格修复 声表面波滤波器
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硅基钽酸锂压电单晶复合薄膜材料及应用 被引量:6
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作者 丁雨憧 何杰 +3 位作者 陈哲明 龙勇 毛世平 马晋毅 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第1期66-71,81,共7页
绝缘体上压电基板(POI)是一种新兴的压电单晶复合薄膜结构材料。POI基板由压电单晶材料薄层(单晶钽酸锂/铌酸锂)、二氧化硅层及高阻硅衬底构成,采用Smart-Cut工艺制备,可保证板层高均匀度及高质量的批量生产。通过这种基板可设计满足5G... 绝缘体上压电基板(POI)是一种新兴的压电单晶复合薄膜结构材料。POI基板由压电单晶材料薄层(单晶钽酸锂/铌酸锂)、二氧化硅层及高阻硅衬底构成,采用Smart-Cut工艺制备,可保证板层高均匀度及高质量的批量生产。通过这种基板可设计满足5G通信要求的高性能集成声表面波(SAW)谐振器和滤波器。基于POI材料制备的SAW器件具有高频、高品质因数(Q)值、低温度敏感性及较大带宽等优良特性,同时还能在同一芯片上集成多个SAW滤波器,具有广阔的市场应用前景。该文介绍了POI基板的制备、国内外的研究现状及POI基板在高性能SAW滤波器中的应用,综述了制备POI基板的关键技术并展望了未来的发展趋势。 展开更多
关键词 绝缘体上单晶钽酸锂薄膜(ltoi) POI基板 声表面波 智能剥离技术 晶体离子注入剥离(CIS) 晶圆键合
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