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LiTaO_(3)/SiO_(2)/Poly-Si/Si衬底SAW谐振器高阶模态抑制
1
作者
周增毅
帅垚
+3 位作者
吴传贵
彭斌
潘忻强
张万里
《压电与声光》
北大核心
2026年第1期6-11,共6页
通过优化Si的晶体取向,将Si相对于LiTaO_(3)单晶薄膜进行面内旋转,可抑制LiTaO_(3)/SiO_(2)/poly-Si/Si(LTOI)衬底SAW谐振器中高阶模态。通过(110)Si、(100)Si、(111)Si体波声速曲线与主模声速Vmain、高阶模态声速V_(p-h)的对比分析,可...
通过优化Si的晶体取向,将Si相对于LiTaO_(3)单晶薄膜进行面内旋转,可抑制LiTaO_(3)/SiO_(2)/poly-Si/Si(LTOI)衬底SAW谐振器中高阶模态。通过(110)Si、(100)Si、(111)Si体波声速曲线与主模声速Vmain、高阶模态声速V_(p-h)的对比分析,可知当(110)Si面内旋转角度a110=90°/160°/270°/340°时,Si衬底水平剪切体声波声速V_(SH)和垂直剪切体声波声速V_(SV)同时达到较小的值,高阶模态杂波声速V_(p-h)>V_(SH),V_(p-h)>V_(SV),高阶模态杂波的能量辐射到Si衬底中发生泄露,从而达到抑制高阶模态的目的。仿真和流片实验表明,对于使用逆时针旋转270°的(110)Si的LTOI衬底SAW谐振器,其仿真、流片实验的阻抗曲线均未观察到高阶模态杂散响应。
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关键词
高阶模态抑制
声表面波谐振器
声表面波(SAW)
ltoi
Si的晶体取向
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职称材料
钽酸锂压电单晶复合薄膜制备及性能研究
2
作者
龙勇
丁雨憧
+5 位作者
肖梦涵
陈哲明
石自彬
刘善群
邹少红
唐景黎
《压电与声光》
北大核心
2025年第6期1066-1070,共5页
随着物联网的快速增长,对射频前端的声表面波滤波器提出了更高、更全面的性能要求。钽酸锂压电单晶复合薄膜晶圆将不同材料的优势集成在一起,大幅提高了声表面波滤波器的工作频率和带宽,降低了功耗等性能。采用Smart-Cut技术制备了外观...
随着物联网的快速增长,对射频前端的声表面波滤波器提出了更高、更全面的性能要求。钽酸锂压电单晶复合薄膜晶圆将不同材料的优势集成在一起,大幅提高了声表面波滤波器的工作频率和带宽,降低了功耗等性能。采用Smart-Cut技术制备了外观完整光滑、无宏观缺陷的6英寸LTOI晶圆。经FIB-TEM、X线衍射分析,薄膜厚度、弯曲度、表面粗糙度测试表明,晶圆内部各层界面结合质量良好,摇摆曲线半高宽为41″,单晶性能较好,LT压电薄膜厚度为745.07 nm、厚度不均匀性为±1.7%,弯曲度为13.98μm,表面粗糙度为0.227 nm,满足声表面波滤波器器件使用要求。
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关键词
ltoi
晶圆
离子注入
等离子活化键合
晶格修复
声表面波滤波器
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职称材料
硅基钽酸锂压电单晶复合薄膜材料及应用
被引量:
6
3
作者
丁雨憧
何杰
+3 位作者
陈哲明
龙勇
毛世平
马晋毅
《压电与声光》
CAS
北大核心
2023年第1期66-71,81,共7页
绝缘体上压电基板(POI)是一种新兴的压电单晶复合薄膜结构材料。POI基板由压电单晶材料薄层(单晶钽酸锂/铌酸锂)、二氧化硅层及高阻硅衬底构成,采用Smart-Cut工艺制备,可保证板层高均匀度及高质量的批量生产。通过这种基板可设计满足5G...
绝缘体上压电基板(POI)是一种新兴的压电单晶复合薄膜结构材料。POI基板由压电单晶材料薄层(单晶钽酸锂/铌酸锂)、二氧化硅层及高阻硅衬底构成,采用Smart-Cut工艺制备,可保证板层高均匀度及高质量的批量生产。通过这种基板可设计满足5G通信要求的高性能集成声表面波(SAW)谐振器和滤波器。基于POI材料制备的SAW器件具有高频、高品质因数(Q)值、低温度敏感性及较大带宽等优良特性,同时还能在同一芯片上集成多个SAW滤波器,具有广阔的市场应用前景。该文介绍了POI基板的制备、国内外的研究现状及POI基板在高性能SAW滤波器中的应用,综述了制备POI基板的关键技术并展望了未来的发展趋势。
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关键词
绝缘体上单晶钽酸锂薄膜(
ltoi
)
POI基板
声表面波
智能剥离技术
晶体离子注入剥离(CIS)
晶圆键合
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职称材料
题名
LiTaO_(3)/SiO_(2)/Poly-Si/Si衬底SAW谐振器高阶模态抑制
1
作者
周增毅
帅垚
吴传贵
彭斌
潘忻强
张万里
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《压电与声光》
北大核心
2026年第1期6-11,共6页
文摘
通过优化Si的晶体取向,将Si相对于LiTaO_(3)单晶薄膜进行面内旋转,可抑制LiTaO_(3)/SiO_(2)/poly-Si/Si(LTOI)衬底SAW谐振器中高阶模态。通过(110)Si、(100)Si、(111)Si体波声速曲线与主模声速Vmain、高阶模态声速V_(p-h)的对比分析,可知当(110)Si面内旋转角度a110=90°/160°/270°/340°时,Si衬底水平剪切体声波声速V_(SH)和垂直剪切体声波声速V_(SV)同时达到较小的值,高阶模态杂波声速V_(p-h)>V_(SH),V_(p-h)>V_(SV),高阶模态杂波的能量辐射到Si衬底中发生泄露,从而达到抑制高阶模态的目的。仿真和流片实验表明,对于使用逆时针旋转270°的(110)Si的LTOI衬底SAW谐振器,其仿真、流片实验的阻抗曲线均未观察到高阶模态杂散响应。
关键词
高阶模态抑制
声表面波谐振器
声表面波(SAW)
ltoi
Si的晶体取向
Keywords
higher-order mode suppression
surface acoustic wave resonator
SAW
ltoi
Si crystal orientation
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
TN65 [电子电信—电路与系统]
TN751.2 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
钽酸锂压电单晶复合薄膜制备及性能研究
2
作者
龙勇
丁雨憧
肖梦涵
陈哲明
石自彬
刘善群
邹少红
唐景黎
机构
中国电子科技集团公司第二十六研究所
出处
《压电与声光》
北大核心
2025年第6期1066-1070,共5页
文摘
随着物联网的快速增长,对射频前端的声表面波滤波器提出了更高、更全面的性能要求。钽酸锂压电单晶复合薄膜晶圆将不同材料的优势集成在一起,大幅提高了声表面波滤波器的工作频率和带宽,降低了功耗等性能。采用Smart-Cut技术制备了外观完整光滑、无宏观缺陷的6英寸LTOI晶圆。经FIB-TEM、X线衍射分析,薄膜厚度、弯曲度、表面粗糙度测试表明,晶圆内部各层界面结合质量良好,摇摆曲线半高宽为41″,单晶性能较好,LT压电薄膜厚度为745.07 nm、厚度不均匀性为±1.7%,弯曲度为13.98μm,表面粗糙度为0.227 nm,满足声表面波滤波器器件使用要求。
关键词
ltoi
晶圆
离子注入
等离子活化键合
晶格修复
声表面波滤波器
Keywords
ltoi
wafer
ion implantation
plasma activated bonding
crystal lattice repair
surface acoustic wave filter
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
TN713 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
硅基钽酸锂压电单晶复合薄膜材料及应用
被引量:
6
3
作者
丁雨憧
何杰
陈哲明
龙勇
毛世平
马晋毅
机构
中国电子科技集团公司第二十六研究所
出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2023年第1期66-71,81,共7页
文摘
绝缘体上压电基板(POI)是一种新兴的压电单晶复合薄膜结构材料。POI基板由压电单晶材料薄层(单晶钽酸锂/铌酸锂)、二氧化硅层及高阻硅衬底构成,采用Smart-Cut工艺制备,可保证板层高均匀度及高质量的批量生产。通过这种基板可设计满足5G通信要求的高性能集成声表面波(SAW)谐振器和滤波器。基于POI材料制备的SAW器件具有高频、高品质因数(Q)值、低温度敏感性及较大带宽等优良特性,同时还能在同一芯片上集成多个SAW滤波器,具有广阔的市场应用前景。该文介绍了POI基板的制备、国内外的研究现状及POI基板在高性能SAW滤波器中的应用,综述了制备POI基板的关键技术并展望了未来的发展趋势。
关键词
绝缘体上单晶钽酸锂薄膜(
ltoi
)
POI基板
声表面波
智能剥离技术
晶体离子注入剥离(CIS)
晶圆键合
Keywords
LiTaO 3-on-insulator(
ltoi
)
piezo-on-insulator(POI)substrate
surface acoustic wave(SAW)
Smart-Cut process
crystal ion slicing(CIS)
wafer bonding
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
LiTaO_(3)/SiO_(2)/Poly-Si/Si衬底SAW谐振器高阶模态抑制
周增毅
帅垚
吴传贵
彭斌
潘忻强
张万里
《压电与声光》
北大核心
2026
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
钽酸锂压电单晶复合薄膜制备及性能研究
龙勇
丁雨憧
肖梦涵
陈哲明
石自彬
刘善群
邹少红
唐景黎
《压电与声光》
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
硅基钽酸锂压电单晶复合薄膜材料及应用
丁雨憧
何杰
陈哲明
龙勇
毛世平
马晋毅
《压电与声光》
CAS
北大核心
2023
6
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职称材料
已选择
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