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题名LTO3制式磁头的优化设计
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作者
邓俊彦
邓沛然
邓芬燕
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机构
东莞理工学院城市学院实验中心
上海工程技术大学材料工程学院
长沙大学实验中心
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出处
《磁性材料及器件》
CSCD
北大核心
2011年第2期46-49,共4页
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文摘
LTO制式的磁带机用于服务器上的数据储存,LTO3是第三代LTO产品,磁头为各向异性磁电阻磁头(AMR)。本文应用田口方法对磁头的关键参数进行优化设计,如磁电阻材料NiFe、偏转磁场材料CoZrMo的厚度和屏蔽层的参数,对各因素的影响作了定量分析,确定了影响磁头性能的关键因素,从而获得了最佳的设计参数,使磁头有较好的性能和稳定性。
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关键词
lto3制式磁头
各向异性磁电阻磁头
田口方法
优化设计
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Keywords
lto3 head
anisotropic magnetoresistive heads
Tanguchi methods
optimized design
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分类号
TN646
[电子电信—电路与系统]
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题名LTO3制式磁头的研制
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作者
邓俊彦
邓沛然
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机构
东莞理工学院城市学院实验中心
上海工程技术大学材料工程学院
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出处
《信息记录材料》
2010年第5期58-62,共5页
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文摘
LTO制式的磁带机用于服务器上的数据储存,自推向市场以来,不断地推出新产品,并成为这个市场的主流产品。LTO3是第3代LTO产品,磁头为各向异性磁致电阻磁头(AMR),本文通过对磁头的关键参数进行优化设计,如磁致电阻材料NiFe、偏转磁场材料CoZrMo和屏蔽层的参数,获得了良好的性能,写信号的磁道磁场均匀,写电流、Overwrite、信号波形不对称度、输出电压和磁头的原始读错误率(Raw Read Er-ror Rate)等关键测试参数均能满足要求,产品已批量生产。
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关键词
lto3制式
各向异性磁致电阻磁头
原始读错误率
NIFE
CoZrMo
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Keywords
lto3 format
AMR heads
raw read error rate
NiFe
CoZrMo
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分类号
TQ587.5
[化学工程—精细化工]
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