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LSMCD技术制备镧钛酸铅薄膜
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作者 王玉东 张之圣 刘志刚 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期313-314,共2页
详细介绍了采用 L SMCD技术制备了 PL T薄膜制备流程 ,并对薄膜的相结构做了分析。制备 PL T薄膜的最佳热处理工艺为预处理 3 0 0℃ ,保温 10分钟 ,然后退火至 60 0℃ ,保温
关键词 lsmcd 镧钛酸铅 薄膜
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LSMCD法制备纳米(Pb,La)TiO_3薄膜 被引量:3
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作者 李海燕 张之圣 胡明 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2003年第6期88-91,共4页
研究了利用液态源雾化化学沉积 (LSMCD)法制备纳米 (Pb ,La)TiO3 薄膜的工艺。XRD和SEM分析表明 :沉积 4次 ,采用RCA热处理 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si基板上成功制备出具有钙钛矿结构的、晶粒粒径约 6 0nm、厚度约 180nm的纳米颗粒PLT薄膜。该... 研究了利用液态源雾化化学沉积 (LSMCD)法制备纳米 (Pb ,La)TiO3 薄膜的工艺。XRD和SEM分析表明 :沉积 4次 ,采用RCA热处理 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si基板上成功制备出具有钙钛矿结构的、晶粒粒径约 6 0nm、厚度约 180nm的纳米颗粒PLT薄膜。该方法既可以较精确的控制薄膜的化学计量比及掺杂浓度 ,又可采用控制超声雾化沉积的时间和次数来有效的控制膜厚及晶粒的大小。该工艺的沉积速率约为 3nm/min。 展开更多
关键词 液态源雾化化学沉积 纳米镧钛酸铅薄膜 X射线衍射 扫描电镜 化学计量比 掺杂浓度
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LSMCD技术制备PLT铁电薄膜的退火工艺研究
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作者 于晓 张之圣 刘志刚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第5期404-407,共4页
液态源雾化化学沉积 (L SMCD)技术自 1992年问世以来就引起了各国科学家的广泛关注。目前 ,已成功制备出了多种铁电薄膜。该文系统的分析了采用 L SMCD技术制备 PL T铁电薄膜在退火温度和退火方式的选择对其相结构的影响 ,在保证 Pb O... 液态源雾化化学沉积 (L SMCD)技术自 1992年问世以来就引起了各国科学家的广泛关注。目前 ,已成功制备出了多种铁电薄膜。该文系统的分析了采用 L SMCD技术制备 PL T铁电薄膜在退火温度和退火方式的选择对其相结构的影响 ,在保证 Pb O不挥发的情况下 ,退火温度越高 ,薄膜的结晶越好 ;采用混合热处理 (RCA)制备的薄膜晶粒尺寸较大 ,形成了连续致密的薄膜 ,而快速热处理 (RTA)虽可以消除焦绿石相 。 展开更多
关键词 铁电薄膜 lsmcd 锆钛酸铅 热处理
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LSMCD法制备梯度BST铁电薄膜的工艺研究 被引量:1
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作者 白天 张之圣 +1 位作者 王秀宇 毕振兴 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第6期743-745,共3页
研究了利用液态源雾化化学沉积(LSMCD)法制备梯度钛酸锶钡(BST)薄膜的工艺。该方法既可以较精确的控制薄膜的化学计量比及掺杂浓度,又可采用控制超声雾化沉积的时间和次数来有效的控制膜厚及晶粒的大小。X-射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM... 研究了利用液态源雾化化学沉积(LSMCD)法制备梯度钛酸锶钡(BST)薄膜的工艺。该方法既可以较精确的控制薄膜的化学计量比及掺杂浓度,又可采用控制超声雾化沉积的时间和次数来有效的控制膜厚及晶粒的大小。X-射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析表明:沉积8次,采用常规退火方式,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上能成功制备出具有钙钛矿结构的、晶粒粒径约80 nm、厚约850 nm的梯度BST薄膜。该BST梯度薄膜在常温下介电常数达526,介电损耗约为0.06,矫顽场强约为100 kV/cm,剩余极化强度约为10μC/cm2,饱和极化强度约为20μC/cm2,在各个领域都具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 液态源雾化沉积 钛酸锶钡 梯度薄膜 钙钛矿相
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铁电薄膜的制备方法 被引量:1
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作者 张之圣 李海燕 胡明 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期315-317,共3页
介绍了制备铁电薄膜的几种不同种类的方法。 L SMCD技术是一种新型的制备铁电薄膜的技术。采用超声雾化产生微米级或亚微米级尺寸的气雾 ,再用载气将气雾引入沉积室内 ,沉积在基片上。重复此过程直至膜厚达到所需厚度。
关键词 铁电薄膜 金属有机化合物 液态源雾化化学沉积
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Preparation of Nano-Particles (Pb,La)TiO_3 Thin Films by Liquid Source Misted Chemical Deposition
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作者 张之圣 曾建平 李小图 《Transactions of Tianjin University》 EI CAS 2004年第1期59-62,共4页
Nano particles lanthanum modified lead titanate (PLT) thin films are grown on Pt/Ti/SiO 2/Si substrate by liquid source misted chemical deposition (LSMCD). PLT films are deposited for 4-8 times, and then annealed at v... Nano particles lanthanum modified lead titanate (PLT) thin films are grown on Pt/Ti/SiO 2/Si substrate by liquid source misted chemical deposition (LSMCD). PLT films are deposited for 4-8 times, and then annealed at various temperature. XRD and SEM show that the prepared films have good crystallization behavior and perovskite structure. The crystallite is about 60 nm. The deposition speed is 3 nm/min. This deposition method can exactly control stoichiometry ratios, doping concentration ratio and thickness of PLT thin films. The best annealing process is to bake at 300 ℃ for 10 min and anneal at 600 ℃ for 1 h. 展开更多
关键词 liquid source misted chemical deposition (lsmcd) nano particle (Pb La)TiO 3 thin films XRD SEM
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