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GDC 3D微通道LSC214/LSC113异质结构中温SOEC材料制备研究
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作者 娄晓明 王津津 +1 位作者 吴智 唐雨晴 《电源技术》 CAS 北大核心 2022年第8期907-910,共4页
利用Gd_(0.1)Ce_(0.9)O_(1.95)(GDC)相对较好的中温离子电导性,通过冷冻干燥法构建GDC 3D微通道,增加三相反应区;在此基础上利用异质结构的增益作用,通过layer-by-layer(LBL)浸渗法在3D微通道内包覆LaSrCoO_(4)/La_(x)Sr_(1-x)CoO_(3-d)... 利用Gd_(0.1)Ce_(0.9)O_(1.95)(GDC)相对较好的中温离子电导性,通过冷冻干燥法构建GDC 3D微通道,增加三相反应区;在此基础上利用异质结构的增益作用,通过layer-by-layer(LBL)浸渗法在3D微通道内包覆LaSrCoO_(4)/La_(x)Sr_(1-x)CoO_(3-d)(LSC214/LSC113)异质结构,合成基于GDC的LSC214/LSC1133D微通道中温固体氧化物电解池(solid oxide electrolysis cell,SOEC)氧电极。在此基础上讨论了冷冻干燥的制备温度、以及LBL浸渗法对材料电化学性能的影响,从而明确-70℃冷冻干燥温度为最佳冷冻干燥温度。 展开更多
关键词 3D微通道 冷冻干燥法 lsc214/lsc113 异质结构 中温SOEC
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