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利用LR 115 2B研究7.4GeV质子束轰击铅靶的散裂中子源外表面中子分布 被引量：3
1
作者 万俊生 张颖 +4 位作者 张利兴 Hashemi-Nezhad S R Brandt R 夏海鸿 丁大钊 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第7期493-496,共4页
利用LR 115 2B探测器研究了8cm× 2 0cm的铅靶在 7.4GeV质子的轰击下 ,散裂中子在实验装置外表面的分布 ,对实验结果进行了模拟解析 ,同时利用中子活化法验证了LR 115 2B探测结果及理论模拟结果利用LR 115 2B探测器研究了8cm... 利用LR 115 2B探测器研究了8cm× 2 0cm的铅靶在 7.4GeV质子的轰击下 ,散裂中子在实验装置外表面的分布 ,对实验结果进行了模拟解析 ,同时利用中子活化法验证了LR 115 2B探测结果及理论模拟结果利用LR 115 2B探测器研究了8cm× 2 0cm的铅靶在 7.4GeV质子的轰击下 ,散裂中子在实验装置外表面的分布 ,对实验结果进行了模拟解析 ,同时利用中子活化法验证了LR 115 展开更多
关键词 固体径迹探测器 lr1152b 散裂中子源
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