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MgO能带结构的LMTO-ASA计算 被引量：1
1
作者 吴孙桃 王仁智 郑永梅 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1992年第5期487-491,共5页
来用LMTO-ASA能带从头计算方法计算MgO晶体的能带结构,根据添加空球与否和对d态处理方法的不同,分成四种不同的计算方案,结果表明,其中添加空球并利用Lowdin微扰法计入空d态的计算方案所得的结果与从头计算的赝势法的计算结果相当符合,... 来用LMTO-ASA能带从头计算方法计算MgO晶体的能带结构,根据添加空球与否和对d态处理方法的不同,分成四种不同的计算方案,结果表明,其中添加空球并利用Lowdin微扰法计入空d态的计算方案所得的结果与从头计算的赝势法的计算结果相当符合,该方案仅用16×16阶久期方程,计算量小,准确性高,可以给出MgO的合理的能带结构。 展开更多
关键词 MgO晶体 能带结构 计算 lmto-asa
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CaS、SrS的LMTO-ASA能带计算中d态的作用
2
作者 李开航 王仁智 黄美纯 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期167-171,共5页
CaS和SrS晶体的能带结构,LAPW和Hartree-Fock方法的计算结果差别很大,前者为间接带隙而后者为直接带隙,本文在LMTO-ASA计算方法中,采用两种不同处理d态的计算方案,分别得到与LAPW和Hartree-Fock两种计算方法对应的能带结构,研究了空d态... CaS和SrS晶体的能带结构,LAPW和Hartree-Fock方法的计算结果差别很大,前者为间接带隙而后者为直接带隙,本文在LMTO-ASA计算方法中,采用两种不同处理d态的计算方案,分别得到与LAPW和Hartree-Fock两种计算方法对应的能带结构,研究了空d态处理方法对Cas和SrS能带结构计算结果的影响。 展开更多
关键词 碱土硫化物 能带结构 lmto-asa法
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铜价态对Zns掺铜电子结构的影响 被引量：1
3
作者 张志鹏 沈耀文 黄美纯 《量子电子学报》 CAS CSCD 1998年第6期549-552,共4页
本文使用LMTO－ASA方法计算ZnS掺入激活剂铜所形成的铜发光中心的电子结构，分析了两种不同铜价态的影响．结果表明：尽管两种情形下禁带中铜3d能级均靠近价带顶，但掺杂二价铜时发光中心的能级结构符合Schon－Klasens模型，而掺杂一价... 本文使用LMTO－ASA方法计算ZnS掺入激活剂铜所形成的铜发光中心的电子结构，分析了两种不同铜价态的影响．结果表明：尽管两种情形下禁带中铜3d能级均靠近价带顶，但掺杂二价铜时发光中心的能级结构符合Schon－Klasens模型，而掺杂一价钢的结果支持Williams－Prener模型． 展开更多
关键词 发光中心 电子结构 掺铜 硫化锌 lmto-asa
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Crystal Radii and Their Application on the Study of Electronic Structures of LaX(X=N,P,As,Sb)
4
作者 孟庆波 武志坚 张思远 《分子科学学报》 CAS CSCD 1998年第1期3-8,共6页
以Ｐｈｉｌｉｐｓ－ＶａｎＶｅｃｈｔｅｎ理论和晶体光学性质为基础，计算了ＬａＸ（Ｘ＝Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ）晶体的离子半径（单位：ｎｍ）：（Ｌａ：Ｎ）为（０．１４１４，０．１２３６），（Ｌａ：Ｐ）为（０．１５１８，０．１４... 以Ｐｈｉｌｉｐｓ－ＶａｎＶｅｃｈｔｅｎ理论和晶体光学性质为基础，计算了ＬａＸ（Ｘ＝Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ）晶体的离子半径（单位：ｎｍ）：（Ｌａ：Ｎ）为（０．１４１４，０．１２３６），（Ｌａ：Ｐ）为（０．１５１８，０．１４８９），（Ｌａ：Ａｓ）为（０．１５３６，０．１５２６），（Ｌａ：Ｓｂ）为（０．１５８６，０．１６５１）．用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法对ＬａＸ系列晶体的能带结构进行了计算．所得到的能隙是：ＬａＮ为２．３０ｅＶ，ＬａＰ为２．０５ｅＶ，ＬａＡｓ为１．６６ｅＶ，ＬａＳｂ为１．３４ｅＶ．与实验结果相符．这也证明了作者得到的半径的合理性． 展开更多
关键词 LaX(X=N`P`As`Sb) 晶体半径 lmto-asa 能隙
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MoSi_2能隙的高压调制 被引量：1
5
作者 张海峰 李永平 黄新堂 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期200-204,共5页
采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，对过渡金属ＭｏＳｉ＿２在高压下的电子结构性质进行了研究，计算中考虑了除自旋－轨道耦合外的所有相对论效应。结果表明：随着压缩度增加，ＭｏＳｉ＿２小的能隙变宽，Ｍｏ的ｄ电子与Ｓｉ的ｐ电子杂化增强... 采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，对过渡金属ＭｏＳｉ＿２在高压下的电子结构性质进行了研究，计算中考虑了除自旋－轨道耦合外的所有相对论效应。结果表明：随着压缩度增加，ＭｏＳｉ＿２小的能隙变宽，Ｍｏ的ｄ电子与Ｓｉ的ｐ电子杂化增强，原子间相互作用增大，晶体在高压下更加紧密结合。这一能隙随压力增大而增大的结果，与非导体在高压下金属化的特性相反。 展开更多
关键词 电子结构 高压 硅化钼 能隙
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从第一原理反演计算同类原子间的对势
6
作者 谢谦 黄美纯 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期43-47,共5页
在晶向族表象中，以三晶向族的Ｍｂｉｕｓ反演公式为零级近似，其余晶向族的贡献为微扰给出了陈－任微扰公式。内聚能函数对晶格间距的关系由第一原理的ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法计算得到。原子间对势以改进的陈－任公式计算。文中在没有考... 在晶向族表象中，以三晶向族的Ｍｂｉｕｓ反演公式为零级近似，其余晶向族的贡献为微扰给出了陈－任微扰公式。内聚能函数对晶格间距的关系由第一原理的ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法计算得到。原子间对势以改进的陈－任公式计算。文中在没有考虑体积效应的情况下给出金和铜的同类原子对势的计算结果。 展开更多
关键词 晶体 原子 对势 灭比乌斯函数 反演 lmto-asa法
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