期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到556篇文章
< 1 2 … 28 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法 被引量：5
1
作者 张海鹏 汪沁 +5 位作者 孙玲玲 高明煜 李文钧 吕幼华 刘国华 汪洁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期279-282,共4页
为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件... 为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,并给出了结构实现的工艺控制要求. 展开更多
关键词 ESD SOI ligbt/ldmos 器件结构 工艺 PIC
在线阅读 下载PDF
混合型LIGBT／LDMOS晶体管瞬态响应的电荷控制模型 被引量：3
2
作者 李肇基 张旻 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期39-46,共8页
本文提出一种新型横向绝缘栅双极晶体管／横向扩散ＭＯＳ混合晶体管（ＬＩＧＢＴ／ＬＤＭＯＳ），在有非平衡电子抽出下截止瞬态响应的电荷控制模型，由考虑非准静态效应的积分式连续性方程，导出双载流子动态电荷控制表示式；计及其中... 本文提出一种新型横向绝缘栅双极晶体管／横向扩散ＭＯＳ混合晶体管（ＬＩＧＢＴ／ＬＤＭＯＳ），在有非平衡电子抽出下截止瞬态响应的电荷控制模型，由考虑非准静态效应的积分式连续性方程，导出双载流子动态电荷控制表示式；计及其中双极晶体管宽漂移区的电导调制效应和瞬态电荷分布效应，利用保角变换求得抽出区导通电阻，从而获得归一化瞬态截止电流和瞬态截止时间及它们与漂移区长度和材料参数，特别是与两器件宽度比的关系，据此，可制作高速开关器件． 展开更多
关键词 绝缘栅 双极晶体管 瞬态响应 ldmos
在线阅读 下载PDF
基于共享Buffer的LIGBT和PLDMOS器件研究 被引量：1
3
作者 张恩阳 黄勇 +1 位作者 孟令锋 代高强 《电子与封装》 2018年第2期46-48,共3页
介绍了基于共享Buffer技术的SOI(绝缘体上硅)LIGBT和PLDMOS,相对于传统工艺可以节约2层光刻板和2步工艺流程。主要通过研究在器件漏区的缓冲层特性,对器件特性影响明显。通过实验和仿真结果对比,共享Buffer技术的器件通过工艺和版图优... 介绍了基于共享Buffer技术的SOI(绝缘体上硅)LIGBT和PLDMOS,相对于传统工艺可以节约2层光刻板和2步工艺流程。主要通过研究在器件漏区的缓冲层特性,对器件特性影响明显。通过实验和仿真结果对比,共享Buffer技术的器件通过工艺和版图优化后能达到原有器件的表现性能。 展开更多
关键词 绝缘体上硅 ligbt Pldmos 共享Buffer
在线阅读 下载PDF
横向高压器件LDMOS与LIGBT的特性分析 被引量：2
4
作者 张国海 高勇 周宝霞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期27-30,45,共5页
给出了横向高压器件ＬＤＭＯＳ、ＬＩＧＢＴ以及具有阳极短路结构的ＬＩＧＢＴ的输出特性、开关特性及耐压特性等模拟曲线，并对这三种器件的结构和性能进行了较系统的分析与对比。
关键词 ldmos ligbt 阳极短路结构 功率集成电路
在线阅读 下载PDF
具有n^(+)埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽LDMOS器件 被引量：1
5
作者 康怡 刘东 +2 位作者 卢山 鲁啸龙 胡夏融 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期134-140,共7页
Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n... Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n+埋层能够有效降低界面势垒宽度,增强电子隧穿效应,降低界面电阻,进一步降低比导通电阻。位于厚氧化层角落并与漏极相连的L型场板通过在SiC漂移区和厚氧化层之间产生高电场,重塑器件横向和纵向电场强度分布,将击穿点从表面转移至体内,提高击穿电压。仿真结果表明,与传统SiC LDMOS器件相比,该器件的品质因数从109.29 MW/cm^(2)提升至159.92 MW/cm^(2),提高了46.36%,进一步改善了LDMOS器件导通电阻和击穿电压之间的折中关系,器件性能得到优化。 展开更多
关键词 横向双扩散金属氧化物半导体(ldmos) Si/4H-SiC异质结 n^(+)埋层 L型场板 功率品质因数
原文传递
具有N/P埋层结构的SiC RESURF LDMOS器件特性研究
6
作者 王冰琪 汪再兴 +2 位作者 蔡艺 刘泊麟 李慧娟 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第11期1323-1330,共8页
为实现碳化硅横向双扩散金属氧化物半导体(SiC LDMOS)器件的击穿电压与导通特性的协同优化,提出一种基于PN结辅助耗尽机制的N/P复合埋层降低表面电场(RESURF)结构。通过Silvaco TCAD仿真平台建立器件模型,系统探究漂移区掺杂浓度、埋层... 为实现碳化硅横向双扩散金属氧化物半导体(SiC LDMOS)器件的击穿电压与导通特性的协同优化,提出一种基于PN结辅助耗尽机制的N/P复合埋层降低表面电场(RESURF)结构。通过Silvaco TCAD仿真平台建立器件模型,系统探究漂移区掺杂浓度、埋层宽度及埋层掺杂浓度对电场分布与器件特性的影响。研究结果表明:N埋层通过构建表面低阻通路,将比导通电阻降至1.48Ω·cm^(2),降幅达14.45%,其最优掺杂浓度为4×10^(15)cm^(-3);而P埋层与漂移区形成的纵向PN结使击穿电压提升至3538 V,较传统结构提高19.39%,最优掺杂浓度为3×10^(15) cm^(-3)。当漂移区掺杂浓度为2.5×10^(15)cm^(-3)、埋层宽度为6μm时,器件的品质因数达到8.46 MW·cm^(-2),性能提升62.69%,实现了击穿电压与比导通电阻的良好折中。 展开更多
关键词 SiC ldmos 击穿电压 降低表面电场 横向电场分布 转移特性
在线阅读 下载PDF
基于BCD工艺的LDMOS器件栅结构优化研究进展
7
作者 鲁文举 赵杰 +2 位作者 曹磊 田凯 刘存生 《微电子学与计算机》 2025年第5期139-147,共9页
LDMOS(Lateral Double-diffused complementary Metal Oxide Semiconductor)器件具有开关速度快、驱动能力强、输入阻抗高、热稳定性好等特点,主要应用于智能功率集成电路,是BCD工艺中的主流功率器件。目前关于LDMOS器件研究的热点主要... LDMOS(Lateral Double-diffused complementary Metal Oxide Semiconductor)器件具有开关速度快、驱动能力强、输入阻抗高、热稳定性好等特点,主要应用于智能功率集成电路,是BCD工艺中的主流功率器件。目前关于LDMOS器件研究的热点主要集中在对其结构的优化,重点是如何平衡击穿电压和比导通电阻这一对矛盾优化参数。为了平衡这两种参数以获得更高性能的LDMOS器件,提出了各种性能优化方法。在LDMOS器件中引入多栅结构作为一种有效的性能提升方法有着其得天独厚的优势,但相关研究较少。以近年来报道的LDMOS器件各种新结构中的多栅结构优化为主,分析了多栅结构对于LDMOS器件的性能的影响,详细讨论了双栅、平面栅、槽栅、漂移区栅和三栅在改善LDMOS器件性能中所起的作用和效果,最后总结了这些新结构与传统结构的优缺点。 展开更多
关键词 ldmos BCD工艺 多栅结构 比导通电阻 击穿电压
在线阅读 下载PDF
用于智能功率集成电路中的LDMOS/LIGBT混合结构
8
作者 朱小安 李学宁 +2 位作者 方健 杨健 李肇基 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期122-124,共3页
本文提出了一种新型的LDMOS/LIGBT混合结构 .它兼具LIGBT的驱动能力强和LDMOS的速度快的特点 ,并且衬底电流小 ,能很好的抗闭锁 .利用此结构可在很宽的电压范围内得到一稳定的输出信号 .数值模拟和实验表明此结构对实现智能功率集成电... 本文提出了一种新型的LDMOS/LIGBT混合结构 .它兼具LIGBT的驱动能力强和LDMOS的速度快的特点 ,并且衬底电流小 ,能很好的抗闭锁 .利用此结构可在很宽的电压范围内得到一稳定的输出信号 .数值模拟和实验表明此结构对实现智能功率集成电路中的高。 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管 ldmos/ligbt 功率集成电路
在线阅读 下载PDF
补偿型双阱变掺杂SOI LDMOS器件
9
作者 李旭泓 孙与飏 +1 位作者 刘腾 张加宏 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期995-1000,共6页
传统对绝缘体上硅(SOI)横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的优化主要集中在关态下电离电荷场优化。而实际工作过程中,开态下的载流子会破坏漂移区的电荷平衡,从而直接影响器件的安全工作区(SOA)和可靠性。提出了载流子的动态电荷... 传统对绝缘体上硅(SOI)横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的优化主要集中在关态下电离电荷场优化。而实际工作过程中,开态下的载流子会破坏漂移区的电荷平衡,从而直接影响器件的安全工作区(SOA)和可靠性。提出了载流子的动态电荷场调制机理,分析其对器件表面电场的调制作用。基于该机理,设计了一种补偿型双阱变掺杂SOI LDMOS器件结构。通过在传统器件中引入双阱变掺杂技术,优化了器件表面电场,并显著扩展了SOA。进一步采用兼容工艺制备了高压CMOS器件。实验结果显示,n型LDMOS器件关态击穿电压(V_(B))>300 V,栅压15 V下的开态V_(B)>200 V;p型LDMOS器件关态V_(B)>200 V,栅压-15 V下的开态V_(B)>300 V。该器件在关态和开态下的V_(B)均可满足200 V应用需求,适用于宽SOA。 展开更多
关键词 绝缘体上硅(SOI) 横向双扩散金属氧化物半导体(ldmos) 电荷场调制 宽安全工作区(SOA) 载流子电荷
原文传递
200 V高压SOI LDMOS器件设计与优化
10
作者 曲韩宾 赵永瑞 +4 位作者 师翔 唐晓龙 温恒娟 陈辰 周锌 《微处理机》 2025年第3期39-44,共6页
高压SOI LDMOS器件得益于其高度的集成性和低功耗等优势,现已广泛应用于包括消费类电子产品和工业控制系统在内的诸多领域。本文对高压集成驱动电路中的关键器件厚栅氧SOI PLDMOS器件与薄栅氧SOI NLDMOS器件进行了设计与优化。利用TCAD... 高压SOI LDMOS器件得益于其高度的集成性和低功耗等优势,现已广泛应用于包括消费类电子产品和工业控制系统在内的诸多领域。本文对高压集成驱动电路中的关键器件厚栅氧SOI PLDMOS器件与薄栅氧SOI NLDMOS器件进行了设计与优化。利用TCAD仿真软件Medici进行仿真,优化了漂移区和阱区掺杂剂量和漂移区长度,从而提高器件的击穿电压,降低比导通电阻,并获得合适的阈值电压和开态击穿电压值。经优化后厚栅氧SOI PLDMOS器件的击穿电压达到-235.7 V,比导通电阻达到19.6 mΩ·cm^(2),阈值电压为-36.7 V,开态击穿电压为-250 V;薄栅氧SOI NLDMOS器件的击穿电压达到276.7 V,比导通电阻达到11.5 mΩ·cm^(2),阈值电压为1.9 V,开态击穿电压为119 V。 展开更多
关键词 SOI ldmos 击穿电压 比导通电阻 阈值电压 开态击穿电压
在线阅读 下载PDF
双P型浮空埋层结构LDMOS击穿特性研究
11
作者 李尧 张鹏杰 +1 位作者 牛瑞霞 张栩莹 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第6期649-654,661,共7页
为得到一种高品质因数(高击穿电压、低比导通电阻)的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,LDMOSFET),本文基于场限环耐压原理,在传统平面栅LDMOS(CON-L... 为得到一种高品质因数(高击穿电压、低比导通电阻)的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,LDMOSFET),本文基于场限环耐压原理,在传统平面栅LDMOS(CON-LDMOS)的结构基础上,提出了一种具有双P型浮空埋层的新型LDMOS(DPLDMOS)。新引入的高掺杂双P型浮空埋层能辅助耗尽漂移区,使耗尽层边界大幅向漏极附近靠近,漂移区耗尽更完全,器件耐压性能更好。仿真结果表明,当双P型浮空埋层的参数一定时,击穿电压随漂移区掺杂浓度的增大而先增大后减小;当漂移区掺杂浓度一定时,击穿电压随双P型浮空埋层的间距、掺杂浓度和厚度的增大而先增大后减小。经仿真优化后,DP-LDMOS击穿电压为1123 V,相较于CON-LDMOS提升了189.7%;比导通电阻为20.99 mΩ·cm^(2),提升了95.3%;品质因数从13.98 MW/cm^(2)提升到60.08 MW/cm^(2),提升了329.8%。 展开更多
关键词 击穿电压 比导通电阻 ldmos 浮空埋层
在线阅读 下载PDF
1200V MR D-RESURF LDMOS与BCD兼容工艺研究 被引量：10
12
作者 乔明 方健 +2 位作者 肖志强 张波 李肇基 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1447-1452,共6页
提出具有p埋层的1200V多区双RESURF(MRD-RESURF)LDMOS,在单RESURF(S-RESURF)结构的n漂移区表面引入多个p掺杂区,并在源区下引入p埋层,二者的附加场调制器件原来的场,以改善其场分布;同时由于电荷补偿,提高了漂移区n型杂质的浓度,降低了... 提出具有p埋层的1200V多区双RESURF(MRD-RESURF)LDMOS,在单RESURF(S-RESURF)结构的n漂移区表面引入多个p掺杂区,并在源区下引入p埋层,二者的附加场调制器件原来的场,以改善其场分布;同时由于电荷补偿,提高了漂移区n型杂质的浓度,降低了导通电阻.开发1200V高压BCD(BJT,CMOS,DMOS)兼容工艺,在标准CMOS工艺的基础上增加pn结对通隔离,用于形成DMOS器件D-RESURF的p-top注入两步工序,实现了BJT,CMOS与高压DMOS器件的单片集成.应用此工艺研制出一种BCD单片集成的功率半桥驱动电路,其中LDMOS,nMOS,pMOS,npn的耐压分别为1210,43·8,-27和76V.结果表明,此兼容工艺适用于高压领域的电路设计中. 展开更多
关键词 多区 ldmos RESURF BCD工艺
在线阅读 下载PDF
有n埋层结构的1200V横向变掺杂双RESURF LDMOS研制 被引量：6
13
作者 方健 张正璠 +3 位作者 雷宇 乔明 李肇基 张波 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期541-546,共6页
提出有n埋层的横向变掺杂双RESURF 新结构高压LDMOS器件.该结构器件与常规 LDMOS相比,采用了相对较薄的外延层,使之与标准 CMOS工艺的兼容性得到了改善.基于二维器件仿真软件 MEDICI分析了 n埋层的浓度、长度和 p-降场层的杂质浓度分布... 提出有n埋层的横向变掺杂双RESURF 新结构高压LDMOS器件.该结构器件与常规 LDMOS相比,采用了相对较薄的外延层,使之与标准 CMOS工艺的兼容性得到了改善.基于二维器件仿真软件 MEDICI分析了 n埋层的浓度、长度和 p-降场层的杂质浓度分布对器件耐压的影响,并进行了器件和工艺的优化设计.在国内工艺生产线成功地研制出1200V高压LDMOS,并已用于1200V功率集成电路中. 展开更多
关键词 高压ldmos RESURF原理 横向变掺杂 击穿电压
在线阅读 下载PDF
具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性 被引量：4
14
作者 乔明 周贤达 +3 位作者 段明伟 方健 张波 李肇基 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1428-1432,共5页
对600V以上级具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性进行了实验研究,并对器件进行了二维、三维仿真分析.利用多区P-top降场层的结终端扩展作用以及圆形结构曲率效应的影响,增强具有高压互连线的横向高压器件漂移区耗尽,从而降低... 对600V以上级具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性进行了实验研究,并对器件进行了二维、三维仿真分析.利用多区P-top降场层的结终端扩展作用以及圆形结构曲率效应的影响,增强具有高压互连线的横向高压器件漂移区耗尽,从而降低高压互连线对器件耐压的影响.实验与仿真结果表明,器件的击穿电压随着互连线宽度的减小而增加,并与P-top降场层浓度存在强的依赖关系,三维仿真结果与实验结果较吻合,而二维仿真并不能较好反映具有高压互连线的高压器件击穿特性.在不增加掩模版数、采用额外工艺步骤的条件下,具有30μm高压互连线宽度的多区双RESURF LDMOS击穿电压实验值为640V.所设计的高压互连器件结构可用于电平位移、高压结隔离终端,满足高压领域的电路设计需要. 展开更多
关键词 高压互连线 多区 双RESURF ldmos 击穿电压
在线阅读 下载PDF
高可靠性P-LDMOS研究 被引量：6
15
作者 孙智林 孙伟锋 +1 位作者 易扬波 陆生礼 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1690-1694,共5页
分析了沟道高电场分布产生原因及各个参数对高电场的影响 ,提出了两条沟道设计的原则——拉长沟道同时降低沟道浓度 .模拟结果显示 ,两条原则能够有效地降低沟道两端的两个峰值电场 ,从而缓解沟道热载流子效应 ,提高 P- L DMOS的可靠性 .
关键词 ldmos 沟道 峰值电场 热载流子效应
在线阅读 下载PDF
SOI LDMOS晶体管耐压结构的研究 被引量：4
16
作者 吴秀龙 陈军宁 +2 位作者 孟坚 高珊 柯导明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期27-31,共5页
SOI 技术已经成功的应用到功率集成电路中,而击穿电压是功率器件一个重要的参数。本文对SOI　LDMOS 的击穿电压进行了分析,介绍了目前国内外几种典型的提高击穿电压的结构,较为详细的分析了RESURF 原理的应用。
关键词 击穿电压 SOI ldmos 功率器件
在线阅读 下载PDF
具有降场电极U形漂移区SOI-LDMOS的耐压特性 被引量：15
17
作者 罗卢杨 方健 +1 位作者 罗萍 李肇基 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期194-197,共4页
提出了一种具有降场电极 U形漂移区 SOI- L DMOS,借助 2 D泊松方程对其场分布进行解析分析和数值分析 ,结果证明该结构在与 RESURF结构相同的耐压下 ,具有器件长度小 ,漂移区浓度高 ,导通电阻小的特点 .这表明降场电极是一种缓和漂移区... 提出了一种具有降场电极 U形漂移区 SOI- L DMOS,借助 2 D泊松方程对其场分布进行解析分析和数值分析 ,结果证明该结构在与 RESURF结构相同的耐压下 ,具有器件长度小 ,漂移区浓度高 ,导通电阻小的特点 .这表明降场电极是一种缓和漂移区掺杂浓度和耐压之间矛盾的有效方法 .该结构是一种器件耐压与导通电阻优化的新途径 . 展开更多
关键词 降场电极 U形漂移区 耐压特性 SOI ldmos RESURF
在线阅读 下载PDF
LDMOS功率器件在固态雷达发射系统中应用研究与实践 被引量：8
18
作者 刘晗 余振坤 +1 位作者 郑新 商坚钢 《微波学报》 CSCD 北大核心 2010年第S1期409-412,共4页
介绍了LDMOS功率器件的特性,通过与传统Si功率器件相比较,LDMOS器件具有低成本、高增益、高线性度、热稳定性好和高可靠性等特点,在固态雷达发射系统中有广阔的应用前景,本文对LDMOS功率器件在固态雷达发射系统中应用进行理论分析,并利... 介绍了LDMOS功率器件的特性,通过与传统Si功率器件相比较,LDMOS器件具有低成本、高增益、高线性度、热稳定性好和高可靠性等特点,在固态雷达发射系统中有广阔的应用前景,本文对LDMOS功率器件在固态雷达发射系统中应用进行理论分析,并利用LDMOS功率器件设计制作了P波段300W功放组件,对LDMOS功率放大组件进行性能测试,根据试验数据分析应用LDMOS功率器件对固态雷达发射系统的影响。 展开更多
关键词 ldmos BJT 固态雷达发射系统 功率器件
原文传递
超薄层SOI高压LVD LDMOS耐压模型及特性研究 被引量：3
19
作者 王卓 周锌 +3 位作者 陈钢 杨文 庄翔 张波 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期812-816,共5页
针对超薄层高压SOI线性变掺杂(Linear Varied Doping,LVD)LDMOS器件,进行了耐压模型和特性的研究。通过解泊松方程,得到超薄高压SOI LVD LDMOS的RESURF判据,有助于器件耐压和比导通电阻的设计与优化。通过对漂移区长度、厚度和剂量,以及... 针对超薄层高压SOI线性变掺杂(Linear Varied Doping,LVD)LDMOS器件,进行了耐压模型和特性的研究。通过解泊松方程,得到超薄高压SOI LVD LDMOS的RESURF判据,有助于器件耐压和比导通电阻的设计与优化。通过对漂移区长度、厚度和剂量,以及n型缓冲层仿真优化,使器件耐压与比导通电阻的矛盾关系得到良好的改善。实验表明,超薄层高压SOI LVD LDMOS的耐压达到644V,比导通电阻为24.1Ω·mm2,击穿时埋氧层电场超过200V/cm。 展开更多
关键词 超薄SOI层 线性变掺杂 高压ldmos 耐压模型 RESURF
原文传递
基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅LDMOS阈值电压模型 被引量：3
20
作者 代月花 高珊 +1 位作者 柯导明 陈军宁 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期844-848,共5页
本文提出了一种新型的复合多晶硅栅LDMOS结构.该结构引入栅工程的概念,将LDMOST的栅分为n型多晶硅栅和p型多晶硅栅两部分,从而提高器件电流驱动能力,抑制SCEs(short channel effects)和DIBL(drain-inducedbarrier lowering).通过求解二... 本文提出了一种新型的复合多晶硅栅LDMOS结构.该结构引入栅工程的概念,将LDMOST的栅分为n型多晶硅栅和p型多晶硅栅两部分,从而提高器件电流驱动能力,抑制SCEs(short channel effects)和DIBL(drain-inducedbarrier lowering).通过求解二维泊松方程建立了复合多晶硅栅LDMOST的二维阈值电压解析模型.模型考虑了LDMOS沟道杂质浓度分布和复合栅功函数差的共同影响,具有较高的精度.与MEDICI数值模拟结果比较后,模型得以验证. 展开更多
关键词 复合多晶硅栅 ldmos 阈值电压
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 28 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部