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高温淬火对GaAs中深施主缺陷的影响
1
作者
杨瑞霞
刘力锋
郭惠
《河北工业大学学报》
CAS
2001年第1期67-69,共3页
研究了１ １２０℃ 高温淬火对非掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡＳ中 ＥＬ２浓度的影响．发现真空条件Ｔ，在１１２０℃热处理２ｈ～８ｈ并快速冷却后，样品中ＥＬ２浓度下降近一个数量级，提高高温过程中的 ＡＳ压，可抑制 ＥＬ２浓度的大幅...
研究了１ １２０℃ 高温淬火对非掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡＳ中 ＥＬ２浓度的影响．发现真空条件Ｔ，在１１２０℃热处理２ｈ～８ｈ并快速冷却后，样品中ＥＬ２浓度下降近一个数量级，提高高温过程中的 ＡＳ压，可抑制 ＥＬ２浓度的大幅下降．
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关键词
非掺杂半绝缘
lecgaas
高温粹火
EL2浓度
AS压
砷化镓
深施主缺陷
集成电路
砷压
在线阅读
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职称材料
LEC GaAs中碳的分布及其对材料特性影响
2
作者
杨瑞霞
付濬
李光平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第5期62-64,61,共4页
用碳的局域振动模(LVM)红外吸收的方法测量了未掺杂半绝缘(SI)LECGaAs中碳的纵向和横向分布,对碳的掺入机理、影响碳分布的因素进行了讨论,并对碳含量与材料热稳定性的关系进行了分析研究。
关键词
lecgaas
材料
掺碳
测量
性能
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职称材料
题名
高温淬火对GaAs中深施主缺陷的影响
1
作者
杨瑞霞
刘力锋
郭惠
机构
河北工业大学电信学院
出处
《河北工业大学学报》
CAS
2001年第1期67-69,共3页
基金
河北省自然科学基金资助项目!(195051)
文摘
研究了１ １２０℃ 高温淬火对非掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡＳ中 ＥＬ２浓度的影响．发现真空条件Ｔ，在１１２０℃热处理２ｈ～８ｈ并快速冷却后，样品中ＥＬ２浓度下降近一个数量级，提高高温过程中的 ＡＳ压，可抑制 ＥＬ２浓度的大幅下降．
关键词
非掺杂半绝缘
lecgaas
高温粹火
EL2浓度
AS压
砷化镓
深施主缺陷
集成电路
砷压
Keywords
undoped send-insulating GaAs: quenching
EL2 concentration
As pressure: suppression
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
LEC GaAs中碳的分布及其对材料特性影响
2
作者
杨瑞霞
付濬
李光平
机构
天津河北工学院
天津电子材料研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第5期62-64,61,共4页
文摘
用碳的局域振动模(LVM)红外吸收的方法测量了未掺杂半绝缘(SI)LECGaAs中碳的纵向和横向分布,对碳的掺入机理、影响碳分布的因素进行了讨论,并对碳含量与材料热稳定性的关系进行了分析研究。
关键词
lecgaas
材料
掺碳
测量
性能
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高温淬火对GaAs中深施主缺陷的影响
杨瑞霞
刘力锋
郭惠
《河北工业大学学报》
CAS
2001
0
在线阅读
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职称材料
2
LEC GaAs中碳的分布及其对材料特性影响
杨瑞霞
付濬
李光平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991
0
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职称材料
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