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一种适用于高精度LDO的单总线数字修调技术
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作者 孔健丞 王沦 +3 位作者 徐达 单闯 赵天鹄 陈思为 《微纳电子技术》 2026年第3期89-99,共11页
基于180 nm BCD工艺设计了一种单总线数字修调系统。该系统的通信接口采用自定义单总线协议,与传统标准串行修调方式相比,仅需一个引脚实现修调,降低了芯片成本。该系统具备预修调功能,可在熔断熔丝前读取熔断后的修调值以提高修调的准... 基于180 nm BCD工艺设计了一种单总线数字修调系统。该系统的通信接口采用自定义单总线协议,与传统标准串行修调方式相比,仅需一个引脚实现修调,降低了芯片成本。该系统具备预修调功能,可在熔断熔丝前读取熔断后的修调值以提高修调的准确率。应用该数字修调技术对一款低压差线性稳压器(LDO)进行修调。实测结果显示,在-40~125℃的温度范围内,修调后带隙基准的温度系数从24.6×10^(-6)/℃降低至4.97×10^(-6)/℃,平均输出电压从2.511 V校准到2.501 V。LDO的线性调整率为5 mV/V,负载调整率为0.02,最小压差为0.1 V。 展开更多
关键词 数字修调 单总线协议 预修调 低压差线性稳压器(ldo) 高精度
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一种低功耗瞬态响应增强的无片外电容LDO
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作者 于子靖 陈元平 +1 位作者 朱承同 谢月娥 《电子元件与材料》 北大核心 2026年第1期18-26,共9页
针对当前低功耗下低压差线性稳压器(LDO)瞬态响应差的问题,设计了一种兼具低功耗和瞬态响应增强的无片外电容LDO。该设计提出了一种带交叉耦合对管的电流型跨导误差放大器,在维持超低静态电流的同时提高了误差放大器跨导,从而提升了LDO... 针对当前低功耗下低压差线性稳压器(LDO)瞬态响应差的问题,设计了一种兼具低功耗和瞬态响应增强的无片外电容LDO。该设计提出了一种带交叉耦合对管的电流型跨导误差放大器,在维持超低静态电流的同时提高了误差放大器跨导,从而提升了LDO环路增益和单位增益带宽,改善了LDO的瞬态响应性能和线性调整率;设计了体端调制电路和瞬态响应增强电路,进一步提高了LDO的瞬态响应性能。整体电路设计基于TSMC 180 nm CMOS工艺,实现了1.15~1.8 V电压输入下,输出电压1 V,最大输出电流100 mA。后仿真结果表明,全负载范围内LDO的最大静态电流为804 nA,当负载从0.1到100 mA以500 ns切换时,欠冲和过冲电压分别为126和135 mV,稳定恢复时间分别为1.5和1.8μs。 展开更多
关键词 低功耗 瞬态响应增强 无片外电容ldo 体端调制技术
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抽样情况下复杂LDoS攻击检测方法研究
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作者 徐一凡 程光 周余阳 《信息网络安全》 北大核心 2026年第1期79-90,共12页
低速率拒绝服务(LDoS)攻击借助网络协议的自适应机制缺陷,以合法方式致使网络自适应机制失效,显著降低带宽利用率和服务质量。因此,LDoS攻击的高隐蔽性和强破坏性使其成为网络安全领域的重要研究课题。针对复杂LDoS攻击在多网络层次中... 低速率拒绝服务(LDoS)攻击借助网络协议的自适应机制缺陷,以合法方式致使网络自适应机制失效,显著降低带宽利用率和服务质量。因此,LDoS攻击的高隐蔽性和强破坏性使其成为网络安全领域的重要研究课题。针对复杂LDoS攻击在多网络层次中的隐蔽性及传统检测方法在抽样场景下的局限性,文章提出一种基于HLD-Sketch的LDoS攻击检测方法。文章涵盖在抽样情况下传输层LDoS攻击、应用层LDoS攻击及混合层次攻击场景。首先,通过改进的CM-Sketch结构实现动态流长估计,基于流长自适应调整抽样概率,优先对短流实施细粒度采样,减少长流背景噪声对攻击特征提取的干扰;其次,利用CM-Sketch的轻量级特性,在抽样流量中高效提取多维时序统计特征,包括流速率、上下行数据包个数及端口散布值等特征;最后,采用机器学习分类器对传输层、应用层及混合攻击进行层次化检测。实验结果表明,文章方法在3%的抽样率以及在混合攻击场景中,6 s内的检测准确率可以达到99.94%。该方法为高速网络环境下多维度LDoS攻击的实时检测提供了轻量化解决方案,尤其适用于大规模流量环境中的资源受限场景。 展开更多
关键词 低速率拒绝服务攻击 SKETCH 动态流抽样 多维时序特征 轻量化检测
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高稳定性LDO集成电路设计 被引量:4
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作者 李亮 黄思仪 +3 位作者 宋惠安 钮小超 成珏飞 汪义旺 《中国集成电路》 2025年第1期59-64,共6页
本文设计了一款高稳定性的LDO集成电路,它具有输出稳定性高的优点。在考虑参数指标折中的条件下设计了性能可靠的带隙电压基准源电路和两级共源共栅误差放大器电路以及限流保护电路,通过调节各模块的参数来平衡LDO的性能。设计完成在UMC... 本文设计了一款高稳定性的LDO集成电路,它具有输出稳定性高的优点。在考虑参数指标折中的条件下设计了性能可靠的带隙电压基准源电路和两级共源共栅误差放大器电路以及限流保护电路,通过调节各模块的参数来平衡LDO的性能。设计完成在UMC 0.11μm工艺下,通过Cadence仿真与验证,结果表明设计的LDO在输入电压2V到5V间均可以稳定输出1.8V的电压值;温度系数为5.33ppm/℃;线性调整率为0.00012%/V;负载调整率为0.0173%/mA,显示出本设计的LDO线性稳压器性能优异,满足实际应用的需求。 展开更多
关键词 电源管理 ldo 带隙基准源 误差放大器 限流电路
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一款低功耗高稳定性LDO电路设计
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作者 李新 高志鑫 李海川 《中国集成电路》 2025年第11期28-34,68,共8页
针对常规LDO低静态电流工作时电路存在稳定性问题,提出一种低功耗高稳定性LDO电路。采用耗尽基准复用为误差放大器的第一级,减小芯片面积,降低静态电流。同时,利用动态电流偏置与米勒补偿相结合的方式,提高LDO稳定性。基于华虹0.35μmC... 针对常规LDO低静态电流工作时电路存在稳定性问题,提出一种低功耗高稳定性LDO电路。采用耗尽基准复用为误差放大器的第一级,减小芯片面积,降低静态电流。同时,利用动态电流偏置与米勒补偿相结合的方式,提高LDO稳定性。基于华虹0.35μmCMOS工艺,电源电压为3V、负载电容为1μF,对设计的电路进行仿真验证。仿真结果表明,总静态电流为1.06μA,低频下PSR为-71dB@1kHZ,相位裕度大于45°,在-40°~150°温度范围,电压温度系数为16.4ppm/℃。 展开更多
关键词 ldo 低静态电流 耗尽基准放大器
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坡缕石负载Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)复合材料对甲基橙的光催化降解
6
作者 马雪娥 胡美凤 +2 位作者 宋雪丽 常玥 查飞 《材料研究学报》 北大核心 2025年第6期413-424,共12页
以坡缕石负载Zn-In LDO(PGS@Zn-In LDO)和硫代乙酰胺为原料,通过水热法在PGS@Zn-In LDO上原位生长ZnS、In_(2)S_(3)制备PGS@Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)复合材料,利用X射线衍射仪(XRD)、比表面积-孔径分析仪(BET)、扫描电子显微镜(SEM)... 以坡缕石负载Zn-In LDO(PGS@Zn-In LDO)和硫代乙酰胺为原料,通过水热法在PGS@Zn-In LDO上原位生长ZnS、In_(2)S_(3)制备PGS@Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)复合材料,利用X射线衍射仪(XRD)、比表面积-孔径分析仪(BET)、扫描电子显微镜(SEM)、热场发射透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、紫外-可见分光光度计(Uv-vis DRS)、荧光光谱仪、电化学交流阻抗(EIS)测试等手段对其表征,研究其对甲基橙(MO)的光催化降解性能。结果表明,这种材料的吸光范围比Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)的宽。并且坡缕石有利于Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)复合材料的光生载流子的迁移。模拟可见光光照60 min后50%PGS@Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)-2复合材料对甲基橙(MO)的降解率为99.1%,其催化稳定性也比较高。在这种材料的光降解反应中起关键作用的是超氧负离子和空穴,在相同的实验条件下对酸性品红、结晶紫、罗丹明B、孔雀石绿、亚甲基蓝等常见染料的降解率不低于97.2%。 展开更多
关键词 复合材料 工业催化 染料废水 光催化降解 坡缕石负载Zn-In ldo/ZnS/In_(2)S_(3)
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一种无片外电容的低功耗瞬态增强LDO 被引量:1
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作者 程铁栋 金枭涵 《电子测量技术》 北大核心 2025年第12期26-31,共6页
针对无片外电容低压差线性稳压器(LDO)低功耗快速瞬态响应问题,提出了一种基于前馈补偿的瞬态增强LDO电路。误差放大器使用电流回收型折叠共源共栅放大器,具有低功耗、高增益等特点。前馈补偿采用多个小增益级连接,在低静态电流下提高... 针对无片外电容低压差线性稳压器(LDO)低功耗快速瞬态响应问题,提出了一种基于前馈补偿的瞬态增强LDO电路。误差放大器使用电流回收型折叠共源共栅放大器,具有低功耗、高增益等特点。前馈补偿采用多个小增益级连接,在低静态电流下提高系统稳定性。输出电压尖峰通过电容耦合至瞬态增强电路,为功率管栅极提供充、放电路径,提高瞬态响应性能。电路基于SMIC 180 nm CMOS工艺设计,仿真结果显示,在100μA~50 mA负载电流跳变范围内,LDO瞬态增强后,输出电压上冲尖峰减小343 mV,下降39%;输出电压下冲尖峰减小592 mV,下降57%。负载调整率为0.0057 mV/mA,线性调整率为0.22 mV/V。电路静态电流约为3μA,LDO电流效率高达99.99%。 展开更多
关键词 ldo 前馈补偿 密勒补偿 瞬态增强
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一种低功耗环路复用的LDO
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作者 童洒洒 喻思禹 +2 位作者 郑孝辰 刘欣洋 周泽坤 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第4期408-415,共8页
为进一步降低片上系统供电电路的面积和功耗,提出了一种无片外电容的低功耗环路复用低压差线性稳压器(LLM-LDO)电路。首先,该电路无需引入外部基准,输出电压仅由带隙核心和电阻比例决定。其次,带隙核心和LDO系统环路复用同一个误差放大... 为进一步降低片上系统供电电路的面积和功耗,提出了一种无片外电容的低功耗环路复用低压差线性稳压器(LLM-LDO)电路。首先,该电路无需引入外部基准,输出电压仅由带隙核心和电阻比例决定。其次,带隙核心和LDO系统环路复用同一个误差放大器,减小了电路的面积和功耗。最后,LLM-LDO系统在单位增益带宽内近似为单极点系统,在无片外电容的情况下,系统可以产生稳定的电源轨。本文基于180 nm BCD对系统各项性能参数进行仿真验证,结果显示:系统的静态电流为8.5μA,线性调整率为0.18μV/V;当负载电流在10μA~100 mA变化范围内时,负载调整率为1.9μV/mA,系统的相位裕度最小为71.4°,PSR在100 Hz时为-121 dB,系统的最长启动时间为39.6μs。 展开更多
关键词 低功耗 环路复用 无片外电容ldo 环路稳定性 电源抑制
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一种用于低功耗Buck的自适应供电轨LDO电路
9
作者 彭怡然 罗萍 +2 位作者 赵忠 连卓凡 李云泽 《微电子学》 北大核心 2025年第6期1013-1019,共7页
设计了一种旨在降低整体电路损耗的Buck变换器片内LDO电路。重点针对Buck变换器中片内电源轨生成电路LDO的损耗进行分析;通过复用Buck变换器的输出,在检测到Buck输出电压达到预设阈值时,自动将LDO供电轨从输入电压切换至Buck变换器的输... 设计了一种旨在降低整体电路损耗的Buck变换器片内LDO电路。重点针对Buck变换器中片内电源轨生成电路LDO的损耗进行分析;通过复用Buck变换器的输出,在检测到Buck输出电压达到预设阈值时,自动将LDO供电轨从输入电压切换至Buck变换器的输出电压,从而实现了LDO功率管损耗的降低以及Buck变换器转换效率的提高。所提出的LDO电路可用于宽输入范围的Buck变换器。实验结果表明,在输入电压12 V、输出电压5 V的典型工作条件下,基于该结构的LDO,Buck变换器的转换效率最大可提升5%。 展开更多
关键词 低功耗Buck变换器 自适应控制 ldo
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一种高稳定性带过流保护的LDO电路设计
10
作者 韩富璇 何庆国 +1 位作者 王鑫 马琳 《微纳电子技术》 2025年第5期46-53,共8页
采用0.25μm CMOS工艺设计了一种高稳定性带过流保护功能的低压差线性稳压器(LDO)。该LDO包括带隙基准电路、误差放大器、过流保护电路等。过流保护电路可以在LDO负载超过设定值时关闭LDO电路。误差放大器主环路采用负载电容等效串联电... 采用0.25μm CMOS工艺设计了一种高稳定性带过流保护功能的低压差线性稳压器(LDO)。该LDO包括带隙基准电路、误差放大器、过流保护电路等。过流保护电路可以在LDO负载超过设定值时关闭LDO电路。误差放大器主环路采用负载电容等效串联电阻(ESR)和密勒电容倍增补偿进行频率补偿,保证全负载条件下电路的稳定性。仿真结果表明,设计的LDO实现了7~15 V的输入电压范围,输出电压典型值为5 V,带载能力为0~20 mA,过流保护开启阈值为24 mA,全负载范围内最差相位裕度为76°。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(ldo) 过流保护 高稳定性 频率补偿 误差放大器(EA)
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活化PMS氧化RhB的铁基三元LDH/LDO的研发与制备条件优化
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作者 晏梦园 姜应和 《武汉理工大学学报》 2025年第1期75-83,共9页
通过双滴共沉淀法,制备了一系列铁基LDH/LDO,以其活化过氧单硫酸盐(PMS)降解RhB的效果为评价标准,通过对比试验,优选得到了性价比最高的三元铁基LDH/LDO催化剂——ZnCuFe-LDO。该产品的最佳制备条件为:前体盐为氯盐,Zn/Cu/Fe的摩尔比例... 通过双滴共沉淀法,制备了一系列铁基LDH/LDO,以其活化过氧单硫酸盐(PMS)降解RhB的效果为评价标准,通过对比试验,优选得到了性价比最高的三元铁基LDH/LDO催化剂——ZnCuFe-LDO。该产品的最佳制备条件为:前体盐为氯盐,Zn/Cu/Fe的摩尔比例为3∶3∶2,水浴陈化温度为40℃,pH为9。研究成果可为该类催化剂的研发及推广应用提供理论支持。 展开更多
关键词 LDH ldo 催化氧化 PMS RHB
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无片外ESR电阻的低噪声LDO设计
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作者 杨璐 李婷 何杰 《电子工艺技术》 2025年第5期18-21,共4页
低压差线性稳压器(LDO)广泛应用于各种电源管理系统中,为满足低电源噪声需求的工况,其噪声性能备受关注。对LDO的噪声来源进行了分析,并在此基础上提出了一种低噪声LDO系统结构,同时设计了一种适用于低噪声LDO系统结构的LDO补偿方法。... 低压差线性稳压器(LDO)广泛应用于各种电源管理系统中,为满足低电源噪声需求的工况,其噪声性能备受关注。对LDO的噪声来源进行了分析,并在此基础上提出了一种低噪声LDO系统结构,同时设计了一种适用于低噪声LDO系统结构的LDO补偿方法。经仿真试验,设计的LDO在10 Hz~100 kHz频率范围内总积分输出噪声电压为5.01μV,适用于低电源噪声需求的应用场合。 展开更多
关键词 ldo 低噪声 ESR电阻
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采用交叉耦合误差放大器的低压高增益LDO设计
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作者 张锦辉 朱春茂 张霖 《电子与封装》 2025年第1期52-58,共7页
设计了一种低输入电压、高增益的LDO,其误差放大器采用交叉耦合结构来增大环路增益,并通过密勒电容和调零电阻的串联引入1个左半平面的零点,确保该电路的频率响应环路稳定性。采用0.35μm标准CMOS工艺进行仿真,输入电压为1.5 V、负载最... 设计了一种低输入电压、高增益的LDO,其误差放大器采用交叉耦合结构来增大环路增益,并通过密勒电容和调零电阻的串联引入1个左半平面的零点,确保该电路的频率响应环路稳定性。采用0.35μm标准CMOS工艺进行仿真,输入电压为1.5 V、负载最大电流为100 mA。仿真结果表明,构建的LDO可以将输出电压稳定在1.2 V,环路的低频增益在轻载的情况下高达122 dB,芯片面积为0.196 mm2,且相位裕度在重载情况下亦能做到大于58°,静态电流为21.2μA。由于交叉耦合误差放大器的使用,电路的精度得到很大提高,负载调整率可以达到0.007%,所设计的LDO有较高的应用价值。 展开更多
关键词 低压 交叉耦合 ldo 跨导运算放大器
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一种基于电流比较的LDO折返式限流保护电路
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作者 张耕瑜 李现坤 +1 位作者 黄朝轩 肖培磊 《电子技术应用》 2025年第10期32-35,共4页
针对低压差线性稳压器(LDO)可能出现的过载、短路问题,基于180 nm BCD工艺,设计了一种基于电流比较的折返式限流保护电路。通过添加监测信号,有效避免了折返式限流电路中容易出现的“闩锁”问题。仿真结果表明,在达到过流限时,输出电流... 针对低压差线性稳压器(LDO)可能出现的过载、短路问题,基于180 nm BCD工艺,设计了一种基于电流比较的折返式限流保护电路。通过添加监测信号,有效避免了折返式限流电路中容易出现的“闩锁”问题。仿真结果表明,在达到过流限时,输出电流减小至200 mA,输出电压减小约400 mV后开始折返,LDO的输出电流和输出电压均下降。结果表明,该电路在完成限流保护功能的同时大大降低了系统过流状态下的系统功耗。 展开更多
关键词 ldo 限流保护 折返式 闩锁
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Novel Catalyst of NiFe‐LDO Layered Double for Efficient Deoxygenation of Palm Oil to Diesel‐Range Alkane
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作者 Qingyan Cui Jianwei Zheng +4 位作者 Yingying Zhang Tiesen Li Tinghai Wang Chan Wang Yuanyuan Yue 《Carbon and Hydrogen》 2025年第3期363-371,共9页
To achieve palm oil conversion along with a high yield of long‐chain alkane,a series of NiFe layered double oxide catalysts were prepared and employed in the deoxygenation of palm oil.The layered structure of these c... To achieve palm oil conversion along with a high yield of long‐chain alkane,a series of NiFe layered double oxide catalysts were prepared and employed in the deoxygenation of palm oil.The layered structure of these catalysts was confirmed by XRD and SEM analyses,and Ni and Fe species existed primarily in the forms of Ni^(2+)and Fe^(3+),respectively.It was found that Ni/Fe molar ratio influenced the H_(2)reducibility and surface properties of NiFe catalysts.Specifically,Ni_(2)Fe‐LDO and Ni_(3)Fe‐LDO exhibited higher reducibility under H_(2)atmosphere.Moreover,the Ni_(2)Fe‐LDO catalyst contained a higher concentration of surface oxygen species(Osurf).Deoxygenation results demonstrated that the Ni_(2)Fe‐LDO catalyst achieved superior palm oil conversion,higher liquid product yield and enhanced selectivity toward C_(15)–C_(18)hydrocarbons compared to other catalysts.This improved performance was attributed to its higher hydrogen dissociation activity and enhanced adsorption capacity for palm oil molecules.Furthermore,reaction condition studies revealed that palm oil was completely converted,yielding 86.8%liquid product with 81.8%selectivity of C_(15)–C_(18)hydrocarbons at 350℃under 7 MPa H_(2)pressure.This finding provides an insight into the development of efficient catalysts for the deoxygenation of fatty compounds to biofuels. 展开更多
关键词 hydrodeoxygenation long‐chain alkane NiFe‐ldo layered double catalyst palm oil
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一款改进的低频高电源抑制比LDO电路设计
16
作者 唐锦泽 尹富楼 程加力 《科技风》 2025年第31期4-6,共3页
电源抑制比是衡量LDO性能的重要参数之一。本文基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种低频电源抑制比改进电路。该电路利用调节型共源共栅结构,在低频段将电源纹波等量复制至功率管栅端,使得电源纹波与功率管栅端的电压纹波比值为1,即误差放... 电源抑制比是衡量LDO性能的重要参数之一。本文基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种低频电源抑制比改进电路。该电路利用调节型共源共栅结构,在低频段将电源纹波等量复制至功率管栅端,使得电源纹波与功率管栅端的电压纹波比值为1,即误差放大器的电源抑制比为1,进而改善低频段时LDO电路的电源抑制比。通过实验仿真可知,当负载电流为100μA时,低频段电源抑制比得到了明显改善,在频率为10Hz时,约改善50dB;在频率为10kHz时,约改善12dB。本文设计的电路是稳定的,相位裕度约为93°,在不同工艺角条件下,该电路结构均可明显改善低频段时LDO电路的电源抑制比。 展开更多
关键词 ldo 电源抑制比 调节型共源共栅
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宽频段高电源抑制比LDO设计
17
作者 唐锦泽 尹富楼 程加力 《科技风》 2025年第32期43-45,共3页
在低频段时,将电源纹波等效复制至功率管栅端,使得误差放大器的PSRR为1,可有效提高低频段PSRR。通过计算,此结论也适用于改善高频段PSRR。本文基于0.35μm CMOS工艺,利用非福斯特电路产生负电容,抵消功率管寄生电容C_(GS)与C_(GD)对PSR... 在低频段时,将电源纹波等效复制至功率管栅端,使得误差放大器的PSRR为1,可有效提高低频段PSRR。通过计算,此结论也适用于改善高频段PSRR。本文基于0.35μm CMOS工艺,利用非福斯特电路产生负电容,抵消功率管寄生电容C_(GS)与C_(GD)对PSRR的影响,使得误差放大器的PSRR为1,进而改善高频段LDO的电源抑制比,使得宽频段PSRR得到显著提升。通过实验仿真,在100μA负载电流下,宽频段PSRR得到了明显的改善。不同工艺角下,本文提出的电路结构均适用。 展开更多
关键词 ldo 电源抑制比 非福斯特电路
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一种采用曲率补偿带隙基准的LDO电路设计
18
作者 李应鹏 聂丹凤 《中国科技期刊数据库 工业A》 2025年第8期053-058,共6页
低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator)即LDO,是电源管理电路的核心之一,其精度与稳定性等指标对于电子设备的性能至关重要。而传统的LDO电路输入端因带隙基准电路的温度补偿不足、环路稳定性差,导致无法适应高精度的用电环境。本文... 低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator)即LDO,是电源管理电路的核心之一,其精度与稳定性等指标对于电子设备的性能至关重要。而传统的LDO电路输入端因带隙基准电路的温度补偿不足、环路稳定性差,导致无法适应高精度的用电环境。本文采用曲率补偿网络与动态频率补偿策略,可以显著降低带隙基准电路输出的温度系数,有效提升环路稳定性与瞬态响应网络。电路采用商用0.13μm BCD工艺设计,带隙电路的温漂系数为3.21ppm/°C,轻载时环路增益可达102dB,相位裕度达到61.5°,重载时环路增益为100dB,相位裕度达到 62°,结果 表明,采用曲率补偿带隙基准的LDO电路满足设计要求。 展开更多
关键词 曲率补偿带隙基准 动态频率补偿 ldo
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一种可用于LDO的CMOS运算放大器研究
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作者 谷鑫 王健 +2 位作者 杨胜旻 王心成 林建文 《电子制作》 2025年第10期92-95,共4页
本文研究了一种可用于LDO的误差运算放大器。文章指出了作为LDO核心模块的误差运算放大器设计需求,本文从低压差、高精度、大负载场景考虑采用二级OTA并对电路进行分析。本文还通过仿真验证了运算放大器的单位增益带宽、相位裕度、压摆... 本文研究了一种可用于LDO的误差运算放大器。文章指出了作为LDO核心模块的误差运算放大器设计需求,本文从低压差、高精度、大负载场景考虑采用二级OTA并对电路进行分析。本文还通过仿真验证了运算放大器的单位增益带宽、相位裕度、压摆率和电源抑制比等关键性能,该运放在不同工艺角和温度条件下均表现出良好的稳定性,关键性能指标比较优异,如开环增益高达104.185dB,相位裕度为68.843°,单位增益带宽为2.6374MHz。最终,该运放在3.3V供电下表现出较好的性能和稳定性,适用于高要求电路如LDO等。本研究在一定程度上推动了CMOS运算放大器在集成电路中的应用和发展。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(ldo) 误差运算放大器 二级OTA 启动偏置电路
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一种具有基极电流补偿的低噪声LDO 被引量:1
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作者 黄经纬 罗萍 +3 位作者 王浩 辛相文 李鹏 罗凯 《微电子学》 北大核心 2025年第4期563-569,共7页
基于180 nm BCD工艺,设计了一种具有基极电流补偿的低噪声LDO电路,采用BJT预放大级,降低了误差放大器的1/f噪声;采用单位增益负反馈架构,消除了反馈电阻网络贡献的噪声,并通过一阶RC低通滤波器降低了基准的高频噪声;同时,提出一种基极... 基于180 nm BCD工艺,设计了一种具有基极电流补偿的低噪声LDO电路,采用BJT预放大级,降低了误差放大器的1/f噪声;采用单位增益负反馈架构,消除了反馈电阻网络贡献的噪声,并通过一阶RC低通滤波器降低了基准的高频噪声;同时,提出一种基极电流补偿电路,用于补偿BJT预放大级的基极电流,避免基准电压的降低。仿真结果表明:该LDO输入电压2.4~5.5 V,输出电压0.8~5.3 V,最大带载电流500 mA,在1 kHz处的输出噪声谱密度为4 nV/√Hz,10~100 kHz积分噪声为0.92μVRMS。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 低噪声 基极电流补偿 电流基准
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