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高稳定性LDO集成电路设计 被引量：4
1
作者 李亮 黄思仪 +3 位作者 宋惠安 钮小超 成珏飞 汪义旺 《中国集成电路》 2025年第1期59-64,共6页
本文设计了一款高稳定性的LDO集成电路,它具有输出稳定性高的优点。在考虑参数指标折中的条件下设计了性能可靠的带隙电压基准源电路和两级共源共栅误差放大器电路以及限流保护电路,通过调节各模块的参数来平衡LDO的性能。设计完成在UMC... 本文设计了一款高稳定性的LDO集成电路,它具有输出稳定性高的优点。在考虑参数指标折中的条件下设计了性能可靠的带隙电压基准源电路和两级共源共栅误差放大器电路以及限流保护电路,通过调节各模块的参数来平衡LDO的性能。设计完成在UMC 0.11μm工艺下,通过Cadence仿真与验证,结果表明设计的LDO在输入电压2V到5V间均可以稳定输出1.8V的电压值;温度系数为5.33ppm/℃;线性调整率为0.00012%/V;负载调整率为0.0173%/mA,显示出本设计的LDO线性稳压器性能优异,满足实际应用的需求。 展开更多
关键词 电源管理 ldo 带隙基准源 误差放大器 限流电路
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坡缕石负载Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)复合材料对甲基橙的光催化降解
2
作者 马雪娥 胡美凤 +2 位作者 宋雪丽 常玥 查飞 《材料研究学报》 北大核心 2025年第6期413-424,共12页
以坡缕石负载Zn-In LDO(PGS@Zn-In LDO)和硫代乙酰胺为原料,通过水热法在PGS@Zn-In LDO上原位生长ZnS、In_(2)S_(3)制备PGS@Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)复合材料,利用X射线衍射仪(XRD)、比表面积-孔径分析仪(BET)、扫描电子显微镜(SEM)... 以坡缕石负载Zn-In LDO(PGS@Zn-In LDO)和硫代乙酰胺为原料,通过水热法在PGS@Zn-In LDO上原位生长ZnS、In_(2)S_(3)制备PGS@Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)复合材料,利用X射线衍射仪(XRD)、比表面积-孔径分析仪(BET)、扫描电子显微镜(SEM)、热场发射透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、紫外-可见分光光度计(Uv-vis DRS)、荧光光谱仪、电化学交流阻抗(EIS)测试等手段对其表征,研究其对甲基橙(MO)的光催化降解性能。结果表明,这种材料的吸光范围比Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)的宽。并且坡缕石有利于Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)复合材料的光生载流子的迁移。模拟可见光光照60 min后50%PGS@Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)-2复合材料对甲基橙(MO)的降解率为99.1%,其催化稳定性也比较高。在这种材料的光降解反应中起关键作用的是超氧负离子和空穴,在相同的实验条件下对酸性品红、结晶紫、罗丹明B、孔雀石绿、亚甲基蓝等常见染料的降解率不低于97.2%。 展开更多
关键词 复合材料 工业催化 染料废水 光催化降解 坡缕石负载Zn-In ldo/ZnS/In_(2)S_(3)
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一种低功耗环路复用的LDO
3
作者 童洒洒 喻思禹 +2 位作者 郑孝辰 刘欣洋 周泽坤 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第4期408-415,共8页
为进一步降低片上系统供电电路的面积和功耗,提出了一种无片外电容的低功耗环路复用低压差线性稳压器(LLM-LDO)电路。首先,该电路无需引入外部基准,输出电压仅由带隙核心和电阻比例决定。其次,带隙核心和LDO系统环路复用同一个误差放大... 为进一步降低片上系统供电电路的面积和功耗,提出了一种无片外电容的低功耗环路复用低压差线性稳压器(LLM-LDO)电路。首先,该电路无需引入外部基准,输出电压仅由带隙核心和电阻比例决定。其次,带隙核心和LDO系统环路复用同一个误差放大器,减小了电路的面积和功耗。最后,LLM-LDO系统在单位增益带宽内近似为单极点系统,在无片外电容的情况下,系统可以产生稳定的电源轨。本文基于180 nm BCD对系统各项性能参数进行仿真验证,结果显示:系统的静态电流为8.5μA,线性调整率为0.18μV/V;当负载电流在10μA~100 mA变化范围内时,负载调整率为1.9μV/mA,系统的相位裕度最小为71.4°,PSR在100 Hz时为-121 dB,系统的最长启动时间为39.6μs。 展开更多
关键词 低功耗 环路复用 无片外电容ldo 环路稳定性 电源抑制
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一种高稳定性带过流保护的LDO电路设计
4
作者 韩富璇 何庆国 +1 位作者 王鑫 马琳 《微纳电子技术》 2025年第5期46-53,共8页
采用0.25μm CMOS工艺设计了一种高稳定性带过流保护功能的低压差线性稳压器(LDO)。该LDO包括带隙基准电路、误差放大器、过流保护电路等。过流保护电路可以在LDO负载超过设定值时关闭LDO电路。误差放大器主环路采用负载电容等效串联电... 采用0.25μm CMOS工艺设计了一种高稳定性带过流保护功能的低压差线性稳压器(LDO)。该LDO包括带隙基准电路、误差放大器、过流保护电路等。过流保护电路可以在LDO负载超过设定值时关闭LDO电路。误差放大器主环路采用负载电容等效串联电阻(ESR)和密勒电容倍增补偿进行频率补偿,保证全负载条件下电路的稳定性。仿真结果表明,设计的LDO实现了7~15 V的输入电压范围,输出电压典型值为5 V,带载能力为0~20 mA,过流保护开启阈值为24 mA,全负载范围内最差相位裕度为76°。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(ldo) 过流保护 高稳定性 频率补偿 误差放大器(EA)
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活化PMS氧化RhB的铁基三元LDH/LDO的研发与制备条件优化
5
作者 晏梦园 姜应和 《武汉理工大学学报》 2025年第1期75-83,共9页
通过双滴共沉淀法,制备了一系列铁基LDH/LDO,以其活化过氧单硫酸盐(PMS)降解RhB的效果为评价标准,通过对比试验,优选得到了性价比最高的三元铁基LDH/LDO催化剂——ZnCuFe-LDO。该产品的最佳制备条件为:前体盐为氯盐,Zn/Cu/Fe的摩尔比例... 通过双滴共沉淀法,制备了一系列铁基LDH/LDO,以其活化过氧单硫酸盐(PMS)降解RhB的效果为评价标准,通过对比试验,优选得到了性价比最高的三元铁基LDH/LDO催化剂——ZnCuFe-LDO。该产品的最佳制备条件为:前体盐为氯盐,Zn/Cu/Fe的摩尔比例为3∶3∶2,水浴陈化温度为40℃,pH为9。研究成果可为该类催化剂的研发及推广应用提供理论支持。 展开更多
关键词 LDH ldo 催化氧化 PMS RHB
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无片外ESR电阻的低噪声LDO设计
6
作者 杨璐 李婷 何杰 《电子工艺技术》 2025年第5期18-21,共4页
低压差线性稳压器(LDO)广泛应用于各种电源管理系统中,为满足低电源噪声需求的工况,其噪声性能备受关注。对LDO的噪声来源进行了分析,并在此基础上提出了一种低噪声LDO系统结构,同时设计了一种适用于低噪声LDO系统结构的LDO补偿方法。... 低压差线性稳压器(LDO)广泛应用于各种电源管理系统中,为满足低电源噪声需求的工况,其噪声性能备受关注。对LDO的噪声来源进行了分析,并在此基础上提出了一种低噪声LDO系统结构,同时设计了一种适用于低噪声LDO系统结构的LDO补偿方法。经仿真试验,设计的LDO在10 Hz~100 kHz频率范围内总积分输出噪声电压为5.01μV,适用于低电源噪声需求的应用场合。 展开更多
关键词 ldo 低噪声 ESR电阻
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一种无片外电容的低功耗瞬态增强LDO
7
作者 程铁栋 金枭涵 《电子测量技术》 北大核心 2025年第12期26-31,共6页
针对无片外电容低压差线性稳压器(LDO)低功耗快速瞬态响应问题,提出了一种基于前馈补偿的瞬态增强LDO电路。误差放大器使用电流回收型折叠共源共栅放大器,具有低功耗、高增益等特点。前馈补偿采用多个小增益级连接,在低静态电流下提高... 针对无片外电容低压差线性稳压器(LDO)低功耗快速瞬态响应问题,提出了一种基于前馈补偿的瞬态增强LDO电路。误差放大器使用电流回收型折叠共源共栅放大器,具有低功耗、高增益等特点。前馈补偿采用多个小增益级连接,在低静态电流下提高系统稳定性。输出电压尖峰通过电容耦合至瞬态增强电路,为功率管栅极提供充、放电路径,提高瞬态响应性能。电路基于SMIC 180 nm CMOS工艺设计,仿真结果显示,在100μA~50 mA负载电流跳变范围内,LDO瞬态增强后,输出电压上冲尖峰减小343 mV,下降39%;输出电压下冲尖峰减小592 mV,下降57%。负载调整率为0.0057 mV/mA,线性调整率为0.22 mV/V。电路静态电流约为3μA,LDO电流效率高达99.99%。 展开更多
关键词 ldo 前馈补偿 密勒补偿 瞬态增强
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采用交叉耦合误差放大器的低压高增益LDO设计
8
作者 张锦辉 朱春茂 张霖 《电子与封装》 2025年第1期52-58,共7页
设计了一种低输入电压、高增益的LDO,其误差放大器采用交叉耦合结构来增大环路增益,并通过密勒电容和调零电阻的串联引入1个左半平面的零点,确保该电路的频率响应环路稳定性。采用0.35μm标准CMOS工艺进行仿真,输入电压为1.5 V、负载最... 设计了一种低输入电压、高增益的LDO,其误差放大器采用交叉耦合结构来增大环路增益,并通过密勒电容和调零电阻的串联引入1个左半平面的零点,确保该电路的频率响应环路稳定性。采用0.35μm标准CMOS工艺进行仿真,输入电压为1.5 V、负载最大电流为100 mA。仿真结果表明,构建的LDO可以将输出电压稳定在1.2 V,环路的低频增益在轻载的情况下高达122 dB,芯片面积为0.196 mm2,且相位裕度在重载情况下亦能做到大于58°,静态电流为21.2μA。由于交叉耦合误差放大器的使用,电路的精度得到很大提高,负载调整率可以达到0.007%,所设计的LDO有较高的应用价值。 展开更多
关键词 低压 交叉耦合 ldo 跨导运算放大器
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一种基于电流比较的LDO折返式限流保护电路
9
作者 张耕瑜 李现坤 +1 位作者 黄朝轩 肖培磊 《电子技术应用》 2025年第10期32-35,共4页
针对低压差线性稳压器(LDO)可能出现的过载、短路问题,基于180 nm BCD工艺,设计了一种基于电流比较的折返式限流保护电路。通过添加监测信号,有效避免了折返式限流电路中容易出现的“闩锁”问题。仿真结果表明,在达到过流限时,输出电流... 针对低压差线性稳压器(LDO)可能出现的过载、短路问题,基于180 nm BCD工艺,设计了一种基于电流比较的折返式限流保护电路。通过添加监测信号,有效避免了折返式限流电路中容易出现的“闩锁”问题。仿真结果表明,在达到过流限时,输出电流减小至200 mA,输出电压减小约400 mV后开始折返,LDO的输出电流和输出电压均下降。结果表明,该电路在完成限流保护功能的同时大大降低了系统过流状态下的系统功耗。 展开更多
关键词 ldo 限流保护 折返式 闩锁
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一款改进的低频高电源抑制比LDO电路设计
10
作者 唐锦泽 尹富楼 程加力 《科技风》 2025年第31期4-6,共3页
电源抑制比是衡量LDO性能的重要参数之一。本文基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种低频电源抑制比改进电路。该电路利用调节型共源共栅结构,在低频段将电源纹波等量复制至功率管栅端,使得电源纹波与功率管栅端的电压纹波比值为1,即误差放... 电源抑制比是衡量LDO性能的重要参数之一。本文基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种低频电源抑制比改进电路。该电路利用调节型共源共栅结构,在低频段将电源纹波等量复制至功率管栅端,使得电源纹波与功率管栅端的电压纹波比值为1,即误差放大器的电源抑制比为1,进而改善低频段时LDO电路的电源抑制比。通过实验仿真可知,当负载电流为100μA时,低频段电源抑制比得到了明显改善,在频率为10Hz时,约改善50dB;在频率为10kHz时,约改善12dB。本文设计的电路是稳定的,相位裕度约为93°,在不同工艺角条件下,该电路结构均可明显改善低频段时LDO电路的电源抑制比。 展开更多
关键词 ldo 电源抑制比 调节型共源共栅
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宽频段高电源抑制比LDO设计
11
作者 唐锦泽 尹富楼 程加力 《科技风》 2025年第32期43-45,共3页
在低频段时,将电源纹波等效复制至功率管栅端,使得误差放大器的PSRR为1,可有效提高低频段PSRR。通过计算,此结论也适用于改善高频段PSRR。本文基于0.35μm CMOS工艺,利用非福斯特电路产生负电容,抵消功率管寄生电容C_(GS)与C_(GD)对PSR... 在低频段时,将电源纹波等效复制至功率管栅端,使得误差放大器的PSRR为1,可有效提高低频段PSRR。通过计算,此结论也适用于改善高频段PSRR。本文基于0.35μm CMOS工艺,利用非福斯特电路产生负电容,抵消功率管寄生电容C_(GS)与C_(GD)对PSRR的影响,使得误差放大器的PSRR为1,进而改善高频段LDO的电源抑制比,使得宽频段PSRR得到显著提升。通过实验仿真,在100μA负载电流下,宽频段PSRR得到了明显的改善。不同工艺角下,本文提出的电路结构均适用。 展开更多
关键词 ldo 电源抑制比 非福斯特电路
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基于LDO的无过冲软启动电路设计分析
12
作者 兰云鹏 《信息产业报道》 2025年第3期0194-0196,共3页
文章提出了一种基于 LDO 的无过冲软启动电路设计,旨在有效防止启动过程中的电压超调。该电路通过三级放大器结构和正反馈机制,优化了软启动过程,确保输出电压平稳上升。第一级通过共源级放大器和快速比较器减少处理延时;第二级采用双... 文章提出了一种基于 LDO 的无过冲软启动电路设计,旨在有效防止启动过程中的电压超调。该电路通过三级放大器结构和正反馈机制,优化了软启动过程,确保输出电压平稳上升。第一级通过共源级放大器和快速比较器减少处理延时;第二级采用双端转单端放大器,抬升功率晶体管源端电压,避免栅电压从零起始,减少比较器延时;第三级正反馈回路在软启动阶段加速电压上升,最终平稳过渡至稳定工作状态。此外,采用不平衡比较器设计,在源端加入电阻 R1,避免输出电压超过参考电压Vref,消除超调现象。通过 SMIC 0.18μm BCD 工艺与 Spectre 仿真,验证了电路设计的有效性和稳定性。结果表明,设计能够确保 LDO 在启动过程中的稳定性与高效性,满足低功耗、低噪声的要求。 展开更多
关键词 ldo 软起动电路 不平衡比较器
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一种采用曲率补偿带隙基准的LDO电路设计
13
作者 李应鹏 聂丹凤 《中国科技期刊数据库 工业A》 2025年第8期053-058,共6页
低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator)即LDO,是电源管理电路的核心之一,其精度与稳定性等指标对于电子设备的性能至关重要。而传统的LDO电路输入端因带隙基准电路的温度补偿不足、环路稳定性差,导致无法适应高精度的用电环境。本文... 低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator)即LDO,是电源管理电路的核心之一,其精度与稳定性等指标对于电子设备的性能至关重要。而传统的LDO电路输入端因带隙基准电路的温度补偿不足、环路稳定性差,导致无法适应高精度的用电环境。本文采用曲率补偿网络与动态频率补偿策略,可以显著降低带隙基准电路输出的温度系数,有效提升环路稳定性与瞬态响应网络。电路采用商用0.13μm BCD工艺设计,带隙电路的温漂系数为3.21ppm/°C,轻载时环路增益可达102dB,相位裕度达到61.5°,重载时环路增益为100dB,相位裕度达到 62°,结果 表明,采用曲率补偿带隙基准的LDO电路满足设计要求。 展开更多
关键词 曲率补偿带隙基准 动态频率补偿 ldo
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一种可用于LDO的CMOS运算放大器研究
14
作者 谷鑫 王健 +2 位作者 杨胜旻 王心成 林建文 《电子制作》 2025年第10期92-95,共4页
本文研究了一种可用于LDO的误差运算放大器。文章指出了作为LDO核心模块的误差运算放大器设计需求,本文从低压差、高精度、大负载场景考虑采用二级OTA并对电路进行分析。本文还通过仿真验证了运算放大器的单位增益带宽、相位裕度、压摆... 本文研究了一种可用于LDO的误差运算放大器。文章指出了作为LDO核心模块的误差运算放大器设计需求,本文从低压差、高精度、大负载场景考虑采用二级OTA并对电路进行分析。本文还通过仿真验证了运算放大器的单位增益带宽、相位裕度、压摆率和电源抑制比等关键性能,该运放在不同工艺角和温度条件下均表现出良好的稳定性,关键性能指标比较优异,如开环增益高达104.185dB,相位裕度为68.843°,单位增益带宽为2.6374MHz。最终,该运放在3.3V供电下表现出较好的性能和稳定性,适用于高要求电路如LDO等。本研究在一定程度上推动了CMOS运算放大器在集成电路中的应用和发展。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(ldo) 误差运算放大器 二级OTA 启动偏置电路
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一种具有基极电流补偿的低噪声LDO 被引量：1
15
作者 黄经纬 罗萍 +3 位作者 王浩 辛相文 李鹏 罗凯 《微电子学》 北大核心 2025年第4期563-569,共7页
基于180 nm BCD工艺,设计了一种具有基极电流补偿的低噪声LDO电路,采用BJT预放大级,降低了误差放大器的1/f噪声;采用单位增益负反馈架构,消除了反馈电阻网络贡献的噪声,并通过一阶RC低通滤波器降低了基准的高频噪声;同时,提出一种基极... 基于180 nm BCD工艺,设计了一种具有基极电流补偿的低噪声LDO电路,采用BJT预放大级,降低了误差放大器的1/f噪声;采用单位增益负反馈架构,消除了反馈电阻网络贡献的噪声,并通过一阶RC低通滤波器降低了基准的高频噪声;同时,提出一种基极电流补偿电路,用于补偿BJT预放大级的基极电流,避免基准电压的降低。仿真结果表明:该LDO输入电压2.4~5.5 V,输出电压0.8~5.3 V,最大带载电流500 mA,在1 kHz处的输出噪声谱密度为4 nV/√Hz,10~100 kHz积分噪声为0.92μVRMS。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 低噪声 基极电流补偿 电流基准
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LDO启动浪涌的反馈网络优化抑制方法研究
16
作者 康端刚 康婷 +2 位作者 李辉 吴临玉 汪晓文 《电子技术应用》 2025年第10期42-46,共5页
低压差线性稳压器(LDO)作为现代电子系统的核心电源管理器件,其启动浪涌电流问题严重威胁系统可靠性。以MSK5101型LDO为研究对象,针对使能端加入RC延时电路后输入浪涌电流尖峰现象,提出一种基于反馈网络动态优化的抑制方法。通过建立小... 低压差线性稳压器(LDO)作为现代电子系统的核心电源管理器件,其启动浪涌电流问题严重威胁系统可靠性。以MSK5101型LDO为研究对象,针对使能端加入RC延时电路后输入浪涌电流尖峰现象,提出一种基于反馈网络动态优化的抑制方法。通过建立小信号模型并进行频域分析,揭示了反馈网络参数对系统响应速度与稳定性的影响规律,提出通过增大反馈电阻与调整补偿电容实现等效软启动。实验结果表明,优化后浪涌电流峰值由2.7 A降至0.87 A(降幅67.8%),输出电压建立时间由2.9 ms延长至12.3 ms,显著提升了宇航电源系统的可靠性和鲁棒性。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 启动浪涌电流 反馈网络优化 软启动技术 电源管理
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一种低功耗高稳定性的LDO设计 被引量：2
17
作者 谢海情 曹武 +2 位作者 崔凯月 赵欣领 刘顺城 《电子设计工程》 2024年第14期115-120,共6页
基于Nuvoton 0.35μm CMOS工艺,设计了一种低功耗、高稳定性、高瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。误差放大器为交叉耦合结构,通过调节耦合对的比例可在低电流下获得相对大带宽和高增益,从而保证系统稳定性。电路基于自适应... 基于Nuvoton 0.35μm CMOS工艺,设计了一种低功耗、高稳定性、高瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。误差放大器为交叉耦合结构,通过调节耦合对的比例可在低电流下获得相对大带宽和高增益,从而保证系统稳定性。电路基于自适应偏置结构,动态跟随负载电流变化,为前级误差放大器提供偏置电流,提高环路带宽进而提高LDO的瞬态响应。仿真结果表明,LDO的输入范围为1.3~3.3 V,输出电压稳定在1.2 V,压差仅为100 mV;全负载范围内相位裕度(PM)最差为64.4°;负载电流在0.1μA~20 mA跳变时,欠冲电压为71.52 mV、恢复时间为526 ns,过冲电压为90.217 mV、恢复时间为568 ns,最小静态电流为5.17μA。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(ldo) 无片外电容 低功耗 瞬态响应
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一种进行环路隔离的大电流高电源抑制比LDO设计 被引量：1
18
作者 张加宏 沙秩生 +2 位作者 王泽林 刘祖韬 邹循成 《电子测量技术》 北大核心 2024年第3期24-30,共7页
针对传统带有电荷泵、以NMOS作为功率管的LDO驱动能力低下和输出纹波偏高的问题,基于Huahong 0.35μmBCD工艺,设计了一种隔离交直流环路的大电流LDO。该LDO通过将直流环路和交流环路进行隔离,降低了对电荷泵驱动能力的需求,从而保证NMO... 针对传统带有电荷泵、以NMOS作为功率管的LDO驱动能力低下和输出纹波偏高的问题,基于Huahong 0.35μmBCD工艺,设计了一种隔离交直流环路的大电流LDO。该LDO通过将直流环路和交流环路进行隔离,降低了对电荷泵驱动能力的需求,从而保证NMOS功率管栅极驱动电压的较低纹波并实现大电流输出。通过加入纹波电流吸收电路,增强了LDO的PSRR。结果表明,在3.41~5.5V的输入电压范围内,LDO的输出电压为3.3V,输出电流最高达到3 A,压差为110 mV。LDO在轻负载下的PSRR为:111.261dB@DC,86.9005dB@1kHz,78.9472dB@1MHz;重负载下的PSRR为:111.280dB@DC,84.1231dB@1kHz,39.2638dB@1MHz。 展开更多
关键词 NMOSldo 大电流 环路隔离 高PSRR
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基于前馈补偿的快速响应无片外电容LDO设计 被引量：1
19
作者 孙帆 黄海波 +2 位作者 卢军 王卫华 彭国生 《电子测量技术》 北大核心 2024年第17期31-37,共7页
无片外电容低压差线性稳压器(LDO)可以为高度集成的片上系统(SoC)提供低噪声、低纹波的电源电压。针对无片外电容LDO瞬态响应速度较慢、稳定性较差的问题,采用有源前馈补偿技术加快功率管的充放电速率,提高LDO的瞬态响应速度;且引入左... 无片外电容低压差线性稳压器(LDO)可以为高度集成的片上系统(SoC)提供低噪声、低纹波的电源电压。针对无片外电容LDO瞬态响应速度较慢、稳定性较差的问题,采用有源前馈补偿技术加快功率管的充放电速率,提高LDO的瞬态响应速度;且引入左半平面零点,改善系统的稳定性。同时,前馈补偿电路可以使LDO在轻载和重载之间变化时,自适应地在二级级联放大器和三级级联放大器结构之间切换,确保LDO在全负载范围内保持稳定。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺进行电路的设计。仿真结果表明,在片上负载电容为20 pF且负载电流在0~200 mA变化时,设计的无片外电容LDO能够工作在1.7~2.8 V的输入电源电压下,稳定输出1.5 V的供电电压,系统在全负载范围内的相位裕度大于45°。当负载电流在1μs内,在0 mA和200 mA之间跳变时,过冲和下冲电压小于100 mV,恢复时间低于0.6μs。设计的LDO在高稳定性、快速瞬态响应和宽负载范围方面取得了较好的性能。 展开更多
关键词 无片外电容ldo 前馈补偿 环路稳定性 快速瞬态响应 宽负载范围
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水滑石衍生CuMgFe-LDO催化剂协同净化氮氧化物和甲醇 被引量：1
20
作者 徐欣欣 冀芸丽 +2 位作者 武鲜凤 安霞 吴旭 《化工学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第5期1890-1902,共13页
NH_(3)-SCR催化剂同时去除NO_(x)和挥发性有机物(VOCs)引起了人们的广泛关注,然而,VOCs的存在会对脱硝反应产生负面影响,尤其在低温条件下。本研究选定水滑石衍生复合氧化物(Cu)MgFe-LDO催化剂探索协同脱除NO_(x)和甲醇性能,着重考察Cu... NH_(3)-SCR催化剂同时去除NO_(x)和挥发性有机物(VOCs)引起了人们的广泛关注,然而,VOCs的存在会对脱硝反应产生负面影响,尤其在低温条件下。本研究选定水滑石衍生复合氧化物(Cu)MgFe-LDO催化剂探索协同脱除NO_(x)和甲醇性能,着重考察Cu的引入以及CuO_(x)和FeO_(x)相互作用对协同反应的影响,并对所制备的催化剂进行表征测试。结果表明,含Cu催化剂的脱硝活性均高于MgFe-LDO催化剂,最佳催化剂Cu_(0.5)MgFe-LDO在230~300℃温窗内具有较好的脱硝活性和甲醇氧化性能。适量引入Cu加强了Cu、Fe物种间的相互作用,有利于氧化还原循环,从而产生更多的氧缺陷及活性氧,过量Cu掺杂会破坏催化剂结构,降低表面酸性,引入Cu可以减缓甲醇对SCR反应的抑制作用。这些结果可为实际应用SCR催化剂协同去除VOCs提供指导。 展开更多
关键词 类水滑石 CuMgFe-ldo 甲醇氧化 NH3-SCR 协同脱除
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