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轻掺杂漏LDDMOS FET的BV_(DS)与低级击穿电压
被引量：
1
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作者
余山
章定康
黄敞
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1989年第1期36-38,共3页
本文对测试的LDD结构BV_(DS)和低级击穿电压进行了分析。结果表明,BV_(DS)与低级击穿电压的机理完全不一样,常规MOSFET的衬底电流解析式应用于LDD MOSFET时需要进行修正。
关键词
lddmosfet
BVDS
击穿电压
MOS器件
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职称材料
题名
轻掺杂漏LDDMOS FET的BV_(DS)与低级击穿电压
被引量：
1
1
作者
余山
章定康
黄敞
机构
骊山微电子研究所
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1989年第1期36-38,共3页
文摘
本文对测试的LDD结构BV_(DS)和低级击穿电压进行了分析。结果表明,BV_(DS)与低级击穿电压的机理完全不一样,常规MOSFET的衬底电流解析式应用于LDD MOSFET时需要进行修正。
关键词
lddmosfet
BVDS
击穿电压
MOS器件
分类号
TN386.107 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
轻掺杂漏LDDMOS FET的BV_(DS)与低级击穿电压
余山
章定康
黄敞
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1989
1
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