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12位LC^2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应
被引量：
1
1
作者
王信
陆妩
+5 位作者
郭旗
吴雪
席善斌
邓伟
崔江维
张晋新
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第12期2355-2360,共6页
为了研究数模转换器在电离辐射环境中的可靠性,选取12位LC2 MOS工艺的数模转换器作为研究对象,使用60 Coγ射线源对其进行了不同剂量率、不同偏置条件下的总剂量电离辐射效应研究。试验结果表明,LC2 MOS工艺的数模转换器对辐射剂量率非...
为了研究数模转换器在电离辐射环境中的可靠性,选取12位LC2 MOS工艺的数模转换器作为研究对象,使用60 Coγ射线源对其进行了不同剂量率、不同偏置条件下的总剂量电离辐射效应研究。试验结果表明,LC2 MOS工艺的数模转换器对辐射剂量率非常敏感,高剂量率条件下的辐射损伤较低剂量率条件下的更为显著;不同偏置条件下,其辐射损伤程度也有很大不同,正常工作偏置下的数模转换器辐射损伤较非工作偏置的辐射损伤更为明显。
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关键词
电离辐射
数模转换器
剂量率效应
lc2mos
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职称材料
题名
12位LC^2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应
被引量：
1
1
作者
王信
陆妩
郭旗
吴雪
席善斌
邓伟
崔江维
张晋新
机构
中国科学院新疆理化技术研究所
新疆电子信息材料与器件重点实验室
中国科学院大学
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第12期2355-2360,共6页
文摘
为了研究数模转换器在电离辐射环境中的可靠性,选取12位LC2 MOS工艺的数模转换器作为研究对象,使用60 Coγ射线源对其进行了不同剂量率、不同偏置条件下的总剂量电离辐射效应研究。试验结果表明,LC2 MOS工艺的数模转换器对辐射剂量率非常敏感,高剂量率条件下的辐射损伤较低剂量率条件下的更为显著;不同偏置条件下,其辐射损伤程度也有很大不同,正常工作偏置下的数模转换器辐射损伤较非工作偏置的辐射损伤更为明显。
关键词
电离辐射
数模转换器
剂量率效应
lc2mos
Keywords
ionizing radiation
digital-to-analog converter
dose rate effect
LC2 MOS
分类号
TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
12位LC^2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应
王信
陆妩
郭旗
吴雪
席善斌
邓伟
崔江维
张晋新
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
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