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全息光刻制备LC-DFB及光栅刻蚀优化(英文) 被引量:3
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作者 李欢 杨成奥 +5 位作者 谢圣文 黄书山 柴小力 张宇 王金良 牛智川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期140-143,153,共5页
成功制备出室温激射波长为2μm的Ga Sb基侧向耦合分布反馈量子阱激光器.采用全息曝光及电感耦合等离子体刻蚀技术制备二阶布拉格光栅.优化了光栅制备的刻蚀条件,并获得室温2μm单纵模激射.激光器输出光功率超过5 m W,最大边模抑制比达到... 成功制备出室温激射波长为2μm的Ga Sb基侧向耦合分布反馈量子阱激光器.采用全息曝光及电感耦合等离子体刻蚀技术制备二阶布拉格光栅.优化了光栅制备的刻蚀条件,并获得室温2μm单纵模激射.激光器输出光功率超过5 m W,最大边模抑制比达到24 d B. 展开更多
关键词 镓锑基 侧向耦合分布反馈 lc-dfb 全息光刻 二阶布拉格光栅
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锑化物中红外单模半导体激光器研究进展 被引量:3
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作者 杨成奥 谢圣文 +6 位作者 黄书山 袁野 张一 尚金铭 张宇 徐应强 牛智川 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第5期6-13,共8页
锑化物材料因为其天然的禁带宽度较小的优势,是2~4μm波段半导体光电材料和器件研究的理想体系。近年来,国内外在锑化物大功率半导体激光器方面的研究取得了很大的进展,实现了大功率单管、阵列激光器的室温工作。然而,由于锑化物材料与... 锑化物材料因为其天然的禁带宽度较小的优势,是2~4μm波段半导体光电材料和器件研究的理想体系。近年来,国内外在锑化物大功率半导体激光器方面的研究取得了很大的进展,实现了大功率单管、阵列激光器的室温工作。然而,由于锑化物材料与常见的半导体单模激光器制备工艺的不兼容性,只有少数几个研究单位和公司掌握了锑化物单模激光器的制备技术。文中介绍了锑化物单模激光器常用的侧向耦合分布反馈激光器的基本原理,分析了其设计的关键技术,回顾了锑化物单模激光器的设计方案和制备技术,并针对国内外锑化物单模激光器主要研究内容进行了总结。 展开更多
关键词 侧向耦合分布反馈激光器 lc-dfb 量子阱 GASB 二阶布拉格光栅
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2-μm single longitudinal mode GaSb-based laterally coupled distributed feedback laser with regrowth-free shallow-etched gratings by interference lithography 被引量:9
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作者 杨成奥 张宇 +6 位作者 廖永平 邢军亮 魏思航 张立春 徐应强 倪海桥 牛智川 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第2期181-185,共5页
We report a type-I Ga Sb-based laterally coupled distributed-feedback(LC-DFB) laser with shallow-etched gratings operating a continuous wave at room temperature without re-growth process. Second-order Bragg gratings... We report a type-I Ga Sb-based laterally coupled distributed-feedback(LC-DFB) laser with shallow-etched gratings operating a continuous wave at room temperature without re-growth process. Second-order Bragg gratings are fabricated alongside the ridge waveguide by interference lithography. Index-coupled LC-DFB laser with a cavity of 1500 μm achieves single longitudinal mode continuous-wave operation at 20℃ with side mode suppression ratio(SMSR) as high as 24 dB.The maximum single mode continuous-wave output power is about 10 mW at room temperature(uncoated facet). A low threshold current density of 230 A/cm^2 is achieved with differential quantum efficiency estimated to be 93 mW/A. The laser shows a good wavelength stability against drive current and working temperature. 展开更多
关键词 laterally coupled distributed feedback laser lc-dfb interference lithography GASB second-order Bragg grating
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1880nm侧向耦合分布反馈激光器的研究
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作者 李欢 谢圣文 +4 位作者 张宇 柴小力 黄书山 王金良 牛智川 《应用激光》 CSCD 北大核心 2017年第5期727-731,共5页
完成1 880nm高阶锑化镓侧向耦合分布反馈半导体激光器的制备。采用侧向耦合(Lateral coupled)结构使得外延材料可以一次生长完成,避免了外延层中Al组分容易氧化的特性导致的二次外延生长困难的问题,采用接触式紫外光刻技术制备了高阶光... 完成1 880nm高阶锑化镓侧向耦合分布反馈半导体激光器的制备。采用侧向耦合(Lateral coupled)结构使得外延材料可以一次生长完成,避免了外延层中Al组分容易氧化的特性导致的二次外延生长困难的问题,采用接触式紫外光刻技术制备了高阶光栅,大大降低了激光器的制备成本,实现了室温1 880nm单模连续波长激射,最大输出功率14.5mW,波长随温度漂移速率0.000 5nm/mA。 展开更多
关键词 侧向耦合分布反馈激光器 lc-dfb 镓锑基激光器 高阶光栅
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液相色谱-串联质谱法检测猪血浆中除虫脲的方法学研究 被引量:4
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作者 徐玉珍 刘希望 +6 位作者 秦哲 李世宏 白莉霞 范丽萍 魏彦明 李剑勇 杨亚军 《中国畜牧兽医》 CAS 北大核心 2022年第7期2746-2756,共11页
【目的】考察口服灭蝇蛆药除虫脲(diflubenzuron,DFB)预混剂灌服给药后,在猪体内的药代动力学特征,建立猪血浆中除虫脲浓度的液相色谱-串联质谱(LC-MS/MS)检测方法。【方法】以除虫脲-^(13)C_(6)(DFB-^(13)C_(6))为内标,血浆样品经甲醇... 【目的】考察口服灭蝇蛆药除虫脲(diflubenzuron,DFB)预混剂灌服给药后,在猪体内的药代动力学特征,建立猪血浆中除虫脲浓度的液相色谱-串联质谱(LC-MS/MS)检测方法。【方法】以除虫脲-^(13)C_(6)(DFB-^(13)C_(6))为内标,血浆样品经甲醇沉淀蛋白,离心后取上清液减压浓缩至干,甲醇-水(1∶1)复溶后进行分析。色谱柱为ZORBAX Eclipse Plus C18柱;流动相为甲醇-0.1%甲酸水(含5 mmol/L甲酸铵),进行梯度洗脱;流速为0.4 mL/min;柱温为35℃;进样量为10μL。电喷雾离子源,正离子模式,多离子反应监测模式检测,DFB及内标的定量离子对分别为m/z 311.1→158.1和m/z 317.1→158.1。对色谱和质谱条件优化后,考察该方法的专属性、定量下限、基质效应、线性范围、准确度、精密度和样品稳定性等。【结果】所建立的方法灵敏度高,检测限为0.5 ng/mL,定量限为1 ng/mL;基质效应对样品的检测影响较小;标准溶液在1~1000 ng/mL的浓度范围内,线性关系良好(R^(2)≥0.998);在定量下限1 ng/mL及低(2 ng/mL)、中(100 ng/mL)、高浓度(800 ng/mL)的添加水平下,平均准确度在97.78%~115.06%之间,批内、批间变异系数均<10%,符合方法学要求。在考察的条件下,标准溶液、空白血浆加标样品及处理后的样品,稳定性良好;但应避免样品的反复冻融。【结论】建立的LC-MS/MS检测方法简便、专属性强、灵敏度高、准确可靠,可用于猪血浆中除虫脲浓度的检测,进而应用于除虫脲预混剂在猪体内的药代动力学研究。 展开更多
关键词 血浆 除虫脲(DFB) 液相色谱-串联质谱法 内标法
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1.3μm InAs/GaAs量子点侧向耦合浅刻蚀分布反馈激光器
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作者 李齐柱 伏霞 +6 位作者 张子旸 王旭 陈红梅 侯春彩 黄源清 郭春扬 闵嘉华 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期472-483,共12页
为了简化工艺流程和减轻制备难度,提出了1.3μm分布反馈(distributed feedback,DFB)激光器的新型制作方法.该方法采用纯折射率侧向耦合(laterally coupled,LC)结构,将一阶光栅浅刻蚀在脊形波导两侧,避免了激光器材料的二次外延和光栅深... 为了简化工艺流程和减轻制备难度,提出了1.3μm分布反馈(distributed feedback,DFB)激光器的新型制作方法.该方法采用纯折射率侧向耦合(laterally coupled,LC)结构,将一阶光栅浅刻蚀在脊形波导两侧,避免了激光器材料的二次外延和光栅深刻蚀.采用非掺杂和p掺杂两种InAs/GaAs量子点(quantum dot,QD)样品来制备LC-DFB激光器.与采用传统方法制备的DFB激光器相比,非掺杂量子点LC-DFB激光器表现出了低的阈值电流,其值为1.12mA/量子点层;p掺杂量子点LC-DFB激光器表现出了较大的特征温度和斜率效率.在室温下,这种浅刻蚀的LC-DFB激光器实现了单纵模连续输出,边模抑制比(side mode suppression ratio,SMSR)高达51dB.同时,在不同的测试温度和注入电流下,这种激光器表现出了优良的波长稳定性.1.3μm浅刻蚀量子点LC-DFB激光器有望在远距离光纤通信领域实现巨大应用价值. 展开更多
关键词 分布反馈激光器 侧向耦合 浅刻蚀光栅 边模抑制比
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