当前,无线电引信面临严峻的信息型干扰环境,为保证无线电引信在战场上稳定发挥毁伤效能,抗信息型干扰相关技术成为无线电引信抗干扰领域的研究热点。根据引信干扰机先截获后转发干扰的工作流程,着眼于无线电引信的低截获波束设计,并结...当前,无线电引信面临严峻的信息型干扰环境,为保证无线电引信在战场上稳定发挥毁伤效能,抗信息型干扰相关技术成为无线电引信抗干扰领域的研究热点。根据引信干扰机先截获后转发干扰的工作流程,着眼于无线电引信的低截获波束设计,并结合频控阵(Frequency Diverse Array,FDA)-多输入多输出(Multiple-Input Multiple-Output,MIMO)技术独特的S形弯曲阵列方向图,探索基于FDA-MIMO的无线电引信低截获点状波束设计方法。在分析FDA-MIMO的波束函数后,聚焦于阵元频偏设置对波束合成的影响这一关键点。通过将波峰点与功率下降点设置在较近距离范围Δr内,实现在波峰点附近以Δr为半径的较小邻域内波束幅值较大,而在其他范围波束幅值快速下降的目标,进而运用波束函数解算出各阵元频偏,得到以阵元频偏设置公式为核心的低截获点状波束设计方法。仿真结果表明:在低截获点状波束设计方法的指导下,FDA-MIMO波束在距离维半功率波束宽度为1 m和角度维半功率波束宽度为9°,波束汇聚性能和低截获性能明显好于其他经典频偏设置方法;该设计方法为基于FDA-MIMO的无线电引信低截获波束设计提供了理论支撑,可以提高无线电引信的低截获性能,更好的发挥战场毁伤效能。展开更多
提出了一种基于双交叉耦合电容反馈技术的CMOS共栅低噪声放大器(LNA)。第一个反馈环路利用交叉耦合技术以提高电路跨导;另一个反馈环路在晶体管的源漏两级之间采用交叉耦合共栅技术实现电压电流反馈。提出的LNA在低功耗的前提下取得了...提出了一种基于双交叉耦合电容反馈技术的CMOS共栅低噪声放大器(LNA)。第一个反馈环路利用交叉耦合技术以提高电路跨导;另一个反馈环路在晶体管的源漏两级之间采用交叉耦合共栅技术实现电压电流反馈。提出的LNA在低功耗的前提下取得了优越的性能,基于0.18μm CMOS工艺,对该LNA流片实现并测试。测试结果表明LNA芯片在2.4 GHz频率下的增益为18 d B,噪声系数为2.02 d B,输入三阶截止点IIP3为8.3 d Bm,输入匹配参数S11和输出匹配参数S22均低于-10 d B,在1.1 V电压供电下功耗为2.5 m W。展开更多
高线性度混频器是大动态接收系统的关键器件,其线性度的提高有利于扩展接收系统动态范围。通过对二极管混频器的非线性分析,从理论上推导出增加二极管数量可以提高混频器线性度。基于理论分析结果,采用Ga As p HEMT工艺,设计了一款高线...高线性度混频器是大动态接收系统的关键器件,其线性度的提高有利于扩展接收系统动态范围。通过对二极管混频器的非线性分析,从理论上推导出增加二极管数量可以提高混频器线性度。基于理论分析结果,采用Ga As p HEMT工艺,设计了一款高线性度双平衡混频器,射频频率0.03~3 GHz,对应本振频率3.95~6.92 GHz,中频输出频率3.92 GHz,输入三阶截点大于25 d Bm,本振到中频、本振到射频的隔离度均大于37 d B,单片面积1.5 mm×1.1 mm。展开更多
文摘当前,无线电引信面临严峻的信息型干扰环境,为保证无线电引信在战场上稳定发挥毁伤效能,抗信息型干扰相关技术成为无线电引信抗干扰领域的研究热点。根据引信干扰机先截获后转发干扰的工作流程,着眼于无线电引信的低截获波束设计,并结合频控阵(Frequency Diverse Array,FDA)-多输入多输出(Multiple-Input Multiple-Output,MIMO)技术独特的S形弯曲阵列方向图,探索基于FDA-MIMO的无线电引信低截获点状波束设计方法。在分析FDA-MIMO的波束函数后,聚焦于阵元频偏设置对波束合成的影响这一关键点。通过将波峰点与功率下降点设置在较近距离范围Δr内,实现在波峰点附近以Δr为半径的较小邻域内波束幅值较大,而在其他范围波束幅值快速下降的目标,进而运用波束函数解算出各阵元频偏,得到以阵元频偏设置公式为核心的低截获点状波束设计方法。仿真结果表明:在低截获点状波束设计方法的指导下,FDA-MIMO波束在距离维半功率波束宽度为1 m和角度维半功率波束宽度为9°,波束汇聚性能和低截获性能明显好于其他经典频偏设置方法;该设计方法为基于FDA-MIMO的无线电引信低截获波束设计提供了理论支撑,可以提高无线电引信的低截获性能,更好的发挥战场毁伤效能。
文摘提出了一种基于双交叉耦合电容反馈技术的CMOS共栅低噪声放大器(LNA)。第一个反馈环路利用交叉耦合技术以提高电路跨导;另一个反馈环路在晶体管的源漏两级之间采用交叉耦合共栅技术实现电压电流反馈。提出的LNA在低功耗的前提下取得了优越的性能,基于0.18μm CMOS工艺,对该LNA流片实现并测试。测试结果表明LNA芯片在2.4 GHz频率下的增益为18 d B,噪声系数为2.02 d B,输入三阶截止点IIP3为8.3 d Bm,输入匹配参数S11和输出匹配参数S22均低于-10 d B,在1.1 V电压供电下功耗为2.5 m W。
文摘高线性度混频器是大动态接收系统的关键器件,其线性度的提高有利于扩展接收系统动态范围。通过对二极管混频器的非线性分析,从理论上推导出增加二极管数量可以提高混频器线性度。基于理论分析结果,采用Ga As p HEMT工艺,设计了一款高线性度双平衡混频器,射频频率0.03~3 GHz,对应本振频率3.95~6.92 GHz,中频输出频率3.92 GHz,输入三阶截点大于25 d Bm,本振到中频、本振到射频的隔离度均大于37 d B,单片面积1.5 mm×1.1 mm。
