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Computer Simulation of Compensation Method for Infrared Focal Plane Array
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作者 康长赓 《Journal of Beijing Institute of Technology》 EI CAS 2000年第3期330-334,共5页
A major motivation for this work is to investigate a method of computer simulation for compensating fixed pattern noise of the infrared focal plane arrays. A mathematical model of the output signal of focal plane arra... A major motivation for this work is to investigate a method of computer simulation for compensating fixed pattern noise of the infrared focal plane arrays. A mathematical model of the output signal of focal plane array was established; a compensating algorithm utilizing reference source was derived and simulating programs were designed. The images of compensating process verify the influence of nonuniformity of responsibility and offset on fixed pattern noise. The result show that simulating method of investigating compensation technology for focal plane arrays is feasible, the generated images and methods can be used to the study of image recognition. 展开更多
关键词 computer simulation mathematical model infrared focal plane array fixed pattern noise NONUNIFORMITY COMPENSATION
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Very long wavelength infrared focal plane arrays with 50% cutoff wavelength based on type-Ⅱ In As/GaSb superlattice 被引量:3
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作者 Xi Han Wei Xiang +5 位作者 Hong-Yue Hao Dong-Wei Jiang Yao-Yao Sun Guo-Wei Wang Ying-Qiang Xu Zhi-Chuan Niu 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第1期563-567,共5页
A very long wavelength infrared(VLWIR) focal plane array based on In As/Ga Sb type-Ⅱ super-lattices is demonstrated on a Ga Sb substrate. A hetero-structure photodiode was grown with a 50% cut-off wavelength of 15... A very long wavelength infrared(VLWIR) focal plane array based on In As/Ga Sb type-Ⅱ super-lattices is demonstrated on a Ga Sb substrate. A hetero-structure photodiode was grown with a 50% cut-off wavelength of 15.2 μm, at 77 K.A 320×256 VLWIR focal plane array with this design was fabricated and characterized. The peak quantum efficiency without an antireflective coating was 25.74% at the reverse bias voltage of-20 mV, yielding a peak specific detectivity of 5.89×10^10cm·Hz^1/2·W^-1. The operability and the uniformity of response were 89% and 83.17%. The noise-equivalent temperature difference at 65 K exhibited a minimum at 21.4 mK, corresponding to an average value of 56.3 mK. 展开更多
关键词 very long wavelength infrared type-Ⅱ InAs/GaSb super-lattices(T2SLs) focal plane array
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Testing System Based on Virtual Instrument for Readout Circuit of Infrared Focal Plane Array
3
作者 XUE Lian MENG Li-ya YUAN Xiang-hui 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2008年第2期102-106,114,共6页
Readout integrated circuit(ROIC) is one of the most important components for hybrid-integrated infrared focal plane array(IRFPA). And it should be tested to ensure the product yield before bonding. This paper presents... Readout integrated circuit(ROIC) is one of the most important components for hybrid-integrated infrared focal plane array(IRFPA). And it should be tested to ensure the product yield before bonding. This paper presents an on-wafer testing system based on Labview for ROIC of IRFPA. The quantitative measurement can be conducted after determining whether there is row crosstalk or not in this system. This low-cost system has the benefits of easy expansion, upgrading, and flexibility, and it has been employed in the testing of several kinds of IRFPA ROICs to measure the parameters of saturated output voltage, non-uniformity, dark noise and dynamic range, etc. 展开更多
关键词 virtual instrument infrared focal plane array ROIC TESTING
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Thermal and mechanical characterizations of a substrate-free focal plane array
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作者 程腾 张青川 +4 位作者 陈大鹏 史海涛 高杰 钱剑 伍小平 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第1期222-233,共12页
We propose a substrate-free focal plane array (FPA) and the microcantilevers extend from a supporting frame. in this paper. The solid substrate is completely removed, Using finite element analysis, the thermal and m... We propose a substrate-free focal plane array (FPA) and the microcantilevers extend from a supporting frame. in this paper. The solid substrate is completely removed, Using finite element analysis, the thermal and mechanical characterizations of the substrate-free FPA are presented. Because of the large decrease in thermal conductance, the supporting frame is temperature dependent, which brings out a unique feature: the lower the thermal conductance of the supporting frame is, the higher the energy conversion efficiency in the substrate-free FPA will be. The results from the finite element analyses are consistent with our measurements: two types of substrate-free FPAs with pixel sizes of 200×200 and 60×60 um^2 are implemented in the proposed infrared detector. The noise equivalent temperature difference (NETD) values are experimentally measured to be 520 and 300 mK respectively. Further refinements are considered in various aspects, and the substrate-free FPA with a pixel size of 30×30 um^2 has a potential of achieving an NETD value of 10 mK. 展开更多
关键词 focal plane array infrared detectors substrate-free UNCOOLED
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A monolithic integrated medium wave Mercury Cadmium Telluride polarimetric focal plane array
5
作者 CHEN Ze-Ji HUANG You-Wen +4 位作者 PU En-Xiang XIAO Hui-Shan XU Shi-Chun QIN Qiang KONG Jin-Cheng 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期479-489,共11页
A medium wave(MW)640×512(25μm)Mercury Cadmium Telluride(HgCdTe)polarimetric focal plane array(FPA)was demonstrated.The micro-polarizer array(MPA)has been carefully designed in terms of line grating structure opt... A medium wave(MW)640×512(25μm)Mercury Cadmium Telluride(HgCdTe)polarimetric focal plane array(FPA)was demonstrated.The micro-polarizer array(MPA)has been carefully designed in terms of line grating structure optimization and crosstalk suppression.A monolithic fabrication process with low damage was explored,which was verified to be compatible well with HgCdTe devices.After monolithic integration of MPA,NETD<9.5 mK was still maintained.Furthermore,to figure out the underlying mechanism that dominat⁃ed the extinction ratio(ER),specialized MPA layouts were designed,and the crosstalk was experimentally vali⁃dated as the major source that impacted ER.By expanding opaque regions at pixel edges to 4μm,crosstalk rates from adjacent pixels could be effectively reduced to approximately 2%,and promising ERs ranging from 17.32 to 27.41 were implemented. 展开更多
关键词 infrared physics infrared polarimetric focal plane array monolithic integration Mercury Cadmium Telluride extinction ratio
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Growth and fabrication of a mid-wavelength infrared focal plane array based on type-II InAs/GaSb superlattices 被引量:2
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作者 王国伟 向伟 +8 位作者 徐应强 张亮 彭振宇 吕衍秋 司俊杰 王娟 邢军亮 任正伟 牛智川 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第11期74-78,共5页
We present the fabrication of a mid-wavelength infrared focal plane array (FPA) based on type-II InAs/GaSb strain layer superlattices (SLs). The detectors contain a 400-period 8 ML InAs/8 ML GaSb SL active layer, ... We present the fabrication of a mid-wavelength infrared focal plane array (FPA) based on type-II InAs/GaSb strain layer superlattices (SLs). The detectors contain a 400-period 8 ML InAs/8 ML GaSb SL active layer, which is grown by solid source molecular beam epitaxy on GaSb (100) N type substrates. Lattice mismatch between the superlattices and GaSb substrate achieves 148.9 ppm. The full width at half maximum of the first or- der satellite peak from X-ray diffraction was 28 arcsec. Single element detectors and FPA with a 128 x 128 pixels were fabricated using citric acid based solution wet chemical etching. Chemical and physical passivation effectively reduces the surface leakage and this process was characterized by I-V measurement. The devices showed a 50% cut-off wavelength of 4.73 μm at 77 K. The photodiode exhibited an RoA of 103 f2. cm2. The FPA was characterized with an integration time of 0.5 ms and F/2.0 optics at 77 K and the average blackbody detectivity of the detectors is 2.01 × 10^9 cm.Hz^1/2/W. 展开更多
关键词 SUPERLATTICES GASB focal plane array infrared detector
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Progress in quantum well and quantum cascade infrared photodetectors in SITP 被引量:1
7
作者 Xiaohao Zhou Ning Li Wei Lu 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第2期39-48,共10页
This paper presents a review of recent advances in quantum well and quantum cascade infrared photodetectors developed in Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences(SITP/CAS). Firstly, the tem... This paper presents a review of recent advances in quantum well and quantum cascade infrared photodetectors developed in Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences(SITP/CAS). Firstly, the temperature-and bias-dependent photocurrent spectra of very long wavelength(VLW) GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors(QWIPs) are studied using spectroscopic measurements and corresponding theoretical calculations in detail. We confirm that the first excited state, which belongs to the quasi-bound state, can be converted into a quasi-continuum state induced by bias and temperature. Aided by band structure calculations, we propose a model of the double excited states that determine the working mechanism in VLW QWIPs. Secondly, we present an overview of a VLW QWIP focal plane array(FPA)with 320×256 pixels based on the bound to quasi-bound(BTQB) design. The technology of the manufacturing FPA based on the QWIP structures has been demonstrated. At the operating temperature of 45 K, the detectivity of QWIP FPA is larger than 1.4×10^(10) cm·Hz^(1/2)/W with a cutoff wavelength larger than 16 μm. Finally, to meet the needs of space applications, we proposed a new long wavelength quantum cascade detector with a broadband detection ranging from 7.6 μm to 10.4 μm. With a pair of identical coupled quantum wells separated by a thin barrier, acting as absorption regions, the relative linewidth(?E/E) of response can be dramatically broadened to 30.7%. It is shown that the spectral shape and linewidth can be tuned by the thickness of the thin barrier, while it is insensitive to the working temperature. The device can work above liquid nitrogen temperature with a peak responsivity of 63 mA/W and Johnson noise limited detectivity of 5.1×10~9 cm·Hz^(1/2)/W. 展开更多
关键词 infrared PHOTODETECTORS quantum well focal plane array DETECTIVITY broadband response
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A substrate-free optical readout focal plane array with a heat sink structure 被引量:1
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作者 刘瑞文 孔延梅 +6 位作者 焦斌斌 李志刚 尚海平 卢狄克 高超群 陈大鹏 张青川 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第2期46-51,共6页
A substrate-ffee optical readout focal plane array (FPA) operating in 8-12 um with a heat sink structure (HSS) was fabricated and its performance was tested. The temperature distribution of the FPA with an HSS inv... A substrate-ffee optical readout focal plane array (FPA) operating in 8-12 um with a heat sink structure (HSS) was fabricated and its performance was tested. The temperature distribution of the FPA with an HSS investigated by using a commercial FLIR IR camera shows excellent uniformity. The thermal cross-talk effect existing in traditional substrate-free FPAs was eliminated effectively. The heat sink is fabricated successfully by electroplating copper, which provides high thermal capacity and high thermal conductivity, on the frame of substrate-free FPA. The FPA was tested in the optical-readout system, the results show that the response and NETD are 13.6 grey/K (F / # = 0.8) and 588 inK, respectively. 展开更多
关键词 infrared focal plane array substrate-free optical readout heat sink structure
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红外焦平面阵列盲元检测技术研究 被引量:17
9
作者 赖睿 刘上乾 +1 位作者 周慧鑫 申建华 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期199-201,共3页
盲元的数量及其分布对红外焦平面阵列器件成像质量的影响较大。在给出盲元定义的基础上,对盲元的各种产生机理进行了分析,并给出了具体的盲元检测方法,为盲元补偿技术的研究提供了理论基础。
关键词 红外焦平面阵列 盲元 红外成像 红外技术
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红外焦平面阵列器件非均匀性分析 被引量:7
10
作者 周慧鑫 程玉宝 +1 位作者 刘上乾 王炳健 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期406-408,共3页
 红外焦平面阵列固有的非均匀性严重地制约着其成像系统的成像质量,必须对其进行补偿校正。在深入地研究了非均匀性的各种来源及其表现形式的基础上,论述了校正原理,并提出了一种普遍适用的测量方法。
关键词 红外焦平面阵列 非均匀性 产生机理 校正原理
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焦平面编码高分辨率红外成像方法 被引量:7
11
作者 肖龙龙 刘昆 +1 位作者 韩大鹏 刘吉英 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第11期2065-2070,共6页
红外成像系统由于探测器加工工艺的限制,很难通过减小像元尺寸或增加阵元数量的方式实现高分辨率成像。压缩感知理论提供了一种新的提高成像分辨率的方法,在光学系统的焦平面处放置编码掩膜,使得红外探测器得到的图像是被观测场景的压... 红外成像系统由于探测器加工工艺的限制,很难通过减小像元尺寸或增加阵元数量的方式实现高分辨率成像。压缩感知理论提供了一种新的提高成像分辨率的方法,在光学系统的焦平面处放置编码掩膜,使得红外探测器得到的图像是被观测场景的压缩采样,再通过稀疏优化算法重构出原始图像。决定图像分辨率的不是探测器的像素尺寸,而是编码掩膜的孔径大小。在此框架下,设计了合适的光学编码掩膜子阵,利用多路技术实现了对同一场景的多次压缩采样,采用了线性Bregman迭代思想进行重构算法的设计,解决了二维成像大规模重构算法的求解速度和精度问题。数值仿真表明,该方法在保证图像重构质量的前提下可显著提高红外成像的分辨率。 展开更多
关键词 压缩感知 焦平面编码 红外成像分辨率 多路技术 线性Bregman迭代
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基于CMOS工艺钨微测辐射热计阵列集成芯片的设计与制作 被引量:2
12
作者 申宁 余隽 唐祯安 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期725-729,共5页
采用0.5μm标准CMOS工艺和微机械加工工艺,设计并制作了低成本4×4钨微测辐射热计阵列集成芯片。阵列中每个钨微测辐射热计均由微悬桥结构和钨热敏电阻组成,CMOS读出电路集成在阵列下方。微悬桥结构由表面牺牲层技术实现,不需要任... 采用0.5μm标准CMOS工艺和微机械加工工艺,设计并制作了低成本4×4钨微测辐射热计阵列集成芯片。阵列中每个钨微测辐射热计均由微悬桥结构和钨热敏电阻组成,CMOS读出电路集成在阵列下方。微悬桥结构由表面牺牲层技术实现,不需要任何的光刻工艺。钨微测辐射热计像元尺寸为100μm×100μm,填充因子为20%。测试结果表明,在真空环境下,钨微测辐射热计等效热导为1.31×10-4W/K,等效热容为1.74×10-7J/K,热时间常数为1.33 ms。当红外光源的斩波频率为10 Hz时,钨微测辐射热计的电压响应率为1.91×103V/W,探测率为1.88×107cm·Hz1/2/W。 展开更多
关键词 CMOS红外探测器 钨微测辐射热计 表面牺牲层技术 低成本红外探测器 红外焦平面阵列
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潜望式红外夜视瞄准镜的研制 被引量:2
13
作者 胡清平 孔小建 《红外技术》 CSCD 北大核心 2008年第5期283-285,288,共4页
介绍了潜望式红外夜视瞄准系统的工作原理和研制方案。该系统兼具了潜望瞄准镜和红外热像仪的功能。从探测器外围电路、信号处理系统、潜望式红外光学系统的设计以及移动焦平面整体电动调焦技术等几个方面分析了潜望式红外夜视瞄准系统... 介绍了潜望式红外夜视瞄准系统的工作原理和研制方案。该系统兼具了潜望瞄准镜和红外热像仪的功能。从探测器外围电路、信号处理系统、潜望式红外光学系统的设计以及移动焦平面整体电动调焦技术等几个方面分析了潜望式红外夜视瞄准系统研制过程中存在的关键技术。最后对基于此方案所研制出的海军红外夜视瞄准镜应用情况做了简要报告。 展开更多
关键词 潜望式红外光学系统 非制冷红外焦平面探测器 移动焦平面调焦技术
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红外焦平面硅基通孔加工及电极互连技术 被引量:1
14
作者 范茂彦 姜胜林 张丽芳 《电子技术应用》 北大核心 2011年第3期86-90,共5页
通过硅通孔技术实现红外焦平面电极垂直互连,提高像元占空比,缩短了互连引线长度,降低了信号延迟。用单晶硅湿法刻蚀方法形成通孔,利用直写技术将耐高温Ag-Pd导体浆料填充通孔,实现红外焦平面阵列底电极与硅基片背面倒装焊凸点互连。
关键词 红外焦平面 硅通孔 倒装焊 垂直互连 直写技术
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非致冷测辐射热计红外焦平面阵列 被引量:2
15
作者 李尚俊 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期73-76,共4页
非致冷测辐射热计以其高性能和低价格 ,成为红外热成像技术新的研究热点。焦平面设计为桥式结构 ,器件制作采用微机械加工技术。文章介绍了该器件的设计、制作、性能和应用。
关键词 测辐射热计 红外焦平面阵列 微机械加工 非致冷
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非制冷红外焦平面阵列进展 被引量:4
16
作者 何伟 焦斌斌 +3 位作者 薛惠琼 欧毅 陈大鹏 叶甜春 《电子工业专用设备》 2008年第5期18-23,39,共7页
非制冷红外成像技术已广泛应用于军事和民用领域,一直是人们关注的焦点之一,其核心部件是非制冷红外焦平面阵列(IRFPA:Infrared Focal Plane Array)。综述了几种具有代表性的非制冷IRFPA的探测原理、发展历史和现状。它们是:热敏电阻型... 非制冷红外成像技术已广泛应用于军事和民用领域,一直是人们关注的焦点之一,其核心部件是非制冷红外焦平面阵列(IRFPA:Infrared Focal Plane Array)。综述了几种具有代表性的非制冷IRFPA的探测原理、发展历史和现状。它们是:热敏电阻型、热释电型、热电堆型、二极管型、热-电容型非制冷IRFPA和应用光力学效应的非制冷IRFPA、基于法布里-珀罗微腔阵列的非制冷IRFPA。 展开更多
关键词 投非制冷红外成像技术 非制冷红外焦平面阵列 热敏电阻 热释电 热电堆 热-电容 光力学 法布里-珀罗微腔阵列
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红外焦平面成像技术的军事应用与发展 被引量:4
17
作者 石永山 《舰船电子工程》 2009年第10期21-24,39,共5页
国外红外焦平面成像技术在现代战争中发挥着越来越重要的作用。文章介绍了红外焦平面成像技术的发展历程以及装备的研制、改进情况,指出了在现代战争中发展红外焦平面成像技术的优势和重要性,重点探讨了几种红外焦平面成像技术的性能及... 国外红外焦平面成像技术在现代战争中发挥着越来越重要的作用。文章介绍了红外焦平面成像技术的发展历程以及装备的研制、改进情况,指出了在现代战争中发展红外焦平面成像技术的优势和重要性,重点探讨了几种红外焦平面成像技术的性能及其特点,最后论述了红外焦平面成像技术的发展动向与分析。 展开更多
关键词 红外焦平面 成像技术 发展趋势
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飞速发展的世界红外热摄像仪技术及其市场 被引量:4
18
作者 孙志君 《电子与封装》 2005年第1期36-45,共10页
本文介绍了红外焦平面阵列器件技术发展状况以及各种红外焦平面阵列热摄像仪技术发展及 其市场状况。
关键词 红外热摄像仪 红外焦平面阵列 非致冷 技术 市场
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混成式热释电非制冷红外焦平面探测器技术
19
作者 刘黎明 杨培志 +1 位作者 杨瑞宇 莫镜辉 《光学与光电技术》 2009年第3期85-88,共4页
介绍了混成式热释电焦平面探测器的基本结构和主要制备工艺流程以及国内外研究现状。混成式热释电焦平面探测器的关键制备技术主要包括热释电材料的优选与减薄技术,铟柱倒装焊混成技术、热隔离技术和读出集成电路技术等。指出了混成式... 介绍了混成式热释电焦平面探测器的基本结构和主要制备工艺流程以及国内外研究现状。混成式热释电焦平面探测器的关键制备技术主要包括热释电材料的优选与减薄技术,铟柱倒装焊混成技术、热隔离技术和读出集成电路技术等。指出了混成式热释电焦平面探测器的发展趋势。 展开更多
关键词 红外探测器 热释电 非制冷焦平面探测器 混成式技术 单片式技术
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制冷焦平面高动态范围热成像非均匀校正系数与积分时间的关系 被引量:2
20
作者 顿雄 范永杰 +1 位作者 金伟其 王霞 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期839-845,共7页
变积分时间是实现高动态范围(HDR)热成像的最有效手段,但积分时间的变化会使得系统的残留非均匀性噪声也发生变化。从红外系统响应模型出发,推导了两点非均匀校正(NUC)法的增益和偏置校正参数与积分时间的关系,结果表明:增益校正参数与... 变积分时间是实现高动态范围(HDR)热成像的最有效手段,但积分时间的变化会使得系统的残留非均匀性噪声也发生变化。从红外系统响应模型出发,推导了两点非均匀校正(NUC)法的增益和偏置校正参数与积分时间的关系,结果表明:增益校正参数与积分时间无关,只有偏置校正参数与积分时间有关;并通过实际热成像系统的测试对比实验,证明了上述结论的正确性。研究结果为变积分时间的HDR热成像系统的NUC提供了合理、可行的校正依据,可极大的简化变积分时间的HDR热成像系统NUC处理过程。 展开更多
关键词 兵器科学与技术 制冷红外焦平面阵列 非均匀校正 两点非均匀校正 校正参数 积分时间 高动态范围
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