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一种检测薄膜型InSb-In磁阻元件灵敏度的便捷方法
1
作者 颜健毅 黄钊洪 《传感器世界》 2006年第2期25-28,共4页
本文设计了一种检测方法,它提拱精确可控制、且在一定的条件下磁感应强度的大小是稳定的磁场,同时设计了一种低噪声的放大电路对磁阻元件的输出进行测量。利用这个装置,可以精确地测量薄膜式InSb-In磁阻元件的灵敏度。本文检测并讨论了... 本文设计了一种检测方法,它提拱精确可控制、且在一定的条件下磁感应强度的大小是稳定的磁场,同时设计了一种低噪声的放大电路对磁阻元件的输出进行测量。利用这个装置,可以精确地测量薄膜式InSb-In磁阻元件的灵敏度。本文检测并讨论了磁阻式Insb-In磁阻元件在一定的磁偏置的条件下,外加磁感应强度B与磁阻元件的电阻值的变化率间的关系,从而提出了一种精确、便捷的薄膜型InSb-In磁阻元件的测量方法。 展开更多
关键词 薄膜磁阻元件 insb-in 灵敏度 检测 均匀磁场 磁感应强度
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CCl_2F_2等离子体干法刻蚀InSb-In薄膜的研究 被引量：1
2
作者 赵智昊 陈俊芳 +2 位作者 黄钊洪 吴先球 熊予莹 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2003年第4期8-10,共3页
用朗缪尔探针诊断了反应室内的等离子体密度,研究了CCl2F2等离子体对InSb In薄膜的刻蚀,结果表明该实验装置能够产生高密度等离子体,在刻蚀样品表面等离子体密度达到6.7170×1010cm-3,CCl2F2等离子体能有效地对InSb In薄膜进行刻蚀。
关键词 等离子体 干法刻蚀 锑化铟-铟薄膜 CCl2F2 insb-in薄膜 磁传感器
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温度控制装置中的InSb-In磁敏电阻
3
作者 刘冰 黄钊洪 孔令涛 《微纳电子技术》 CAS 2008年第12期734-737,共4页
研究了InSb-In共晶体薄膜磁敏电阻(MR)的温度特性,并把这种磁敏电阻应用到温度控制领域,设计了一种基于InSb-In磁敏电阻的温度控制器,由InSb-In磁敏电阻温度采集电路、信号处理电路和控制执行电路三部分组成。实验结果表明,InSb-In磁敏... 研究了InSb-In共晶体薄膜磁敏电阻(MR)的温度特性,并把这种磁敏电阻应用到温度控制领域,设计了一种基于InSb-In磁敏电阻的温度控制器,由InSb-In磁敏电阻温度采集电路、信号处理电路和控制执行电路三部分组成。实验结果表明,InSb-In磁敏电阻材料同其他温敏元件材料一样,具有很好的温度特性,其温度特性与热敏电阻NTC极为相近;用InSb-In磁敏电阻材料制作的温控器具有灵敏度高、控温范围宽的优点,在低温区其灵敏度可以高于30mV/℃,常温下也可达到23mV/℃左右。同时它还具有稳定性强、可靠性好、受环境因素影响小、结构简单紧凑、价格低廉、对材料要求低等诸多优点,是一种值得推广应用的新型材料温度开关。 展开更多
关键词 insb-in共晶体薄膜 磁敏电阻 温度特性 温控器 灵敏度
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一种新型材料的温度控制器的设计
4
作者 刘冰 黄钊洪 孔令涛 《传感器世界》 2008年第9期35-37,共3页
本文设计一种用锑化铟-铟—铟(InSb-In)共晶体薄膜磁敏电阻(MR)制成的双限温控器。实验表明,用InSb-In磁敏电阻作感温磁头设计的此温控器,具有灵敏度高,控温范围宽的优点,实验证明在低温区其灵敏度可以高达30mV/℃以上,常温下也可达到23... 本文设计一种用锑化铟-铟—铟(InSb-In)共晶体薄膜磁敏电阻(MR)制成的双限温控器。实验表明,用InSb-In磁敏电阻作感温磁头设计的此温控器,具有灵敏度高,控温范围宽的优点,实验证明在低温区其灵敏度可以高达30mV/℃以上,常温下也可达到23mV/℃左右;其上下限温度调整范围可以从-40℃到+120℃之间;测温精度可达到±0.1℃。;另外它还具有性能稳定和对材料要求低等诸多优点,是一种值得推广应用的新型材料温度开关。 展开更多
关键词 insb-in 共晶体薄膜 磁敏电阻 双限温控器
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