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外场对InPBi量子阱中激子结合能的影响 被引量:2
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作者 陈丽 王海龙 +3 位作者 陈莎 李正 李士玲 龚谦 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期117-122,共6页
在有效质量近似下运用变分法计算了InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱中的激子结合能随阱宽、Al组分、Bi组分的变化情况,分析了外加电场和磁场对激子结合能的影响。结果表明:激子结合能随阱宽增大呈现先增大后减小的趋势;随Al、Bi组分的增大,... 在有效质量近似下运用变分法计算了InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱中的激子结合能随阱宽、Al组分、Bi组分的变化情况,分析了外加电场和磁场对激子结合能的影响。结果表明:激子结合能随阱宽增大呈现先增大后减小的趋势;随Al、Bi组分的增大,激子结合能也逐渐增大;外加电场较小时对激子结合能的影响很小,外加电场较大时破坏了激子效应;激子结合能随外加磁场增大呈现单调增大的趋势。计算结果对InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱在光电子器件方面的应用有一定指导意义。 展开更多
关键词 光电子学 激子结合能 变分法 InAlAs/inpbi/InAlAs量子阱 电场 磁场
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气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心
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作者 王海龙 韦志禄 +7 位作者 李耀耀 王凯 潘文武 吴晓燕 岳丽 李士玲 龚谦 王庶民 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期1532-1537,共6页
利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10^(-15)cm^2。在未有意掺杂的InP... 利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10^(-15)cm^2。在未有意掺杂的InP0.9751Bi0.0249中测量到一个少数载流子深能级中心H1,H1的能级位置为Ev+0.31 eV,俘获截面为2.87×10^(-17)cm^2。深中心E1应该起源于本征反位缺陷PIn,深中心H1可能来源于形成的Bi原子对或者更复杂的与Bi相关的团簇。明确这些缺陷的起源对于InPBi材料在器件应用方面具有重要的意义。 展开更多
关键词 inpbi 深中心 深能级瞬态谱(DLTS) 气源分子束外延(GSMBE)
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InPBi禁带下红外光致发光效率的Bi组分依赖研究
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作者 杨自力 王嫚 +3 位作者 余灯广 朱亮清 邵军 陈熙仁 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CSCD 北大核心 2023年第6期731-736,共6页
稀Bi半导体InPBi的光致发光(Photoluminescence,PL)主要来自缺陷能级跃迁过程,具有红外长波长、大线宽和高辐射强度等特点,因而引发广泛兴趣。针对InPBi的红外发光效率问题,本文研究了不同Bi组分InPBi的激发功率依赖红外PL光谱演化规律... 稀Bi半导体InPBi的光致发光(Photoluminescence,PL)主要来自缺陷能级跃迁过程,具有红外长波长、大线宽和高辐射强度等特点,因而引发广泛兴趣。针对InPBi的红外发光效率问题,本文研究了不同Bi组分InPBi的激发功率依赖红外PL光谱演化规律。实验发现,随着Bi组分增大,PL线型发生显著变化,导致发光波长总体红移;同时激发功率依赖的PL积分强度演化分析表明,发光效率随Bi组分先增大然后下降,在0.5%组分时发光效率达到峰值。发光效率增大一方面归因于Bi捕获空穴降低非辐射复合,另一方面来自Bi的表面活性剂效应;而高Bi组分引入过多缺陷从而抑制了Bi的优势,导致发光效率下降。这些结果或有助于理解InPBi的红外发射性能,表明InPBi具有红外光电子应用前景。 展开更多
关键词 变激发功率 inpbi 光致发光效率
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Bismuth-content-dependent polarized Raman spectrum of InPBi alloy 被引量:1
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作者 魏冠男 谭青海 +8 位作者 戴兴 冯琦 骆文刚 盛宇 王凯 潘文武 张立瑶 王庶民 王开友 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第6期53-58,共6页
We systematically investigate the optical properties of the InP1-xBix ternary alloys with 0≤x≤2.46%,by using high resolution polarized Raman scattering measurement.Both InP-like and InBi-like optical vibration modes... We systematically investigate the optical properties of the InP1-xBix ternary alloys with 0≤x≤2.46%,by using high resolution polarized Raman scattering measurement.Both InP-like and InBi-like optical vibration modes(LO) are identified in all the samples,suggesting that most of the Bi-atoms are incorporated into the lattice sites to substitute Patoms.And the intensity of the InBi-like Raman mode is positively proportional to the Bi-content.Linear red-shift of the InP-like longitudinal optical vibration mode is observed to be 1.1 cm-1/Bi%,while that of the InP-like optical vibration overtone(2LO) is nearly doubled.In addition,through comparing the(XX) and Z(XY) Raman spectra,longitudinaloptical-plasmon-coupled(LOPC) modes are identified in all the samples,and their intensities are found to be proportional to the electron concentrations. 展开更多
关键词 inpbi Raman spectra RED-SHIFT LOPC modes
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InPBi薄膜材料的结构性能和光学性能研究
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作者 张立瑶 姚爽 +3 位作者 喻鹏 冯铎 代金梦 曹有祥 《半导体光电》 CAS 北大核心 2022年第5期898-902,共5页
室温下,InPBi表现出强而宽的光致发光光谱,其宽光谱特性来自于材料中的PIn反位深能级和与Bi相关的深能级。该特性使得InPBi有希望应用于制备光学相干层析扫描系统中的超辐射光源。文章利用透射电子显微镜和三维原子探针研究了InPBi薄膜... 室温下,InPBi表现出强而宽的光致发光光谱,其宽光谱特性来自于材料中的PIn反位深能级和与Bi相关的深能级。该特性使得InPBi有希望应用于制备光学相干层析扫描系统中的超辐射光源。文章利用透射电子显微镜和三维原子探针研究了InPBi薄膜材料的结构性能,发现Bi原子在InPBi薄膜中的分布极不均匀,在InPBi/InP界面出现了Bi的富集区,从该区域沿[001]方向出现了Bi的纳米面,此纳米面位于(110)平面上。这种Bi原子的富集分布阻碍了PIn反位参与的载流子复合过程,对InPBi的光学性能有显著的影响。研究结果可为制造光学相干层析扫描系统的超辐射发光二极管提供一定的理论基础。 展开更多
关键词 铟磷铋 透射电子显微镜 三维原子探针 光致发光谱
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