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微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用
1
作者
吴小利
张可峰
+3 位作者
唐恒敬
韩冰
李雪
龚海梅
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第B09期951-953,共3页
微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段,本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中In-CaAs样品的少子寿命分布,结果表明,离子刻蚀使得样品少子寿命降低,非...
微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段,本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中In-CaAs样品的少子寿命分布,结果表明,离子刻蚀使得样品少子寿命降低,非均匀性增大,而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤,损伤区域中心的少子寿命增大,寿命分布也更加均匀,硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命,却使寿命分布均匀性变差。可见,微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布,对工艺改进具有重要的指导意义。
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关键词
微波反射光电导衰退法
incaas
台面
单项工艺
在线阅读
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职称材料
HEMT是如何工作的
被引量：
3
2
作者
李和委
《半导体情报》
2000年第3期17-25,共9页
关键词
INP
HEMT
incaas
/InAlAs
晶体管
在线阅读
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职称材料
题名
微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用
1
作者
吴小利
张可峰
唐恒敬
韩冰
李雪
龚海梅
机构
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第B09期951-953,共3页
文摘
微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段,本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中In-CaAs样品的少子寿命分布,结果表明,离子刻蚀使得样品少子寿命降低,非均匀性增大,而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤,损伤区域中心的少子寿命增大,寿命分布也更加均匀,硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命,却使寿命分布均匀性变差。可见,微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布,对工艺改进具有重要的指导意义。
关键词
微波反射光电导衰退法
incaas
台面
单项工艺
Keywords
μ-PCD technique
InGaAs
mesa
process
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
HEMT是如何工作的
被引量：
3
2
作者
李和委
出处
《半导体情报》
2000年第3期17-25,共9页
关键词
INP
HEMT
incaas
/InAlAs
晶体管
Keywords
InP HEMT InGaAs/InAlAs Low noise Power Enhancement
分类号
TN325.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用
吴小利
张可峰
唐恒敬
韩冰
李雪
龚海梅
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
HEMT是如何工作的
李和委
《半导体情报》
2000
3
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职称材料
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