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高优值系数In_4Se_3多晶的制备及其热电输运特性
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作者 赵然 马立民 +2 位作者 郭福 胡扬端瑞 舒雨田 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期249-255,共7页
分别采用不同的熔炼、退火工艺,结合放电等离子烧结方法制备了块状多晶In4Se3热电材料。研究了熔炼时间和退火时间对材料物相、成分、显微结构及热电性能的影响。熔炼后铸锭中存在In及In Se杂相,Se缺失量随熔炼时间的延长而增加,使得样... 分别采用不同的熔炼、退火工艺,结合放电等离子烧结方法制备了块状多晶In4Se3热电材料。研究了熔炼时间和退火时间对材料物相、成分、显微结构及热电性能的影响。熔炼后铸锭中存在In及In Se杂相,Se缺失量随熔炼时间的延长而增加,使得样品载流子浓度增大,电导率有所提高,熔炼48 h样品ZT值相对较高。在确定熔炼工艺的基础上,进行不同时间的退火处理后,In Se相消失,显微结构中分布有较大尺寸的台阶状结构,这种台阶状结构有利于降低热导率,而对电导率无明显影响。实验结果表明:一定程度延长熔炼时间、退火时间对提高样品的热电性能有积极作用,其中熔炼48 h再退火96 h后的样品ZT值最高,在702 K达到0.83,比文献值提高约32%。 展开更多
关键词 in4se3 热电性能 真空熔炼 退火
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超声化学结合放电等离子烧结制备In_4Se_3化合物的热电性能研究 被引量:1
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作者 刘丹丹 王善禹 唐新峰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期201-204,共4页
采用超声化学和后续还原热处理工艺合成了单相In4Se3化合物粉体,并结合放电等离子烧结技术(SPS)制备了致密的块体材料.对所得的块体材料的微结构和热电传输性能进行了系统研究.结果表明,块体样品的晶粒细小、排列紧密并存在显著的择优取... 采用超声化学和后续还原热处理工艺合成了单相In4Se3化合物粉体,并结合放电等离子烧结技术(SPS)制备了致密的块体材料.对所得的块体材料的微结构和热电传输性能进行了系统研究.结果表明,块体样品的晶粒细小、排列紧密并存在显著的择优取向,同时样品中存在大量精细的层状结构,这使得块体样品的电热传输性能也表现出明显的各向异性.由于具有较高的Seebeck系数和较低的热导率,沿着SPS压力方向上样品表现出较好的热电性能,其最大ZT值在700 K可达到0.56,这与其它物理技术制备的In4Se3多晶材料的性能相当. 展开更多
关键词 in4se3 超声化学法 各向异性 热电性能
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Thermoelectric Properties of Ni-substituted Polycrystalline In_4Se_3
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作者 HE Su-Hua LIN Zi-Xiong +3 位作者 Muhammad Ali Khan LIU Peng-Fei CHEN Ling WU Li-Ming 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2015年第8期1217-1223,共7页
Thermoelectric (TE) materials can convert directly low-grade heat energy to electricity, and vice versa, which is highly expected to play an important role in the future energy management. The application practice d... Thermoelectric (TE) materials can convert directly low-grade heat energy to electricity, and vice versa, which is highly expected to play an important role in the future energy management. The application practice demands efficient TE materials made of non-toxic and inexpensive components. Herein, we report a Ni substituted polycrystalline n-type bulk material In4.xNixSe3 (x = 0-0.1). Based on density functional theory calculation, Ni tends to substitute at the In3 site in the In4Se3, which causes a monotonous unit cell volume reduction. At x=0.01, Ni substitution results in a sharp decrease in the carder concentration (he) in comparison with that of pure In4Se3, and then ne increases with the increase of Ni concentration. Ni substitution leads to a performance enhancement from 0.6 for pure In4Se3 to an optimum ZTvalue of 0.8 at 450℃. 展开更多
关键词 in4se3 TE materials Ni substitution he
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