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Bi1.85In0.15Se3单晶的结构及输运特性研究
1
作者 张敏 魏占涛 羊新胜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期1064-1067,共4页
主要研究了Bi_(1.85)In_(0.15)Se_3的晶体结构、微观形貌及电输运性能。样品具有六方层状结构,形成的晶体易解理。样品的电阻率曲线在低温区域出现了金属-绝缘体转变行为。拟合结果表明,在低温下电子-电子散射和Mott变程跃迁模式共存,M... 主要研究了Bi_(1.85)In_(0.15)Se_3的晶体结构、微观形貌及电输运性能。样品具有六方层状结构,形成的晶体易解理。样品的电阻率曲线在低温区域出现了金属-绝缘体转变行为。拟合结果表明,在低温下电子-电子散射和Mott变程跃迁模式共存,Mott变程跃迁模式在低温下对电阻率贡献作用的增大,导致金属-绝缘体转变的出现;而在高温区域,声子散射及电离杂质散射对载流子的作用共存。当施加外加磁场时,样品出现了与纯Bi2Se3相反的负磁电阻效应。这种反常的磁电阻行为可能跟由洛仑兹力导致的正磁电阻与自旋无序电阻率减小引起的负磁电阻之间的竞争作用有关。 展开更多
关键词 Bi1.85in0.15Se3 单晶 输运性能 负磁电阻效应
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粗糙GaAs(001)表面对In_(0.15)Ga_(0.85)As薄膜生长的影响 被引量：1
2
作者 杨晓珊 郭祥 +5 位作者 罗子江 王一 杨晨 许筱晓 张之桓 丁召 《电子科技》 2018年第4期1-4,共4页
通过改变衬底降温速率的方法利用分子束外延(MBE)和扫描隧道显微镜(STM)联合系统制备了不同形貌的Ga As(001)表面。采用SPIP软件测量统计和Bauer定则理论分析,研究了粗糙Ga As(001)表面对In_(0.15)Ga_(0.85)As薄膜生长的影响。结果表明... 通过改变衬底降温速率的方法利用分子束外延(MBE)和扫描隧道显微镜(STM)联合系统制备了不同形貌的Ga As(001)表面。采用SPIP软件测量统计和Bauer定则理论分析,研究了粗糙Ga As(001)表面对In_(0.15)Ga_(0.85)As薄膜生长的影响。结果表明粗糙Ga As(001)表面存在大量的岛和坑,表面能增加,易于In_(0.15)Ga_(0.85)As薄膜层状生长形成平整表面。经计算,面积为100×100 nm^2的粗糙Ga As(001)表面相对平坦Ga As(001)表面,其表面能增加了4.6×10~3e V,大于生长厚度为15 ML的In_(0.15)Ga_(0.85)As薄膜应变能(2.3×10~3e V),说明In_(0.15)Ga_(0.85)As薄膜在粗糙Ga As(001)表面的外延生长模式为层状生长。 展开更多
关键词 MBE STM GAAS 粗糙表面 in0.15 Ga0.85As薄膜 表面能
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应力导致InAs/In_(0.15)Ga_(0.85)As量子点结构中In_(0.15)Ga_(0.85)As阱层的合金分解效应研究 被引量：2
3
作者 王茺 刘昭麟 +4 位作者 陈平平 崔昊杨 夏长生 杨宇 陆卫 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期5418-5423,共6页
利用固源分子束外延技术,在In0.15Ga0.85As/GaAs量子阱生长了两个InAs/In0.15Ga0.85As量子点(DWELL)样品.通过改变其中一个InAsDWELL样品中的In0.15Ga0.85As阱层的厚度和生长温度,获得了量子点尺寸增大而且尺寸分布更均匀的结果.结合光... 利用固源分子束外延技术,在In0.15Ga0.85As/GaAs量子阱生长了两个InAs/In0.15Ga0.85As量子点(DWELL)样品.通过改变其中一个InAsDWELL样品中的In0.15Ga0.85As阱层的厚度和生长温度,获得了量子点尺寸增大而且尺寸分布更均匀的结果.结合光致发光光谱(PL)和压电调制光谱(PzR)实验结果,发现该样品量子点的光学性质也同时得到了极大的优化.基于有效质量近似的数值计算结果表明:量子点后生长过程中应力导致In0.15Ga0.85As阱层合金分解机理是导致量子点尺寸和光学性质得到优化的主要原因. 展开更多
关键词 合金分解效应 InAs/in0.15Ga0.85As量子点 光致发光光谱 压电调制光谱
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