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低饱和磁化强度旋磁In-BiCaVIG单晶小球制备
被引量：
1
1
作者
魏占涛
游斌
+2 位作者
姜帆
陈运茂
何志强
《磁性材料及器件》
CAS
CSCD
2020年第6期53-57,共5页
采用助熔剂法以Bi2O3、PbO为助溶剂结合加速坩埚转动技术生长了4πMs为400 G、250 G、200 G的三种石榴石型In-BiCaVIG单晶,不同配方的单晶材料均能生长出线度在10 mm以上且包杂极少的单晶颗粒。采用“V”型槽研磨技术对系列单晶小球进...
采用助熔剂法以Bi2O3、PbO为助溶剂结合加速坩埚转动技术生长了4πMs为400 G、250 G、200 G的三种石榴石型In-BiCaVIG单晶,不同配方的单晶材料均能生长出线度在10 mm以上且包杂极少的单晶颗粒。采用“V”型槽研磨技术对系列单晶小球进行了磨抛加工处理,三种型号小球的球形度在1.0041~1.0048之间,略优于同尺寸的进口小球(球形度为1.0056)。对制备的三种小球进行了器件试用,结果表明,三种型号的单晶小球性能良好,能够满足相应滤波器的应用要求。XD4C型单晶小球的批量合格率接近84%,且批量性能一致性与进口小球相近;而XD2.5C和XD2C两种型号单晶小球的合格率则不到76%,还有待进一步提高。
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关键词
in-bicavig
旋磁铁氧体
饱和磁化强度
单晶小球
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职称材料
高功率微波场中In-BiCaVIG晶体的磁光记录特性
2
作者
孟洲
胡永明
+2 位作者
陈哲
龙兴武
倪明
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期87-90,共4页
报道了铟铋钙钒铁石榴石 (In BiCaVIG)晶体在高功率微波场中的新颖磁光记录特性。In BiCaVIG晶体受峰值功率约 10 0MW ,频率约 10GHz ,脉宽约 5 0ns的高功率微波脉冲作用后 ,晶体的磁旋光角发生了变化。其变化的大小与晶体通光方向上的...
报道了铟铋钙钒铁石榴石 (In BiCaVIG)晶体在高功率微波场中的新颖磁光记录特性。In BiCaVIG晶体受峰值功率约 10 0MW ,频率约 10GHz ,脉宽约 5 0ns的高功率微波脉冲作用后 ,晶体的磁旋光角发生了变化。其变化的大小与晶体通光方向上的磁场峰值大小有关 ;旋光角变化的方向与晶体的初始磁旋光状态有关。这种记录着高功率微波峰值磁场的旋光状态的变化可以保持几天或更长时间 ,能够用静磁场消除。
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关键词
高功率微波场
in-bicavig
晶体
磁旋光角
磁光记录特性石榴石铁氧体材料
原文传递
In－BiCaVIG晶体的助熔剂生长与性能研究
3
作者
陈万平
于含云
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第2期118-121,共4页
本文报道了用助熔剂成功地生长大尺寸掺铟ＢｉＣａＶＩＧ晶体的方法以及实验结果，介绍了该单晶在远红外区的磁光器件中的重要应用。
关键词
in-bicavig
晶体
助熔剂生长
性能
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职称材料
题名
低饱和磁化强度旋磁In-BiCaVIG单晶小球制备
被引量：
1
1
作者
魏占涛
游斌
姜帆
陈运茂
何志强
机构
西南应用磁学研究所
出处
《磁性材料及器件》
CAS
CSCD
2020年第6期53-57,共5页
基金
收稿日期:2018-03-06修回日期:2020-07-10。
文摘
采用助熔剂法以Bi2O3、PbO为助溶剂结合加速坩埚转动技术生长了4πMs为400 G、250 G、200 G的三种石榴石型In-BiCaVIG单晶,不同配方的单晶材料均能生长出线度在10 mm以上且包杂极少的单晶颗粒。采用“V”型槽研磨技术对系列单晶小球进行了磨抛加工处理,三种型号小球的球形度在1.0041~1.0048之间,略优于同尺寸的进口小球(球形度为1.0056)。对制备的三种小球进行了器件试用,结果表明,三种型号的单晶小球性能良好,能够满足相应滤波器的应用要求。XD4C型单晶小球的批量合格率接近84%,且批量性能一致性与进口小球相近;而XD2.5C和XD2C两种型号单晶小球的合格率则不到76%,还有待进一步提高。
关键词
in-bicavig
旋磁铁氧体
饱和磁化强度
单晶小球
Keywords
in-bicavig
gyromagnetic ferrite
saturation magnetization
single crystal spheres
分类号
TM277 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
高功率微波场中In-BiCaVIG晶体的磁光记录特性
2
作者
孟洲
胡永明
陈哲
龙兴武
倪明
机构
国防科学技术大学理学院
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期87-90,共4页
基金
国家 8 6 3激光技术青年基金
文摘
报道了铟铋钙钒铁石榴石 (In BiCaVIG)晶体在高功率微波场中的新颖磁光记录特性。In BiCaVIG晶体受峰值功率约 10 0MW ,频率约 10GHz ,脉宽约 5 0ns的高功率微波脉冲作用后 ,晶体的磁旋光角发生了变化。其变化的大小与晶体通光方向上的磁场峰值大小有关 ;旋光角变化的方向与晶体的初始磁旋光状态有关。这种记录着高功率微波峰值磁场的旋光状态的变化可以保持几天或更长时间 ,能够用静磁场消除。
关键词
高功率微波场
in-bicavig
晶体
磁旋光角
磁光记录特性石榴石铁氧体材料
Keywords
high power microwave field,
in-bicavig
crystal, magneto-optic rotation, magneto-optic recording characteristic
分类号
TM277.3 [一般工业技术—材料科学与工程]
TQ597.91 [化学工程—精细化工]
原文传递
题名
In－BiCaVIG晶体的助熔剂生长与性能研究
3
作者
陈万平
于含云
机构
山东曲阜师范大学物理系
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第2期118-121,共4页
文摘
本文报道了用助熔剂成功地生长大尺寸掺铟ＢｉＣａＶＩＧ晶体的方法以及实验结果，介绍了该单晶在远红外区的磁光器件中的重要应用。
关键词
in-bicavig
晶体
助熔剂生长
性能
Keywords
in-bicavig
crystal, growing, Frady rotation ratio.
分类号
O782 [理学—晶体学]
O482.55 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低饱和磁化强度旋磁In-BiCaVIG单晶小球制备
魏占涛
游斌
姜帆
陈运茂
何志强
《磁性材料及器件》
CAS
CSCD
2020
1
在线阅读
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职称材料
2
高功率微波场中In-BiCaVIG晶体的磁光记录特性
孟洲
胡永明
陈哲
龙兴武
倪明
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
原文传递
3
In－BiCaVIG晶体的助熔剂生长与性能研究
陈万平
于含云
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
0
在线阅读
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职称材料
已选择
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