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集成化平面肖特基变容管微波C-V特性物理模型
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作者 田彤 罗晋生 +3 位作者 吴顺君 李祖华 陈堂胜 林金庭 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期380-386,共7页
提出一种集成化平面肖特基变容管微波频段 C- V特性物理模型 ,该模型考虑了由平面结构引起的分布有源层串联电阻、分布结电容、结反向饱和漏电流及侧壁电容对微波频段 C- V特性的影响 ,揭示了集成化平面肖特基变容管 C- V特性对频率的依... 提出一种集成化平面肖特基变容管微波频段 C- V特性物理模型 ,该模型考虑了由平面结构引起的分布有源层串联电阻、分布结电容、结反向饱和漏电流及侧壁电容对微波频段 C- V特性的影响 ,揭示了集成化平面肖特基变容管 C- V特性对频率的依赖 ,并对变容比作了讨论。 展开更多
关键词 集成化平面肖特基变容管 平面结构 微波频段电容-电压特性 物理模型
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