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液相外延生长高质量大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器研究 被引量：4
1
作者 杨进华 高欣 +2 位作者 李忠辉 吴根柱 张兴德 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期214-217,共4页
用改进的液相外延法生长了大功率 In Ga As P/Ga As半导体激光器 ,实验测量和理论分析都表明用该方法生长的单量子阱分别限制异质结构 ,达到了设计要求 ,阈值电流密度为 30 0 A/cm2 ,斜率效率达 1 .32 W/A。
关键词 液相外延 大功率 半导体激光器 材料生长 ingaasp/gaas 阈值电流密度 斜率效率
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LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器
2
作者 李忠辉 张宝顺 +2 位作者 杨进华 张兴德 王向武 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期232-235,共4页
设计并利用LP－MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构，采用无铝的InGaP做光学包层。腔面未镀膜情况下，测试10支条宽100μm，腔长1mm的激光器样品，连续输出功率超过1W，阈值电流密度为330～490A/cm2，外微分量子效率为55％～7... 设计并利用LP－MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构，采用无铝的InGaP做光学包层。腔面未镀膜情况下，测试10支条宽100μm，腔长1mm的激光器样品，连续输出功率超过1W，阈值电流密度为330～490A/cm2，外微分量子效率为55％～78％，中心发射波长为(808±3)nm。 展开更多
关键词 LP-MOCVD ingaasp/gaas 量子阱激光器
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基于GaAs界面的长波InAs/GaSb超晶格红外焦平面探测器研制
3
作者 周旭昌 蒋志 +13 位作者 班雪峰 王海澎 孔金丞 邓功荣 岳彪 黄俊博 木迎春 雷晓虹 陈蕊 王海虎 陈杰 周艳 段碧雯 李淑芬 《红外与激光工程》 北大核心 2025年第8期56-63,共8页
开展了基于GaAs界面的InAs/GaSb超晶格红外探测器材料和焦平面探测器研究。采用分子束外延(MBE)技术在InAs衬底上生长了高质量的PB1nB2N双势垒超晶格材料,通过GaAs界面的引入来提高了超晶格材料生长温度来改善材料晶体质量并降低暗电流... 开展了基于GaAs界面的InAs/GaSb超晶格红外探测器材料和焦平面探测器研究。采用分子束外延(MBE)技术在InAs衬底上生长了高质量的PB1nB2N双势垒超晶格材料,通过GaAs界面的引入来提高了超晶格材料生长温度来改善材料晶体质量并降低暗电流;同时通过结构设计将电场加载到宽带隙的电子和空穴势垒阻挡层,实现了窄带隙吸收层与耗尽区分离,减小产生-复合暗电流。采用ICP干法刻蚀技术制备出光滑台面,通过硫化/介质膜复合钝化技术实现了低侧壁漏电,研制出长波640×512焦平面探测器组件,截止波长为10.14μm,NETD达到17.8 mK,有效像元率达到99.89%,量子效率达到37%,成像验证展现出优良的光电性能。 展开更多
关键词 gaas界面 INAS/GASB超晶格 长波 焦平面
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基于GaAs PIN二极管工艺的宽带单刀四掷开关芯片设计研究
4
作者 白元亮 默立冬 +2 位作者 刘永强 朱思成 周鑫 《通讯世界》 2025年第4期13-15,共3页
采用GaAs PIN二极管工艺设计了一款2 GHz~18 GHz宽带单刀四掷开关芯片。采用串并联开关电路结构拓宽电路工作频段,并利用LC宽带偏置电路网络对开关电路进行加电,开关芯片尺寸为2.8 mm×2.8 mm×0.07 mm。经测试,该开关芯片在2 G... 采用GaAs PIN二极管工艺设计了一款2 GHz~18 GHz宽带单刀四掷开关芯片。采用串并联开关电路结构拓宽电路工作频段,并利用LC宽带偏置电路网络对开关电路进行加电,开关芯片尺寸为2.8 mm×2.8 mm×0.07 mm。经测试,该开关芯片在2 GHz~18 GHz频带内,控制端施加-5 V/0 V电压组合时,其插入损耗小于1.0 dB,隔离度大于32 dB,幅度一致性为-1~3 dB,相位一致性为±4°。 展开更多
关键词 gaas PIN二极管 宽带 单刀四掷开关芯片 串并联 LC宽带偏置电路网络
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空间GaAs太阳能电池辐照损伤效应模拟研究 被引量：1
5
作者 魏嘉欣 郝建红 +4 位作者 赵强 范杰清 张芳 薛碧曦 董志伟 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第3期151-156,共6页
航天器在轨服役期间长期处于复杂恶劣的空间辐射环境,以GaAs为代表的III-V族化合物太阳能电池因具备高光电转换效率和抗辐照能力而被广泛应用于航天领域。采用有限元法,基于计算机辅助设计技术(TCAD)对GaAs太阳能电池的空间辐照损伤效... 航天器在轨服役期间长期处于复杂恶劣的空间辐射环境,以GaAs为代表的III-V族化合物太阳能电池因具备高光电转换效率和抗辐照能力而被广泛应用于航天领域。采用有限元法,基于计算机辅助设计技术(TCAD)对GaAs太阳能电池的空间辐照损伤效应进行了研究。以AM0光谱辐照下的GaAs太阳能电池电学参数为依据,建立了单结太阳能电池结构模型和辐照损伤模型,获得了在不同电子辐照条件下电池的伏安特性曲线,结合已有实验结果验证了本文模拟结果,分析了空间环境辐照下GaAs太阳能电池电学性能退化规律。结果表明,辐照损伤缺陷使得少数载流子扩散长度减小,降低了光生载流子的收集效率,在一定电子能量下,太阳能电池电学性能的退化幅度随辐照注量水平的提高而增大。 展开更多
关键词 gaas太阳能电池 器件模拟 辐照损伤 电学性能
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晶圆键合GaAs/InGaAs双结太阳电池 被引量：1
6
作者 蒋卓宇 李娟 +2 位作者 孔祥力 代盼 孙强健 《半导体技术》 北大核心 2025年第4期365-371,共7页
为了避免直接外延生长引起晶格失配问题,利用晶圆键合技术开发了GaAs/InGaAs双结太阳电池。采用金属固态源分子束外延(MBE)生长方法,在GaAs衬底上生长GaAs顶电池,在InP衬底上生长InGaAs底电池。通过晶圆键合技术将这些子电池键合在一起... 为了避免直接外延生长引起晶格失配问题,利用晶圆键合技术开发了GaAs/InGaAs双结太阳电池。采用金属固态源分子束外延(MBE)生长方法,在GaAs衬底上生长GaAs顶电池,在InP衬底上生长InGaAs底电池。通过晶圆键合技术将这些子电池键合在一起,制备了晶圆键合GaAs/InGaAs双结太阳电池。测试结果显示,通过晶圆键合技术制备的双结太阳电池具有较低的电损耗,在聚光下获得了超过31.7%的光电转换效率。双结太阳电池的晶圆键合技术改善了常规直接材料生长方法因晶格失配造成的位错问题,可以更灵活地实现双结太阳电池的优化设计。 展开更多
关键词 分子束外延(MBE) INgaas gaas 晶圆键合 双结太阳电池
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γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器性能的影响 被引量：2
7
作者 孙京华 王文娟 +3 位作者 诸毅诚 郭子路 祁雨菲 徐卫明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期44-51,共8页
对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器(SPADs)进行了总剂量为10 krad(Si)和20 krad(Si)的γ辐照,并进行了原位和移位测试。辐照后,暗电流和暗计数率有轻微的下降,而探测效率和后脉冲概率基本不变。经过一定时间的室温退火后,这些退化基本恢复... 对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器(SPADs)进行了总剂量为10 krad(Si)和20 krad(Si)的γ辐照,并进行了原位和移位测试。辐照后,暗电流和暗计数率有轻微的下降,而探测效率和后脉冲概率基本不变。经过一定时间的室温退火后,这些退化基本恢复,这表明瞬态电离损伤在γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器的损伤中占主导地位。 展开更多
关键词 Γ辐照 ingaasp/INP 单光子雪崩探测器 单光子性能
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不同梯度掺杂透射式GaAs光电阴极的平均时间衰减常数及瞬态响应理论研究
8
作者 蔡志鹏 黄文登 +2 位作者 杨创华 娄本浊 何军锋 《真空科学与技术学报》 北大核心 2025年第5期398-407,共10页
计算了透射式GaAs负电子亲和势光电阴极在不同掺杂梯度下的平均时间衰减常数τ',分析认为,阴极吸收层厚度L、掺杂梯度对τ'影响占主要地位,且随L、掺杂梯度的增大逐渐减小;仿真涉及的两种掺杂方式,吸收层浓度的e指数掺杂方式和... 计算了透射式GaAs负电子亲和势光电阴极在不同掺杂梯度下的平均时间衰减常数τ',分析认为,阴极吸收层厚度L、掺杂梯度对τ'影响占主要地位,且随L、掺杂梯度的增大逐渐减小;仿真涉及的两种掺杂方式,吸收层浓度的e指数掺杂方式和e指数电场掺杂方式,没有发现它们对τ'的影响。当L~0.2-0.5μm较小时,光子能量E_(hv)对τ'的影响较大。随光子能量E_(hv)进一步增大,它对τ'的影响逐渐减小;在L、E_(hv)变化过程中,发现了L、E_(hv)对τ'的影响的动态竞争关系,分析认为,二者竞争的实质是,初时刻表面光电子浓度与体内光电子浓度分布的动态竞争,共同影响了τ'的变化,且这种竞争关系,不是二者简单的叠加关系,而是出现一种复杂的、交替占主导的、此消彼长的变化关系,随着L增大,E_(hv)由主导逐渐过渡到占次要地位,而L由次要地位过渡到占主导地位。同时,基于τ'仿真得到了阴极在不同掺杂方式、不同掺杂梯度下的时间响应特性—T_(m)和FWHM,它们均随掺杂梯度的增大而逐渐减小,而e指数电场掺杂方式具有优异的响应特性。该仿真结果为透射式GaAs光电阴极在高速摄影、电子源、光电倍增管以及像增强器的应用研究提供了必要的理论基础和数据支持。 展开更多
关键词 gaas光电阴极 梯度掺杂 平均时间衰减常数 最优系数因子 时间响应
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基于XRD和PL光谱分析的InGaAs/GaAs量子阱生长温度依赖性研究
9
作者 李博 马淑芳 +9 位作者 阳智 程睿思 刘思敏 王嘉惠 郝晓东 尚林 仇伯仓 董海亮 韩丹 许并社 《光谱学与光谱分析》 北大核心 2025年第6期1584-1591,共8页
InGaAs/GaAs多量子阱(MQWs)结构因其具有独特的量子限制效应和优异的光电性能,使其作为激光器的有源区在光通信和光电器件中具有广泛应用。在该结构中通过改变In组分来调控带隙宽度进而满足不同波长的需求,分子束外延(MBE)生长MQWs时可... InGaAs/GaAs多量子阱(MQWs)结构因其具有独特的量子限制效应和优异的光电性能,使其作为激光器的有源区在光通信和光电器件中具有广泛应用。在该结构中通过改变In组分来调控带隙宽度进而满足不同波长的需求,分子束外延(MBE)生长MQWs时可以高精度的控制材料的组分和厚度,从而优化光学性能。尽管InGaAs/GaAs MQWs在许多方面取得了进展,但在In组分较高的InGaAs量子阱中,由于晶格失配会导致位错产生,进而引发界面缺陷,影响材料的晶体质量和光学性能,所以通过MBE生长调控来提高晶体质量对改善光学性质极具意义。在MBE生长过程中,利用生长温度来优化生长动力学,进而调控原子在界面的迁移,尤其是In、Ga原子的迁移,对于提高InGaAs/GaAs MQWs的界面质量和晶体质量有着至关重要的作用。为了探究生长温度对MQWs晶体质量、界面质量和发光性能的影响,我们采用MBE方法分别在505和490℃下生长了两组InGaAs/GaAs MQWs样品,并使用高分辨率X射线衍射(HRXRD)、光致发光(PL)进行了晶体质量和光学性能表征分析。HRXRD结果表明,由于高温下生长有利于提高Ⅲ族原子动力学和原子扩散长度,使得生长工艺中In和Ga原子的迁移增加,这有利于原子在外延层表面找到能量较低的位置形核;因此,在505℃生长的MQWs样品的缺陷密度为1.02×10^(5) cm^(-2),较小,缺陷少应力小,具有较好的晶体质量和界面质量。此外,光致发光性能测试分析结果表明,在505℃生长的MQWs样品发光强度高,发光均匀性良好,并进一步证明其晶体质量优于490℃生长的样品。说明了合适的生长温度有利于提高InGaAs/GaAs MQWs的界面质量和光学性能。该工艺参数对MBE制备MQWs材料具有重要的参考意义。 展开更多
关键词 Ingaas/gaas多量子阱 MBE生长 高分辨率X射线衍射谱 光致发光谱
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基于ANN技术的GaAs pHEMT小信号S参数温度特性建模研究
10
作者 杨姝玥 林倩 《重庆师范大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第4期100-110,共11页
为了解决传统器件建模过程复杂、精度低的问题,采用多种人工神经网络技术对砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(gallium arsenide pseudomorphic high electron mobility transistor, GaAs pHEMT)在不同温度下的S参数开展建模研究。建模时将... 为了解决传统器件建模过程复杂、精度低的问题,采用多种人工神经网络技术对砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(gallium arsenide pseudomorphic high electron mobility transistor, GaAs pHEMT)在不同温度下的S参数开展建模研究。建模时将采集所得的S参数随机分为训练集和测试集,分别采用双隐藏层共轭梯度反向传播神经网络(conjugate gradient backpropagation neural network, CG-BPNN)和极限学习机(extreme learning machine, ELM)建模,并给出2种模型的预测拟合结果和绝对误差曲线。实验结果表明,CG-BPNN的拟合结果一般,部分数据存在较大的误差,而ELM预测的大部分数据都能达到理想的拟合结果。此外,CG-BPNN和ELM的均方误差分别为0.013 508和0.002 254 9。上述实验证明了ELM在不同温度下对GaAs pHEMT的S参数具有更好的建模效果。因此,所提出的建模方法可以准确、稳定地表征GaAs pHEMT在不同温度下的S参数。 展开更多
关键词 CG-BPNN ELM S参数 gaas pHEMT
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宽光谱吸收增强的透射式GaAs光电阴极亚波长结构设计
11
作者 高毅 过般响 +3 位作者 徐卓 李诗曼 石峰 张益军 《红外技术》 北大核心 2025年第8期963-971,共9页
负电子亲和势GaAs光电阴极具备高量子效率、暗电流小、低发射度、长波扩展潜力大等优势,在真空光电器件和真空电子源等领域具有广泛应用。对于透射式GaAs光电阴极,如何在保证较薄发射层厚度的前提下获得高的量子效率是需要攻克的难题。... 负电子亲和势GaAs光电阴极具备高量子效率、暗电流小、低发射度、长波扩展潜力大等优势,在真空光电器件和真空电子源等领域具有广泛应用。对于透射式GaAs光电阴极,如何在保证较薄发射层厚度的前提下获得高的量子效率是需要攻克的难题。本文提出了采用新型亚波长周期陷光结构的GaAlAs窗口层设计方案,以实现薄发射层透射式GaAs光电阴极宽光谱吸收增强的目的。围绕透射式GaAs光电阴极的光学性能,采用有限时域差分法进行光学仿真,在光电阴极结构设计方面开展了研究。相较传统的平面GaAs光电阴极,具有亚波长陷光结构设计的GaAs光电阴极的光吸收率显著提高。进一步,对周期为600 nm的纳米阵列的线宽、直径、高度、排列等方面进行仿真优化,获得最佳亚波长阵列结构为:线宽为440 nm,高度为490 nm,采用1/4周期交错排列的圆柱阵列,500~930nm波长范围的平均吸收率达到了84.91%,相比传统平面结构在近红外波段提升尤为显著。 展开更多
关键词 gaas光电阴极 透射式 陷光 亚波长结构 光吸收率
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多芯片组件GaAs芯片氢效应失效分析及改进
12
作者 孙鑫 金家富 +2 位作者 吴伟 何威 张建 《电子工艺技术》 2025年第4期18-22,共5页
密封组件中GaAs芯片易受氢效应影响导致性能退化。研究表明GaAs芯片有多种失效模式,且失效速率和氢含量、工作时间及温度强相关,依赖关系服从经验公式,因此氢效应控制方法和工艺应结合其具体工作状态来确定。通过分析GaAs器件中的典型... 密封组件中GaAs芯片易受氢效应影响导致性能退化。研究表明GaAs芯片有多种失效模式,且失效速率和氢含量、工作时间及温度强相关,依赖关系服从经验公式,因此氢效应控制方法和工艺应结合其具体工作状态来确定。通过分析GaAs器件中的典型氢效应失效现象和特征,探究其失效模式及机理,研究氢的来源、组件析氢及消耗机理。可从原材料选型、芯片制作工艺优化和电路或封装设计改进三方面控制氢效应,组件氢效应失效率降低了70%,为生产和使用中的控氢过程提供参考和依据。 展开更多
关键词 多芯片组件 gaas 失效 氢效应
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InP/InGaAsP/InGaAs场助近红外光电阴极理论建模和特性分析
13
作者 李想 邓伟婷 +3 位作者 邓文娟 彭新村 周书民 邹继军 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期806-812,817,共8页
场助光电阴极可以有效提高长波阈值处的外量子效率,在近红外波段中有着较为广泛的应用。设计了pn结型n-InP/p-InGaAsP/p-InGaAs场助光电阴极,通过电流连续性方程建立其电子发射模型,在该模型基础上调整各层参数进行仿真,获得电子发射电... 场助光电阴极可以有效提高长波阈值处的外量子效率,在近红外波段中有着较为广泛的应用。设计了pn结型n-InP/p-InGaAsP/p-InGaAs场助光电阴极,通过电流连续性方程建立其电子发射模型,在该模型基础上调整各层参数进行仿真,获得电子发射电流并计算外量子效率。分析外加电压、外延层掺杂浓度及厚度、基极电极宽度、发射面宽度及发射层材料等因素对外量子效率的影响,最终确定外量子效率达到峰值时各层最佳参数。结果表明:n型InP接触层、P型In_(0.7955)Ga_(0.2045)As_(0.45)P发射层和p型In_(0.53)_Ga_(0.47)As吸收层的最佳掺杂浓度分别为1×10^(19)、2×10^(18)和4×10^(17)cm^(-3),厚度分别为0.2μm、50nm和3μm;综合考虑仿真结果和工艺制备条件,基极电极宽度最佳范围为1~2μm,发射面宽度最佳范围为5~8μm。外加6V电压时,1.65μm波长处外量子效率理想峰值为41%。 展开更多
关键词 光电阴极 场助 ingaasp 近红外 外量子效率
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集成串转并数字电路的C波段GaAs双通道幅相多功能芯片
14
作者 王测天 张帆 +4 位作者 刘莹 羊洪轮 王为 廖学介 周德云 《电子科技大学学报》 北大核心 2025年第6期810-818,共9页
基于0.15-μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-mode pHEMT)工艺,研制了一款5.8~6.8 GHz的C波段双通道幅相多功能芯片。该芯片集成了7位数控衰减器、增益补偿低噪声放大器、6位数控移相器、功分器和30位串转并等电路。集成的串转并... 基于0.15-μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-mode pHEMT)工艺,研制了一款5.8~6.8 GHz的C波段双通道幅相多功能芯片。该芯片集成了7位数控衰减器、增益补偿低噪声放大器、6位数控移相器、功分器和30位串转并等电路。集成的串转并数字电路用于对两个通道的衰减移相进行控制和识别芯片地址。测试结果表明,参考态时,2个通道的增益为0~0.5 dB和-0.15~0.42 dB,测量噪声均小于6.38 dB;衰减态时,通道1和通道2的衰减均方根(RMS)误差小于0.35 dB和0.34 dB,对应的附加调相RMS误差小于2.5°和2.45°;移相态时,通道1和通道2的移相RMS误差小于2.27°和2.36°,对应的寄生调幅RMS误差均小于0.27 dB。该多功能芯片具有衰减位数多、衰减移相精度高、衰减附加调相和移相寄生调幅小、集成度高的特点。 展开更多
关键词 gaas 双通道幅相多功能芯片 数控衰减器 增益补偿低噪声放大器 数控移相器 串转并数字电路
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宇航用高可靠GaAs功率器件可靠性评估方法
15
作者 寇彦雨 兰晓宸 +4 位作者 银军 余若褀 韩东 赵鹏阁 许春良 《通讯世界》 2025年第7期43-45,共3页
随着我国技术的不断发展,提出一种评价宇航用高可靠GaAs微波功率场效应晶体管可靠性的方法,并利用该方法对某高可靠宇航用GaAs微波功率场效应晶体管进行可靠性评估,验证其可靠性,以期为相关工作提供参考与借鉴。
关键词 gaas微波功率场效应晶体管 可靠性 射频热阻 漏泄电流
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1.74μm大应变InGaAs/InGaAsP半导体锁模激光器
16
作者 段阳 林中晞 苏辉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第6期90-97,共8页
针对光频梳、医学光声成像及痕量气体探测等应用需要,研制了一种InP基碰撞锁模半导体激光器,可在1.74μm波段实现重复频率为19.3GHz的高效锁模,其射频(RF)谱半高全宽(FWHM)约14kHz。在可饱和吸收区未加偏压时,激光器的阈值电流为83mA,... 针对光频梳、医学光声成像及痕量气体探测等应用需要,研制了一种InP基碰撞锁模半导体激光器,可在1.74μm波段实现重复频率为19.3GHz的高效锁模,其射频(RF)谱半高全宽(FWHM)约14kHz。在可饱和吸收区未加偏压时,激光器的阈值电流为83mA,最大出光功率可达到25.83mW。固定吸收区偏置电压在-1.6V,增益区驱动电流高于130mA时,锁模激光器开始输出微波射频信号,并且RF谱的FWHM随着电流增加可下降至十几kHz。固定驱动电流为520mA,在吸收区偏置电压从-1.4V降至-2V过程中,激光发射光谱逐渐展宽,在-2V偏压下,光谱的FWHM为9.88nm,包含40多个间隔为0.2nm的纵模。对比分析了不同驱动电流和偏置电压下的射频频谱和发射光谱的变化趋势,证明了该锁模器件具有高效、稳定的锁模机制。 展开更多
关键词 半导体激光器 碰撞锁模 InP基材料 Ingaas/ingaasp多量子阱
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19~21 GHz GaAs高线性功率放大器MMIC
17
作者 刘晓禹 韩程浩 +7 位作者 阮文武 郭润楠 刘伶 许鑫东 侯泽文 庄园 余旭明 陶洪琪 《电子技术应用》 2025年第4期72-78,共7页
基于0.15μm GaAs高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺研制了一款19~21 GHz的高线性功率放大器单片微波集成电路。高峰均比信号传输场景中,功率放大器的效率和线性度对射频前端性能具有关键影响。该放大器在功放栅极级联冷模线性化电路,以补... 基于0.15μm GaAs高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺研制了一款19~21 GHz的高线性功率放大器单片微波集成电路。高峰均比信号传输场景中,功率放大器的效率和线性度对射频前端性能具有关键影响。该放大器在功放栅极级联冷模线性化电路,以补偿放大器辐相失真特性,进而实现线性度和效率的提升,为克服冷模对电压敏感问题,采用片上有源稳压及温度补偿偏置电路扩展动态范围,降低大动态失真,抑制工艺离散、外部离散等带来的线性度恶化问题。测试结果表明,在19~21 GHz频带内,饱和输出功率为22.3~22.8 dBm,饱和功率附加效率为35.3%~36.5%。在19GHz、20GHz和21GHz频点,输出功率19dBm时,三阶互调失真均小于-30dBc;6dB峰均比、100MHz正交频分多路复用的64-QAM调制信号激励下,平均输出功率及对应的功率附加效率为19 dBm和27%,实现了-31.9 dBc、-33.2 dBc和-31.2 dBc的邻道功率比及4.32%、4.13%和5.3%的误差矢量幅度。 展开更多
关键词 自适应稳压偏置 冷模 高线性 砷化镓
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基于GaAs pHEMT工艺的11 GHz~17 GHz高精度移相器设计
18
作者 王利云 孔令甲 《通讯世界》 2025年第6期25-27,共3页
基于GaAs pHEMT工艺,设计了一款频率覆盖11 GHz~17 GHz的高精度数控移相器芯片。该芯片集成6位移相器,相位步进5.625°。结合不同拓扑结构的优缺点,确定不同移相单元的电路拓扑。其中5.625°/11.25°/22.5°移相单元采... 基于GaAs pHEMT工艺,设计了一款频率覆盖11 GHz~17 GHz的高精度数控移相器芯片。该芯片集成6位移相器,相位步进5.625°。结合不同拓扑结构的优缺点,确定不同移相单元的电路拓扑。其中5.625°/11.25°/22.5°移相单元采用桥T型结构作为拓扑单元实现相移,45°/90°/180°移相单元选用开关选择型高低通结构作为拓扑单元实现相移。实测结果表明,11 GHz~17 GHz工作频带内,64态移相均方根误差小于2.5°,移相器芯片尺寸2.9 mm×1.2 mm×0.07 mm。 展开更多
关键词 gaas 高精度 高低通 数控移相器
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基于GaAs平面肖特基二极管的220 GHz基波混频器设计
19
作者 范举胜 张翔 于蓉蓉 《通讯世界》 2025年第9期24-26,共3页
基于GaAs平面肖特基二极管工艺设计一款220 GHz基波单平衡混频器单片微波集成电路,该混频器的射频工作频率为200 GHz~230 GHz,中频工作频率为1 CHz~30 GHz,变频损耗不大于10 dB,本振-射频端口隔离度绝对值不小于27 dB。
关键词 gaas平面肖特基二极管 肖特基二极管器件模型 220 GHz基波单平衡混频
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X波段50 W GaAs限幅低噪声放大器MMIC的一体化设计
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作者 朱宝石 张翔 +1 位作者 周鑫 崔璐 《通讯世界》 2025年第9期30-32,共3页
针对高耐功率、低噪声的工程需求,基于4英寸(1英寸=2.54 cm)亚微米栅砷化镓(GaAs)二极管(positive-intrinsic-negative, PIN)与赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistor,p HEMT)工艺,研制了一款X波段... 针对高耐功率、低噪声的工程需求,基于4英寸(1英寸=2.54 cm)亚微米栅砷化镓(GaAs)二极管(positive-intrinsic-negative, PIN)与赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistor,p HEMT)工艺,研制了一款X波段限幅低噪声放大器单片微波集成电路(monolithic microwave integrated circuit, MMIC)。通过限幅器与低噪声放大器的一体化设计实现MMIC的低噪声、高耐功率。测试结果显示,在8 GHz~12 GHz,线性增益大于29 dB,噪声系数小于1.2 dB。 展开更多
关键词 X波段 gaas PIN+pHEMT 限幅低噪声放大器 一体化设计 低噪声
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