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InGaAs-GaAs脊波导DBR激光器双模运行特性研究
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作者 方达伟 徐贲 +3 位作者 张艺 李晨霞 李波 梁永峰 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1310-1313,共4页
对一种新型InGaAs-GaAs脊波导分布式Bragg反射（Ⅸ泯）半导体激光器双模运行特性进行了研究。该激光器由1个普通增益区和2个DBR区组成，两DBR区采用均匀蚀刻的Bragg光栅，中间加入50～100μm的分隔区，以减小两DBR区间的热作用影响。实... 对一种新型InGaAs-GaAs脊波导分布式Bragg反射（Ⅸ泯）半导体激光器双模运行特性进行了研究。该激光器由1个普通增益区和2个DBR区组成，两DBR区采用均匀蚀刻的Bragg光栅，中间加入50～100μm的分隔区，以减小两DBR区间的热作用影响。实验发现，在增益区偏置电流强度满足双模（双波长）运行条件的情况下，在分隔区施加一电流Ispace，会对双模调谐特性产生非常大的影响。结果表明：施加适当的Ispace可使双波长的可调谐间隔显著增加，并同时提高2个激射模的边模抑制比；在一定的范围内，较大的Ispace对应较好的双模运行参数。测量了3种几何尺寸样品在多种偏置电流下的双模运行特性，对分隔区长度、Ispace以及两者组合对双模调谐特性的影响作了深入研究。研究结果对改善双波长DBR半导体激光器双模运行特性给出了有用的信息。 展开更多
关键词 分布式Bragg反射(DBR) ingaas-gaas脊波导半导体激光器 双模运行特性
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应变层多量子阱InGaAs—GaAs的光电流谱研究 被引量：2
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作者 方晓明 沈学础 +2 位作者 侯宏启 冯巍 周钧铭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期270-278,共9页
在10—300K温度范围,用光电流谱方法研究了未掺杂的x为0.1、0.15和0.2,InGaAs层厚度为8和15nm的In_xGa_(1-x)As—GaAs应变层多量子阱的能带结构。在1.240—1.550eV光子能量范围,除11H、11L和22H激子跃迁以及GaAs的基本带间跃迁外,还观... 在10—300K温度范围,用光电流谱方法研究了未掺杂的x为0.1、0.15和0.2,InGaAs层厚度为8和15nm的In_xGa_(1-x)As—GaAs应变层多量子阱的能带结构。在1.240—1.550eV光子能量范围,除11H、11L和22H激子跃迁以及GaAs的基本带间跃迁外,还观察到束缚子带到连续带的跃迁。对样品In_(0.15)Ga_(0.85)As(8nm)-GaAs(15nm),观察到11H重空穴激子的2s及其它激发态跃迁,由此得到激子结合能的近似值,约为8meV。重空穴能带台阶Q_v=0.40±0.02。应变效应使得电子和重空穴束缚在InGaAs层,而轻空穴束缚在GaAs层。 展开更多
关键词 ingaas-gaas 量子阱 光电谱 应变层
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