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新型中温离子导体Sn0.97In0.03P2O7的电性能研究 被引量：2
1
作者 王洪涛 罗春华 +2 位作者 邹影 金彦彦 陈昌梅 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第20期33-35,共3页
采用固相法合成了Sn0.97In0.03P2O7样品,并采用浓差电池、交流阻抗等电化学方法对该样品在50～250℃下的电性能进行了研究.结果表明,该样品在湿润H2气氛中,温度为175℃时,电导率达到最大值2.9×10-2 S·cm-1.水蒸气浓差电池结... 采用固相法合成了Sn0.97In0.03P2O7样品,并采用浓差电池、交流阻抗等电化学方法对该样品在50～250℃下的电性能进行了研究.结果表明,该样品在湿润H2气氛中,温度为175℃时,电导率达到最大值2.9×10-2 S·cm-1.水蒸气浓差电池结果表明,样品在湿润H2气氛下具有少量的氧离子导电性,而在湿润O2气氛下样品主要表现为质子导电.以该样品为固体电解质,组装氢/空气燃料电池,在125℃时最大输出功率密度为26.7 mW·cm-2,150℃时最大输出功率密度为29.0 mW·cm-2,175℃时最大输出功率密度为30.7 mW·cm-2. 展开更多
关键词 Sn0 97in0 03P2O7 交流阻抗 电导率 燃料电池
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两个子带占据的In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱中填充因子的变化规律 被引量：1
2
作者 商丽燕 林铁 +6 位作者 周文政 郭少令 李东临 高宏玲 崔利杰 曾一平 褚君浩 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期3818-3822,共5页
研究了低温(1·5K)和强磁场(0—13T)条件下,InP基In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明,在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下,如果两个子带分... 研究了低温(1·5K)和强磁场(0—13T)条件下,InP基In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明,在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下,如果两个子带分裂能是朗道分裂能的整数倍时,即ΔE21=kωc(其中k为整数),填充因子为偶数;当两个子带分裂能为朗道分裂能的半奇数倍时,即ΔE21=(2k+1)ωc/2,填充因子出现奇数. 展开更多
关键词 in0·53Ga0·47As/in0·52Al0·48As量子阱 填充因子 磁输运
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InP/InGaAs/InP红外光电阴极时间响应特性的模拟研究 被引量：7
3
作者 孙巧霞 徐向晏 +6 位作者 安迎波 曹希斌 刘虎林 田进寿 董改云 郭晖 李燕红 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第12期3163-3167,共5页
文中理论研究了InP/In0.53Ga0.47As/InP异质结透射式红外光电阴极的时间响应特性，光谱响应范围1.0～1.7μm。在场助偏压的作用下，模拟计算了光激发的电子在阴极内部的传输特性。模拟计算表明，光电阴极的响应速度随场助偏压的增大而... 文中理论研究了InP/In0.53Ga0.47As/InP异质结透射式红外光电阴极的时间响应特性，光谱响应范围1.0～1.7μm。在场助偏压的作用下，模拟计算了光激发的电子在阴极内部的传输特性。模拟计算表明，光电阴极的响应速度随场助偏压的增大而加快；随光吸收层厚度的增大而减慢；随光吸收层掺杂浓度的增大，光电阴极的响应速度变慢。发射层厚度及掺杂浓度的增大都会使得阴极的响应时间加长。经过对阴极结构参数和掺杂浓度的优化，得到在吸收层和发射层厚度分别为2μm、0.5μm，掺杂浓度分别为1.5×1015 cm-3、1.0×1016 cm-3时，在适当场助偏压下光电阴极的响应时间可优于100 ps。 展开更多
关键词 红外光电阴极 INP in0 53GA0 47As INP 时间响应特性
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生长厚度对InGaAs/InAs薄膜表面形貌的影响 被引量：3
4
作者 王一 郭祥 +6 位作者 刘珂 黄梦雅 魏文喆 赵振 胡明哲 罗子江 丁召 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期363-366,共4页
利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控In0.86Ga0.14As/InAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长5、10、20原子单层(ML)厚度的InGaAs单晶薄膜。采用扫描隧道显微镜对原位退火后不同厚度的In0.86Ga0.14As样品进行扫描,证... 利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控In0.86Ga0.14As/InAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长5、10、20原子单层(ML)厚度的InGaAs单晶薄膜。采用扫描隧道显微镜对原位退火后不同厚度的In0.86Ga0.14As样品进行扫描,证实了在同一组分下,薄膜生长厚度的改变并不剧烈影响薄膜的重构,然而,随着生长厚度的增加,外延层的表面拉伸应力进一步增大,平台平均尺寸逐渐减小,表面应力的累积使表面台阶数目逐渐增多,台面产生更多扭折,原子在具有各向异性的择优扩散机制与表面应力的共同作用下,In0.86Ga0.14As/InAs薄膜锯齿状的台阶边缘越明显,表面越粗糙化。 展开更多
关键词 分子束外延 in0 86Ga0 14As InAs薄膜扫描隧道显微镜生长厚度
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基于InP衬底的晶格失配In_(0.68)Ga_(0.32)As的MOCVD生长及其特性研究 被引量：1
5
作者 朱亚旗 陈治明 +3 位作者 陆书龙 季莲 赵勇明 谭明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期118-121,共4页
采用MOCVD生长技术在InP衬底上成功实现了晶格失配的3μm In0.68Ga0.32As薄膜生长.通过As组分的改变,利用张应变和压应变交替补偿的InAsxP1-x应变缓冲层结构来释放由于晶格失配所产生的应力,在InP衬底上得到了与In0.68Ga0.32As晶格匹配... 采用MOCVD生长技术在InP衬底上成功实现了晶格失配的3μm In0.68Ga0.32As薄膜生长.通过As组分的改变,利用张应变和压应变交替补偿的InAsxP1-x应变缓冲层结构来释放由于晶格失配所产生的应力,在InP衬底上得到了与In0.68Ga0.32As晶格匹配的InAsxP1-x'虚拟'衬底,通过对缓冲层厚度的优化,使应力能够在'虚拟'衬底上完全豫弛.通过原子力显微镜(AFM)、高分辨XRD、透射电镜(TEM)和光致发光(PL)等测试分析表明,这种释放应力的方法能够有效提高In0.68Ga0.32As外延层的晶体质量. 展开更多
关键词 in0 68Ga0 32As 应力释放 InAsxP1-x
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缓冲层InxGa_(1-x)As组分对In_(0.82)Ga_(0.18)As结晶质量和表面形貌的影响 被引量：3
6
作者 张铁民 缪国庆 +4 位作者 金亿鑫 谢建春 蒋红 李志明 宋航 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期797-800,共4页
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层InxGa1-xAs的In组分对In0.82Ga0.18As结晶质量和表面形貌的影响。X射线衍射(XRD)用于表征材料的组分和结晶质量。用扫描电子显微... 采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层InxGa1-xAs的In组分对In0.82Ga0.18As结晶质量和表面形貌的影响。X射线衍射(XRD)用于表征材料的组分和结晶质量。用扫描电子显微镜(SEM)观察样品的表面形貌。实验结果表明,低温生长的缓冲层InxGa1-xAs的In组分影响高温生长的外延层In0.82Ga0.18As的结晶质量和表面形貌。测量得到四个样品的外延层In0.82Ga0.18As的X射线衍射谱峰半峰全宽(FWHM)为0.596°,0.468°,0.362°和0.391°,分别对应缓冲层In组分x=0.28,0.53,0.82,0.88,当缓冲层In组分是0.82时,FWHM最窄,表明样品的结晶质量最好。SEM观察四个样品的表面形貌,当缓冲层In组分是0.82时,样品的表面平整,没有出现交叉平行线或蚀坑等缺陷,表面形貌最佳。 展开更多
关键词 铟镓砷 金属有机化学气相沉积 X射线衍射 扫描电子显微镜
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等离子体活化硒对电沉积Cu-In-Ga金属预制层硒化的影响 被引量：2
7
作者 张超 敖建平 +3 位作者 姜韬 孙国忠 周志强 孙云 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期516-523,共8页
使用等离子体活化硒源对电沉积制备的Cu-In-Ga金属预制层进行了硒化处理时,发现等离子体功率对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)晶粒的生长有重要影响,当等离子体功率为75W时,制备出单一Cu(In0.7Ga0.3)Se2相的CIGS薄膜.通过对不同衬底温度的等离... 使用等离子体活化硒源对电沉积制备的Cu-In-Ga金属预制层进行了硒化处理时,发现等离子体功率对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)晶粒的生长有重要影响,当等离子体功率为75W时,制备出单一Cu(In0.7Ga0.3)Se2相的CIGS薄膜.通过对不同衬底温度的等离子体活化硒源硒化的CIGS薄膜进行了研究与分析,并与普通硒化后的薄膜进行对比,发现高活性硒在低温下会促进Ga-Se二元相的生成,从而有利于Cu(In0.7Ga0.3)Se2单相的生长.对等离子体硒化后的CIGS薄膜进行了电池制备,发现单相CIGS薄膜没有显著提高电池性能.通过优化工艺,所制备的CIGS电池效率达到了9.4%. 展开更多
关键词 Cu(in0 7Ga0 3)Se2 电沉积 Cu-In-Ga金属预制层 等离子体活化硒
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