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低照度下ICCD/ICMOS矩形靶标图像的对比度优化算法
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作者 王瑜 李艳荻 《信息记录材料》 2025年第5期214-216,共3页
在研究相机调制传递函数和最小可分辨对比度时,准确获取图像对比度是确保测量精度的关键因素。然而,在低照度条件下,增强电荷耦合器件/增强型互补金属氧化物半导体(intensified charge⁃coupled device/intensified complementary metal⁃... 在研究相机调制传递函数和最小可分辨对比度时,准确获取图像对比度是确保测量精度的关键因素。然而,在低照度条件下,增强电荷耦合器件/增强型互补金属氧化物半导体(intensified charge⁃coupled device/intensified complementary metal⁃oxide semiconductor,ICCD/ICMOS)相机成像会产生较低的信噪比,且伴随着显著的离子反馈噪声,使得常规对比度计算方法难以获得准确结果。为此,本文首先采用“初选-定位-腐蚀”的图像处理策略,以去除离子反馈噪声;然后,结合空间单向均值滤波算法及最大类间方差法(Otsu’s method,Otsu)二值化算法,获取矩形靶标的最大采样区域,从而准确计算图像对比度。实验结果表明:所提出的方法在低照度下有效优化了ICCD/ICMOS矩形靶标图像的对比度,通过最大采样区域计算得到的对比度显著降低了由于手动选取采样区域带来的误差。 展开更多
关键词 图像对比度 ICCD/icmos 低照度 最大采样区域
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一种ICMOS相机关键组合器件响应标校及降噪方法
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作者 刘皓挺 葛建跃 +3 位作者 杨少华 李刚 严明 刘璐 《现代应用物理》 2024年第1期44-53,共10页
针对增强型互补金属氧化物半导体(intensified complementary metal oxide semiconductor,ICMOS)相机中光纤光锥和CMOS传感器关键组合器件响应标校及其在实际应用中的降噪问题,采用K均值异常点剔除、最小二乘理想线性响应拟合、多项式... 针对增强型互补金属氧化物半导体(intensified complementary metal oxide semiconductor,ICMOS)相机中光纤光锥和CMOS传感器关键组合器件响应标校及其在实际应用中的降噪问题,采用K均值异常点剔除、最小二乘理想线性响应拟合、多项式响应误差补偿拟合的成像系统响应标校方法,有效降低了系统固定模式噪声、单个像素响应非线性、整场像素响应非均匀性对ICMOS相机响应输出的影响。采用金字塔真实图像降噪网络(pyramid real image denoising network,PRIDNet)的成像系统图像降噪方法,进一步抑制了ICMOS相机应用过程随机噪声对相机成像效果的影响。研究结果表明:与传统方法中仅做固定模式噪声处理的标校方法相比,应用本文标校方法,像素平均线性度指标提高了约7%,整场响应均匀度指标提高为原来的2.2倍。与其他类型网络相比,采用PRIDNet降噪方法,其峰值信噪比在不同环境光输入条件下均提高了3%~5%。 展开更多
关键词 icmos 响应校正 图像降噪 多项式拟合 K均值
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一种去除ICMOS相机固定模式噪声的方法 被引量:1
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作者 严维鹏 宋岩 +2 位作者 姚志明 宋顾周 段宝军 《现代应用物理》 2022年第2期53-58,共6页
针对ICMOS相机固有模式噪声严重影响拍摄到的图像质量的问题,提出了一种去除ICMOS相机固有模式噪声的方法。将ICMOS相机每个像素点看作独立探测器,获得每个像素点的照射光强灰度曲线,再把ICMOS相机拍摄图像的每个像素点的灰度值与对应... 针对ICMOS相机固有模式噪声严重影响拍摄到的图像质量的问题,提出了一种去除ICMOS相机固有模式噪声的方法。将ICMOS相机每个像素点看作独立探测器,获得每个像素点的照射光强灰度曲线,再把ICMOS相机拍摄图像的每个像素点的灰度值与对应光强灰度曲线做插值计算,将灰度值转换为对应光强,从而消除传感器像素点放大器工作在不同放大倍数时造成的影响。结果表明,校正后图像灰度值的相对偏差均为10^(-3)量级,与校正前相比,至少小一个量级,校正后图像各处均匀性明显变好,图像质量得到明显改善,达到了去除固有模式噪声的目的。 展开更多
关键词 icmos 模式噪声 光强-灰度曲线 插值
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基于双残差注意力网络的ICMOS图像去噪算法 被引量:1
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作者 王霞 张鑫 +3 位作者 焦岗成 杨晔 程宏昌 延波 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期362-371,共10页
针对微光夜视条件下增强型CMOS(ICMOS)图像信噪比低、随机噪声明显的问题,提出了一种基于双残差注意力网络的ICMOS图像去噪算法。为了制作ICMOS噪声图像数据集,采用ICMOS相机在特定照度环境下拍摄静态噪声图像序列,然后采用多帧平均的... 针对微光夜视条件下增强型CMOS(ICMOS)图像信噪比低、随机噪声明显的问题,提出了一种基于双残差注意力网络的ICMOS图像去噪算法。为了制作ICMOS噪声图像数据集,采用ICMOS相机在特定照度环境下拍摄静态噪声图像序列,然后采用多帧平均的方法获得每个序列对应的无噪声真值图像;其次,为了直接从噪声图像中提取噪声分量,设计了一种结合噪声残差学习和残差网络模块的双残差网络模型,并引入通道注意力机制给模型的特征图维度赋予权重,在提升模型学习能力的同时降低了模型复杂度;最后,采用网络训练所得模型对测试图像进行去噪实验。对比实验结果表明,本文提出的算法得到的峰值信噪比较经典的BM3D算法提升了9.56 dB,结构相似度提升了0.0503。从主观效果可以看出,本文算法可以更好地去除ICMOS图像噪声,保留图像细节,同时,具有较高的运行效率。 展开更多
关键词 微光夜视 icmos图像 图像去噪 残差学习 注意力机制
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iCMOS开关为高端数据采集应用提供业界最低的电容和电荷注入
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《单片机与嵌入式系统应用》 2006年第2期86-86,共1页
按照ADI公司拥有专利权的iCMOS(工业CMOS)工艺生产的ADG1233和ADG1234单刀双掷(SPDT)模拟开关,采用±12V或±15V双电源工作,从而提供业界最低的电容和电荷注入。它们具有很低的关断电容(1.5pF)和电荷注入(〈1pC)特... 按照ADI公司拥有专利权的iCMOS(工业CMOS)工艺生产的ADG1233和ADG1234单刀双掷(SPDT)模拟开关,采用±12V或±15V双电源工作,从而提供业界最低的电容和电荷注入。它们具有很低的关断电容(1.5pF)和电荷注入(〈1pC)特性,使其适合要求低毛刺和快速建立时间的数据采集和采样保持应用;快速导通和关断开关速度(120ns和40ns),以及很宽的-3dB惜宽(900MHz)使它们非常适用于视频切换(可能需要外部视频缓冲器)。该模拟开关具有120Ω导通电阻,3.5Ω通道间匹配度和在0~VDD信号范围内有20Ω的导通电阻偏差。 展开更多
关键词 icmos 电荷注入 数据采集 MOS开关 电容 应用 高端 模拟开关 快速导通 ADI公司
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高电压iCMOS工艺促进高性能医用仪器应用
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作者 Soufiane Bendaoud 《电子产品世界》 2005年第10B期79-79,共1页
关键词 医用电子学 icmos工艺 医疗仪器 集成工艺 运算放大器 电源电压
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ADI公司发布创新的制造工艺ICMOS
7
《电子世界》 2005年第1期83-83,共1页
美国模拟器件公司近日发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS,它是将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合,它使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了空前的水平。与采用传统CMOS制... 美国模拟器件公司近日发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS,它是将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合,它使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了空前的水平。与采用传统CMOS制造工艺不同,按照iCMOS工业制造工艺制造的模拟IC能承受高达30V电源电压,同时能提供突破的性能水平,降低系统设计成本,而且降低85%的功耗和减小30%的封装尺寸。 展开更多
关键词 icmos ADI公司 半导体工艺 美国模拟器件公司 半导体制造工艺 模拟IC 双极型 发布 功耗 节省
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ADI推出两款iCMOS单刀双掷模拟开关
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《电子测试(新电子)》 2006年第2期103-103,共1页
美国模拟器件公司(ADI)日前宣布,推出按照iCMOS(工业CMOS)工艺生产的ADG1233和ADG1234单刀双掷(SPDT)模拟开关,采用±12V或±15V双电源工作,从而提供较低的电容和电荷注入。
关键词 单刀双掷模拟开关 icmos ADI 美国模拟器件公司 工艺生产 电荷注入 双电源
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玩转CMOS——iCMOS使用详解
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作者 skywalker 《电脑》 2002年第8期55-55,共1页
关键词 CMOS icmos 工具软件 计算机
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iCMOS是个好东西
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作者 朱瑞 《软件世界(PC任我行)》 2002年第11期11-11,共1页
关键词 icmos 计算机 BIOS设置
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AD8661-采用DigiTrim和iCMOS制造工艺为低成本16V iCMOS放器器建立新的精密性能标准
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《电子设计技术 EDN CHINA》 2005年第1期i005-i005,共1页
AD8661具有业界至高的精密充,低输入偏置流,低噪声,满电源摆唱(R-R)输出,使其适合各种工业应用。它采用5V和16V单电源或者±8V双电源工作,具有很宽的动态工作电压范围宽。
关键词 AD8661 DigiTrim icmos 放大器 性能
原文传递
ADI公司发布创新的制造工艺ICMOS
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作者 刘广荣 《半导体信息》 2005年第2期29-29,共1页
美国模拟器件公司近日发布了一种创新的半导体制造工艺ICMOS,它是将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合,它使诸如工业自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了空前的水平。与采用传统CMOS制造... 美国模拟器件公司近日发布了一种创新的半导体制造工艺ICMOS,它是将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合,它使诸如工业自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了空前的水平。与采用传统CMOS制造工艺不同,按照iCMOS工业制造工艺制造的模拟IC 能承受高达30 V电源电压,同时能提供突破的性能水平,降低系统设计成本,而且降低85%的功耗和减小30%的封装尺寸。 展开更多
关键词 半导体制造工艺 封装尺寸 模拟器件公司 ADI icmos 性能水平 设计成本 半导体工艺 电源电压 双极型
原文传递
增强型相机受温度的影响及其制冷方案的研究现状
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作者 张立昀 褚祝军 +3 位作者 李亚情 左加宁 李晓露 何俊 《云光技术》 2024年第1期19-27,共9页
ICMOS/ICCD(Intensified Complementary Metal Oxide Semiconductor/Intensified Charge-coupled Device)是一种由像增强器与CMOS/CCD传感器耦合组成的数字化微光器件,具有响应速度快、灵敏度高、数字化的特点。近年来陆续有研究表明温... ICMOS/ICCD(Intensified Complementary Metal Oxide Semiconductor/Intensified Charge-coupled Device)是一种由像增强器与CMOS/CCD传感器耦合组成的数字化微光器件,具有响应速度快、灵敏度高、数字化的特点。近年来陆续有研究表明温度会对增强型相机的成像效果造成影响,出现了一些通过对增强型相机系统制冷来提升成像效果的方案,本文主要结合相关研究分析总结了温度对增强型相机系统的影响,并介绍了主流探测器制冷方案以及增强型相机制冷的研究现状和商用情况,为增强型相机的制冷研究提供参考。 展开更多
关键词 增强型相机 相机制冷 icmos ICCD 像增强器
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AD7656及其在电力系统测控中的应用 被引量:14
14
作者 朱维钧 周有庆 王优优 《电工材料》 CAS 2007年第2期47-50,共4页
AD7656是一种16位6通道自同步模数转换器,使用了iCMOS工业制造技术,具有性价比高、精度高、能耗低、转换速度快等优点,尤其适合于电力系统中的模拟量测量。本文主要介绍了AD7656的主要特性、内部结构、电路连接设计及在电力系统测控中... AD7656是一种16位6通道自同步模数转换器,使用了iCMOS工业制造技术,具有性价比高、精度高、能耗低、转换速度快等优点,尤其适合于电力系统中的模拟量测量。本文主要介绍了AD7656的主要特性、内部结构、电路连接设计及在电力系统测控中的应用。 展开更多
关键词 模数转换 icmos AD7656 测控系统
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AD7656的原理及在继电保护产品中的应用 被引量:9
15
作者 宋浩然 赵铁龙 《电子技术应用》 北大核心 2007年第4期55-56,57-58,共4页
AD7656是ADI(美国模拟器件公司)在2006年最新推出的16位、6通道、同步采样的模数转换器产品。本文介绍该款产品的性能、工作原理及在电力继电保护类产品应用设计中的设计要求和注意事项。
关键词 AD7656 icmos 继电保护 单点接地 去耦
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新型的仪表及工业用元器件
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作者 黄志瑛 陈丹 《科技资讯》 2007年第34期24-24,共1页
现在对iPOLAR和ICMOS两种工艺研发取得到重大成果,生产出新一代的高性能的数据转换器、放大器和传感器等模拟元件,为工业仪器仪表用户提供了最先进的在电气噪声和高电压环境下能稳定应用的元器件。
关键词 iPOLAR和icmos工艺 低功耗 高性能 小封装
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微光像增强器与大尺寸CMOS的直接耦合 被引量:4
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作者 高天阳 曹峰梅 +1 位作者 王霞 崔志刚 《红外技术》 CSCD 北大核心 2021年第6期537-542,共6页
通过将直径为40 mm的像增强器与全画幅尺寸CMOS直接耦合,对大尺寸直耦工艺进行了研究。针对使用透镜耦合制成的大尺寸ICCD/ICMOS体积大、光能损失大以及光锥耦合的器件莫尔条纹较多等问题提出采用直接耦合的工艺制作ICCD/ICMOS。文中研... 通过将直径为40 mm的像增强器与全画幅尺寸CMOS直接耦合,对大尺寸直耦工艺进行了研究。针对使用透镜耦合制成的大尺寸ICCD/ICMOS体积大、光能损失大以及光锥耦合的器件莫尔条纹较多等问题提出采用直接耦合的工艺制作ICCD/ICMOS。文中研制的大尺寸ICMOS可获取更大视场内的信息,整机分辨率可达3800×1900 LW/PH,画面清晰,无明显莫尔条纹,结构紧凑,整机仅为手持数码相机大小,隐蔽性强,有利于在复杂环境中更准确、快速地获取目标信息。 展开更多
关键词 直接耦合 icmos 光锥耦合 微光增强
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ADI高性能输出驱动器提高工业和过程控制系统效率
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《单片机与嵌入式系统应用》 2008年第9期76-76,共1页
关键词 输出驱动器 ADI公司 过程控制系统 工业 性能 竞争解决方案 控制应用 icmos
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ADI工业模拟产品性能获突破
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作者 《电子产品世界》 2005年第01A期122-122,共1页
关键词 集成电路 制造工艺 工业市场 ADI公司 icmos工艺 模拟IC 性能
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AD866x:16V低噪声R-R放大器
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《世界电子元器件》 2006年第8期76-76,共1页
ADI推出AD866x系列10款新的运算放大器,新器件采用iCMOS制造工艺和DigiTrim微调工艺以减小电路尺寸而不牺牲性能。
关键词 运算放大器 低噪声 制造工艺 icmos 电路尺寸 x系列 ADI 新器件
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