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I.H.P.SAW谐振器孔径对性能的影响 被引量：3
1
作者 钱一聪 帅垚 +3 位作者 吴传贵 罗文博 潘忻强 张万里 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第3期350-354,共5页
该文研究了在超高性能声表面波(I.H.P.SAW)衬底上,孔径总长对叉指末端具有能够抑制横向模态的小锤结构的谐振器性能。在衬底结构为Y 42°-钽酸锂(Y42°-LT)/SiO_(2)/多晶硅(Poly-Si)/Si上,通过建立对应的有限元三维仿真模型,初... 该文研究了在超高性能声表面波(I.H.P.SAW)衬底上,孔径总长对叉指末端具有能够抑制横向模态的小锤结构的谐振器性能。在衬底结构为Y 42°-钽酸锂(Y42°-LT)/SiO_(2)/多晶硅(Poly-Si)/Si上,通过建立对应的有限元三维仿真模型,初步得出在小锤结构下孔径总长的增大能够抑制横向模态杂散的结论。绘制了周期T为1.44μm、2μm、2.56μm下,孔径总长为7.5T、10T、15T、20T、25T、32.5T、40T的单端口谐振器版图并进行流片。通过实测结果表明,在不同周期下,随着孔径总长的不断增加,对谐振器横向模态的抑制会不断增强,机电耦合系数也不断增加,在孔径总长约为20T时阻抗比最高。仿真和实测结果体现了孔径总长对I.H.P.SAW谐振器的性能影响较大,为应用于I.H.P.SAW滤波器中的高性能谐振器提供了设计指导。 展开更多
关键词 i.h.p.saw 谐振器 孔径长度 机电耦合系数 阻抗比
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适用于宽带滤波器的I.H.P.SAW基底结构优化设计
2
作者 孙晓红 张晓东 杨以俊 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第5期696-699,共4页
超级高性能(I.H.P.)SAW器件因具有优异的品质因数(Q)值及温度稳定性而备受关注。为用于宽带滤波器的研发,对双层结构(Cu电极/Y旋转5°切LiNbO_(3)压电层/SiO_(2)功能层/Si衬底)的I.H.P.SAW基底结构设计进行了研究。考虑质量加载效应... 超级高性能(I.H.P.)SAW器件因具有优异的品质因数(Q)值及温度稳定性而备受关注。为用于宽带滤波器的研发,对双层结构(Cu电极/Y旋转5°切LiNbO_(3)压电层/SiO_(2)功能层/Si衬底)的I.H.P.SAW基底结构设计进行了研究。考虑质量加载效应,结合电极与压电层界面上的应力与自由电荷分布特点,采用精确的有限元/边界元法(FEM/BEM)理论进行研究。利用多层结构的连续性边界条件,计算多层复合格林函数以及谐振器导纳值,寻求谐振点与反谐振点之间最大频率差以优化基底结构尺寸。计算结果表明,对金属化比为0.5,结构周期(λ/2)为2μm的器件,当功能层、压电层、电极层厚分别为0.15λ、0.2λ、0.0375λ时,谐振频率点为880 MHz,反谐振点为1018 MHz,由此可获得138 MHz的最大频率差。此结论为应用于宽带滤波器的I.H.P.SAW器件的设计提供了指导。 展开更多
关键词 声表面波 i.h.p.saw 有限元/边界元法(FEM/BEM) 谐振器 格林函数 宽带滤波器
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